VLMS233 ..， VLMR233 ..， VLMK233 ..， VLMO233 ..， VLMY233 ..
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威世半导体
小功率贴片LED
特点
利用最新的先进的AlInGaP技术
可在8毫米磁带
发光强度和颜色每分类
包装单位
每封装单位光强度比
I
VMAX 。
/I
VMIN 。
1.6
ESD耐压值：高达2千伏根据
到JESD22 - A114 -B
19226
根据JEDEC Level 2a中预处理
IR回流焊
AEC- Q101标准
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
描述
新MiniLED系列已被设计在一个白色的小
SMT封装。该装置的特征是
很小
打包2.3毫米×1.3毫米× 1.4毫米。该MiniLED是
小规模，高功率产品明显的解决方案，
预计在艰苦的环境中可靠地工作。
这通常是在汽车和工业的情况下
应用程序。
应用
交通信号和标志
内部和外部照明
仪表板照明
指示灯和背光用途的音频，视频，
LCD的开关，符号，广告照明等
产品组和包数据
产品组： LED
产品系列：电力
封装： SMD MiniLED
半强度角： ± 60 °
零件表
部分
颜色
发光的
强度
（ MCD ）
分钟。典型值。马克斯。
VLMS233T1V1-GS08
VLMR233T2V2-GS08
VLMK233U1AA-GS08
VLMO233U1AA-GS08
VLMY233T2V2-GS08
超红
红
AMBER
软橙
黄
280
355
450
450
560
355
450
650
680
760
760
650
900
1120
1400
1400
1120
1120
20
20
20
20
20
20
在我
F
（MA ）
波长
（纳米）
分钟。典型值。马克斯。
626
619
611
600
602
583
630
625
616
605
605
589
639
631
622
611
609
594
20
20
20
20
20
20
在我
F
（MA ）
前锋
电压
(V)
分钟。典型值。马克斯。
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.1
2.1
2.1
2.15
2.6
2.6
2-6
2.6
2.6
2.6
20
20
20
20
20
20
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
的AlInGaP在Si
在我
F
技术
（MA ）
VLMO233U2V2-35 - GS08软橙
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMS233 ..， VLMR233 ..， VLMK233 ..， VLMO233 ..， VLMY233 ..
参数
反向电压
(1)
测试条件
只是短期的应用
T
AMB
60 ° C（ 480 K / W ）
符号
V
R
I
F
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
5
50
130
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
480
单位
V
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在印刷电路板（垫大小> 16
mm
2
)
R
thJA
记
(1)
行驶在相反方向的LED适合于短期应用只
修订版1.2 ， 30 -APR- 13
文档编号： 82423
1
如有技术问题，请联系：
LED@Vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VLMS233 ..， VLMR233 ..， VLMK233 ..， VLMO233 ..， VLMY233 ..
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威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMS233 ..，超红
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱带宽在50 ％I
相对最大。
半强度角
正向电压
反向电流
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 20毫安
部分
VLMS233T1V1
符号
I
V
V
/I
V
d
p
V
F
I
R
分钟。
280
-
626
-
-
-
1.8
-
典型值。
450
3
630
639
18
± 60
2
0.01
马克斯。
900
-
639
-
-
-
2.6
10
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
μA
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMR233 ..， RED
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱带宽在50 ％I
相对最大。
半强度角
正向电压
反向电流
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 20毫安
部分
VLMR233T2V2
符号
I
V
V
/I
V
d
p
V
F
I
R
分钟。
355
-
619
-
-
-
1.8
-
典型值。
650
3
625
632
18
± 60
2
0.01
马克斯。
1120
-
631
-
-
-
2.6
10
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
μA
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMK233 ..， AMBER
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱带宽在50 ％I
相对最大。
半强度角
正向电压
反向电流
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 20毫安
部分
VLMK233U1AA
符号
I
V
V
/I
V
d
p
V
F
I
R
1.8
分钟。
450
-
611
-
-
典型值。
680
3
616
622
18
± 60
2.1
0.01
2.6
10
马克斯。
1400
-
622
-
-
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
μA
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMO233 ..， SOFT ORANGE
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱带宽在50 ％I
相对最大。
半强度角
正向电压
反向电流
修订版1.2 ， 30 -APR- 13
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
VLMO233U1AA
VLMO233U2V2-35
测试条件
I
F
= 20毫安
部分
VLMO233U1AA
VLMO233U2V2-35
符号
I
V
V
/I
V
d
p
V
F
I
R
1.8
600
602
分钟。
450
560
典型值。
760
760
3
605
605
611
17
± 60
2.1
0.01
2.6
10
611
609
马克斯。
1400
1120
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
nm
度
V
μA
文档编号： 82423
2
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威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMY233 ..，黄色
参数
发光强度
光通量/光强
主波长
峰值波长
光谱bandwidth
在50％的余
相对最大。
半强度角
正向电压
反向电流
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
V
R
= 5 V
测试条件
I
F
= 20毫安
部分
VLMY233T2V2
符号
I
V
V
/I
V
d
p
V
F
I
R
1.8
583
分钟。
355
典型值。
650
3
589
591
17
± 60
2.15
0.01
2.6
10
594
马克斯。
1120
单位
MCD
传销/ MCD
nm
nm
nm
度
V
μA
颜色分类
占主导地位的波长（nm ）
组
分钟。
1
2
3
4
5
6
记
波长都在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试。
611
614
AMBER
马克斯。
618
622
600
602
604
606
608
603
605
607
609
611
583
585
587
589
591
586
588
590
592
594
软橙
分钟。
马克斯。
分钟。
黄
马克斯。
发光强度分类
组
标准
T
U
V
A
1
2
1
2
1
2
A
B
亮度（mcd ）
可选
分钟。
280
355
450
560
710
900
1120
1400
马克斯。
355
450
560
710
900
1120
1400
1800
CROSSING表
日前，Vishay
VLMS233T1V1
VLMO233U2V2-35
VLMY233T2V2
欧司朗
LS M67F - S2U2-1
LO M67F - U2AB -24
LY M67F - T2V2-36
记
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试
和的± 11 ％的精度.
上述类型的数字表示的顺序基团
只包括几个亮度组。只有一组会
发货每个卷轴（会有两组中没有混合
每个卷轴） .
为了确保可用性，单颗亮度群体不会
被orderable.
以类似的方式对颜色，其中波长团是
测量并分级，单波长组将被运
在任何一个reel.
为了确保可用性，单波长组不会
可订购。
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如有技术问题，请联系：
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典型特征
(T
AMB
= 25
C,
除非另有规定编）
100
90
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
540 560 580 600 620 640 660 680
22184
威世半导体
软
橙
黄
AMBER
红
超级
红
I
F
- 最大。可允许的
正向电流（mA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
R
thJA
= 480 K / W
I
REL
- 相对强度
80
22583
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
λ
- Wavelenght （NM ）
图。 1 - 允许的最大正向电流与
环境温度
0°
10°
20°
30°
图。 4 - 相对强度与波长
100
I
V REL
- 相对发光强度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
- 角位移
I
F
- 正向电流（mA ）
黄
软
橙
AMBER
红
超级
红
10
1
0.6
95 10319
0.4
0.2
0
22185
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
F
- 正向电压（ V）
图。 2 - 相对发光强度与角位移
图。 5 - 正向电流与正向电压
0.12
I
V REL
- 相对发光强度
10
黄
软
橙
AMBER
红
超级
红
1
I
F
- 正向电流（ A）
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
t
p
/T = 0.005
0.05
0.5
0.1
0.01
1
22186
10
100
17044
t
p
- 脉冲宽度（S ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电流与脉冲宽度
图。 6 - 相对发光强度与正向电流
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威世半导体
ΔV
F
- 改变正向电压（MV ）
300
200
100
0
- 100
- 200
- 300
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
黄
软
橙
AMBER
红
超级
红
22187
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 更改正向电压与环境温度
2.5
I
V REL
- 相对发光强度
2.0
1.5
黄
软
橙
AMBER
红
1.0
超级
红
0.5
0
- 40 - 20
22188
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 相对发光强度与环境温度
Δλ
d
- 改变主波长（ nm）的
10
8
6
软
橙
4
2
0
-2
-4
-6
-8
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
AMBER
红
超级
红
黄
22189
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 9 - 改变主波长与环境温度
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