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VLMK/Y32..
威世半导体
功率SMD LED PLCC- 4
特点
可在8毫米磁带
高亮度SMD LED
发光强度和颜色分类
e3
每包装单位
每封装单位光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
1.6
根据截至2千伏: ESD耐压值
JESD22-A114-B
适用于根据所有的焊接方法
CECC 00802及J- STD- 020C
预处理: ACC 。为JEDEC等级2A
根据JEDEC潮湿敏感度合格
2A级
汽车合格: AEC- Q101
铅(Pb ) - 免费的设备
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
兼容红外回流焊工艺
根据CECC 00802及J- STD- 020C
应用
内部和外部照明
指示灯和背光用途的音频,
视频, LCD,开关,符号,照明
广告等等。
照明的目的,替代白炽灯
一般使用
19210
描述
该VLMK / Y32 ..来讲是一种先进的发展
的散热性。
这PLCC - 4表面贴装封装的引线框轮廓
优化,以减小热阻。
这允许更高的驱动电流和双打的光
输出相比, Vishay的高强度SMD LED
在PLCC -2封装。
产品组和包数据
产品组: LED
封装: SMD PLCC - 4
产品系列:电力
半强度角: ± 60 °
零件表
部分
VLMK32ABBB-GS08
VLMY32ABBB-GS08
颜色,发光强度
琥珀,我
V
= ( 1400至2850年) MCD
黄色,我
V
= ( 1400至2850年) MCD
技术
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
绝对最大额定值
1)
VLMK/Y32..
参数
反向电压
2)
正向电流
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在PC板FR4
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
行驶在相反的方向上的发光二极管,适用于短期应用
文档编号81819
1.0版, 25 -FEB -08
www.vishay.com
1
测试条件
符号
V
R
I
F
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
价值
5
70
200
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
290
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
VLMK/Y32..
威世半导体
光学和电学特性
1)
VLMK32 。 , AMBER
参数
发光强度
2)
主波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
测试条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
部分
VLMK32ABBB
包括
VLMK32AB
VLMK32BA
VLMK32BB
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
Δλ
V
F
I
R
1.85
0.01
分钟。
1400
1800
2240
610
18
± 60
3.03
10
典型值。
马克斯。
1800
2240
2850
621
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压在1毫秒的电流脉冲的持续时间和±0.1 V的公差测试
光学和电学特性
1)
VLMY32 ..,黄色
参数
发光强度
2)
主波长
光谱带宽
在50%的余
相对最大
半强度角
正向电压
3)
反向电流
测试条件
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安
V
R
= 5 V
部分
VLMY32ABBB
包括
VLMY32AB
VLMY32BA
VLMY32BB
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
Δλ
V
F
I
R
1.85
0.01
分钟。
1400
1800
2240
585
588
18
± 60
3.03
10
典型值。
马克斯。
1800
2240
2850
594
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
V
A
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
1.6
3)
正向电压在1毫秒的电流脉冲的持续时间和±0.1 V的公差测试
发光强度分类
标准
AB
BA
BB
光强度( MCD )
分钟。
1400
1800
2240
马克斯。
1800
2240
2850
颜色分类
分钟。
X
Y
Z
W
X
585
588
591
马克斯。
588
591
594
610
615
615
621
分钟。
AMBER
马克斯。
大教堂。波长(nm )
注意:
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间进行测试和
的± 11 %的精度。
上述类型的数字表示的顺序组,包括
只有少数亮度组。只有一组将被运上
每个卷轴(会有两个组在每个卷轴无搅拌) 。在
以确保拥有,单颗亮度集团将不
订购。
以类似的方式对颜色,其中波长团是
测量并分级,单波长组将被运上
任何一个趔趄。
为了保证可用性,单波长组将不
订购。
注意:
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
CROSSING表
日前,Vishay
VLMK32ABBB-GS08
VLMY32ABBB-GS08
欧司朗
LAE6SF-AABB
LYE6SF-AABB
www.vishay.com
2
文档编号81819
1.0版, 25 -FEB -08
VLMK/Y32..
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
I
V
REL
- 相对发光强度
100
90
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
21015
AMBER
I
F
- 正向电流(mA )
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
21013
T
AMB
- 环境温度( ° C)
I
F
- 正向电流(mA )
图1.正向电流与环境温度
10°
20°
30°
图4.相对发光强度比。正向电流
Δ
VF
- 改变前进的
电压
(毫伏)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
I
V
REL
- 相对发光强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.6
95 10319
21016
I
F
- 正向电流(mA )
图2.相对。发光强度与角位移
图5.更改正向电压与正向电流
2.0
Δ
VF
- 改变前进的
电压
(毫伏)
I
V
REL
- 相对发光强度
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
- 0.4
- 0.5
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
AMBER
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
21014
I
F
- 正向电流(mA )
21017
图3.相对发光强度与正向电流
I
F
- 正向电流(mA )
图6.更改正向电压与正向电流
文档编号81819
1.0版, 25 -FEB -08
www.vishay.com
3
VLMK/Y32..
威世半导体
Δ
VF
- 改变前进的
电压
(毫伏)
2.5
250
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125
AMBER
I
V
REL
- 相对发光强度
2.0
1.5
1.0
0.5
0
- 50 - 25
21018
0
25
50
75
100 125
T
AMB
- 环境温度( ° C)
21021
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图7.相对绥。强度与环境温度
图10.更改正向电压与环境温度
1.8
Δλ
d
- 改变的DOM 。
波长
(纳米)
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-
8
- 10
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125
I
V
REL
- 相对发光强度
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 50 - 25
0
25
50
AMBER
75
100 125
21022
21019
T
AMB
- 环境温度( ° C)
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图8.相对绥。强度与环境温度
图11.更改的主波长与
环境温度
Δ
VF
- 改变前进的
电压
(毫伏)
Δλ
d
- 改变的DOM 。
波长
(纳米)
250
200
150
100
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-
8
- 10
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125
AMBER
21020
T
AMB
- 环境温度( ° C)
21023
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图9.改变正向电压与环境温度
图12.更改主波长与
环境温度
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4
文档编号81819
1.0版, 25 -FEB -08
VLMK/Y32..
威世半导体
1.2
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
500 525 550 575 600 625 650 675 700
21024
I
V
REL
- 相对发光强度
I
V
REL
- 相对发光强度
AMBER
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
500 525 550 575 600 625 650 675 700
λ
-
波长
(纳米)
21025
λ
-
波长
(纳米)
图13.相对强度与波长
图14.相对强度与波长
卷轴尺寸
以毫米为单位
GS08 = 2000个
20983
文档编号81819
1.0版, 25 -FEB -08
www.vishay.com
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VLMY32ABBB-GS08
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
VLMY32ABBB-GS08
Vishay Semiconductor Opto Division
24+
82318
4-PLCC
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
VLMY32ABBB-GS08
Vishay Semiconductor Opto Division
24+
22000
160¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:0755-29275935
联系人:李小姐
地址:广东省深圳市华强北赛格科技园6C18
VLMY32ABBB-GS08
VISHAY/威世
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126000
LED
原装正品,现货供应
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
VLMY32ABBB-GS08
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21+
11362
6-SMD,J 引线
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
VLMY32ABBB-GS08
Vishay
㊣10/11+
8654
贴/插片
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
VLMY32ABBB-GS08
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
地址:深圳市福田区华发北路华发大厦517A-C
VLMY32ABBB-GS08
VISHAY
24+
15000
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
VLMY32ABBB-GS08
VISHAY
24+
3560
只做原装正品
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