VLMW322..
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威世半导体
功率SMD LED PLCC- 4
特点
19210_1
描述
该VLMW322 ..白光LED来讲是一种先进的产品
的散热性。
这PLCC - 4表面贴装封装的引线框轮廓
优化，以减小热阻。
这允许更高的驱动电流和加倍的光输出
在PLCC - 2相比， Vishay的高强度SMD LED
标准包装。
产品组和包数据
产品组： LED
包装： SMD PLCC - 4
产品系列：电力
半强度角： ± 60 °
3阴极针， 1针阳极
高效的InGaN技术
超长续航时间，由于硅铸造
半强度角
= ± 60°
可在8毫米磁带
发光强度和颜色每分类
包装单位
每封装单位光强度比
I
VMAX 。
/I
VMIN 。
1.6
ESD耐压值：高达2千伏（ HBM ）
按照JESD22 - A114 -B
预处理：根据JEDEC Level 2a中
兼容红外回流焊，气相和波
根据CECC 00802和焊接工艺
J-STD-020
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
材质分类：对于合规的定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
相机闪光灯
信号，标志和符号的灯具
标志灯
汽车内部和外部照明灯（刹车灯，转向
灯，背光源，侧标志）
指示灯亮
通用和建筑照明
背光（广告，显示器， LCD，开关......）
零件表
部分
颜色
发光的
强度
（ MCD ）
分钟。典型值。马克斯。
VLMW322ABBB5K8L-08
VLMW322BACA5K8L-08
白
白
1400 2200 2850
1800 2800 3550
30
30
在我
F
（MA ）
坐标
（X， Y）的
分钟。典型值。马克斯。
-
-
0.33,
0.33
0.33,
0.33
-
-
30
30
在我
F
（MA ）
前锋
电压
(V)
分钟。典型值。马克斯。
2.9
2.9
3.4
3.4
4
4
30
50
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
在我
F
技术
（MA ）
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMW322..
参数
反向
电压
(1)
T
AMB
60 °C
t
p
10 μs
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境安装在印刷电路板（垫设计见第6页）
记
(1)
行驶在相反方向的LED适合于短期应用
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
PV
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
价值
5
50
0.3
200
125
- 40 + 110
- 40 + 110
300
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K / W
VLMW322..
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威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
VLMW322 ..，白
参数
发光强度
光通量
色度坐标x，y
ACC 。到1931年CIE
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
x的温度系数
Y的温度系数
测试条件
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
R
= 10 μA
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
I
F
= 30毫安
部分
VLMW322ABBB5K8L
VLMW322BACA5K8L
VLMW322ABBB5K8L
VLMW322BACA5K8L
符号
I
V
I
V
V
V
x
y
V
F
V
R
TC
VF
TC
IV
TC
x
TC
y
分钟。
1400
1800
-
-
-
-
-
2.9
5
-
-
-
-
典型值。
2200
2800
7000
8900
0.33
0.33
± 60
3.4
-
- 3.6
- 0.5
- 0.0002
- 0.0003
马克斯。
2850
3550
-
-
-
-
-
4
-
-
-
-
-
度
V
V
毫伏/ K
%/K
x / K
y / K
单位
MCD
MCD
传销
传销
发光强度分类
组
标准
AB
BA
BB
CA
光强度（ MCD ）
分钟。
1400
1800
2240
2850
马克斯。
1800
2240
2850
3550
记
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试
和的± 11 ％的精度.
上述类型的数字表示的顺序基团
只包括几个亮度组。只有一组会
发货每个卷轴（会有两组中没有混合
每个卷轴） .
为了确保可用性，单颗亮度群体不会
被orderable.
以类似的方式对颜色，其中波长团是
测量并分级，单波长组将被运
在任何一个reel.
为了确保可用性，单波长组不会
可订购。
色度与统筹组，用于白光SMD LED
X
0.291
5L
0.285
0.307
0.310
0.296
5K
0.291
0.310
0.313
0.310
6L
0.307
0.330
0.330
0.313
6K
0.310
0.330
0.330
Y
0.268
0.279
0.312
0.297
0.259
0.268
0.297
0.284
0.297
0.312
0.347
0.330
0.284
0.297
0.330
0.310
8K
8L
7K
7L
X
0.330
0.330
0.347
0.345
0.330
0.330
0.338
0.352
0.345
0.347
0.367
0.364
0.352
0.338
0.364
0.360
Y
0.330
0.347
0.371
0.352
0.310
0.330
0.342
0.344
0.352
0.371
0.401
0.380
0.344
0.342
0.380
0.357
记
色度坐标组被以25毫秒的脉冲电流的方向和±0.01的公差测试。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
60
50
40
30
20
10
0
0
21880
威世半导体
1.2
I
REL
- 相对发光强度
20
40
60
80
100
120
I
F
- 正向电流（mA ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
450
500
550
600
650
700
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21883
λ
- 波长（nm ）
图。 1 - 正向电流与环境温度
图。 4 - 相对强度与波长
I
V REL
- 相对发光强度
10
0°
10°
20°
30°
I
V REL
- 相对发光强度
1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.1
0.01
1
21881
10
100
95 10319
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 2 - 相对发光强度与正向电流
图。 5 - 相对发光强度与角位移
100
0.40
8L
I
F
- 正向电流（mA ）
0.35
8K
7L
7K
6L
Y坐标
10
0.30
5L
5K
6K
0.25
1
0
21882
1
2
3
4
5
0.20
0.25
19784_3
0.27
0.29
0.31
0.33
0.35 0.37
V
F
- 正向电压（ V）
图。 3 - 正向电流与正向电压
X坐标
图。 6 - 白色SMD分组
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- 角位移
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卷轴尺寸
以毫米为单位
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GS08 = 2000个
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