VLMB/BG/TG31..
威世半导体
标准的SMD LED PLCC- 2
特点
SMD LED具有出色的亮度
发光强度分类
与自动贴装
e3
设备
EIA和ICE标准封装
兼容红外回流焊，气相和波
根据CECC 00802和焊接工艺
J-STD-020B
可在8毫米磁带
薄型封装
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
铅（Pb ） - 免费的设备
预处理： ACC 。为JEDEC等级2A
ESD耐压值： > 1千伏ACC 。以MIL STD 883 D，
方法3015.7
应用
汽车：背光仪表板和
开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示灯和背光源的音频和视频
设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD，开关和符号
一般使用
19225
描述
此设备的设计，以满足日益增加的
对于InGaN技术的需求。
在VLMB / BG / TG31 ..的包是PLCC - 2 。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
产品组和包数据
产品组： LED
封装： SMD PLCC - 2
产品系列：标准
半强度角： ± 60 °
零件表
部分
VLMB3140-GS08
VLMB3140-GS18
VLMBG3100-GS08
VLMBG3100-GS18
VLMTG3100-GS08
VLMTG3100-GS18
颜色，发光强度
蓝，我
V
> 45 MCD
蓝，我
V
> 45 MCD
蓝绿色的，我
V
> MCD 140
蓝绿色的，我
V
> MCD 140
真正的绿色，我
V
> MCD 180
真正的绿色，我
V
> MCD 180
技术
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
氮化铟镓对SiC
文档编号81242
修订版1.1 ， 31 - 8 - 07
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1
VLMB/BG/TG31..
威世半导体
绝对最大额定值
1)
VLMB3140 ， VLMBG3100 ， VLMTG3100
参数
反向电压
2)
测试条件
T
AMB
≤
80 °C
t
p
≤
10 s
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
5
20
0.2
84
110
- 40至+ 100
- 40至+ 100
350
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/
环境
安装在PC板
（焊盘尺寸> 16毫米
2
)
R
thJA
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
驱动LED反向适合短期应用
光学和电学特性
1)
VLMB3140 ， BLUE
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
TC
V
TC
I
5
-4
- 0.4
民
45
462
典型值
100
470
464
± 60
3
4.2
476
最大
单位
MCD
nm
nm
度
V
V
毫伏/ K
%/K
光学和电学特性
1)
VLMBG3100 ，蓝色，绿色
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
TC
V
TC
I
民
140
496
典型值
220
505
502
± 60
3
最大
514
单位
MCD
nm
nm
度
4.2
V
V
毫伏/ K
%/K
5
-4
- 0.2
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威世半导体
光学和电学特性
1)
VLMTG3100 ，真正的绿色
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
V温度COEF网络cient
F
我的温度系数
V
注意：
1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 A
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
符号
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
TC
V
TC
I
5
- 3.5
- 0.3
民
180
515
典型值
300
528
522
± 60
3
4.2
541
最大
单位
MCD
nm
nm
度
V
V
毫伏/ K
%/K
发光强度分类
组
标准
P
Q
R
S
T
U
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
光强度（ MCD ）
可选
民
45
56
71
90
112
140
180
224
280
355
450
560
最大
56
71
90
112
140
180
224
280
355
450
560
710
注意：
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间进行测试和
的± 11 ％的精度。
上述类型的数字表示的顺序组，包括
只有少数亮度组。只有一组将被运上
每个卷轴（会有两个组在每个卷轴无搅拌） 。
为了确保可用性，单颗亮度集团将不
订购。
以类似的方式对颜色，其中波长团是
测量并分级，单波长组将被运上
任何一个趔趄。
为了保证可用性，单波长组将不
订购。
CROSSING表
日前，Vishay
VLMB3140
VLMBG3100
VLMTG3100
欧司朗
LBT673
LVT673
LTT673
颜色分类
蓝
组
分钟。
2
3
4
5
6
458
462
466
470
474
马克斯。
464
468
472
476
480
496
500
504
508
502
506
510
514
515
521
527
533
523
529
535
541
蓝绿色
大教堂。波长（nm ）
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
真正的绿色
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威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
25
I
V
REL
- 相对发光强度
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
400
16069
蓝
I
F
- 正向电流（mA ）
20
15
10
5
0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100 110
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
420
440
460
480
500
520
540
560
16806
λ
-
波长
（纳米）
图1.正向电流与环境温度的InGaN
图4.相对强度与波长
100
90
I
F
- 正向电流（mA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2.0
19918
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
16070
1.2
1.1
蓝
绿色
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
420 440 460 480 500 520 540 560 580 600
λ
-
波长
（纳米）
V
F
- 前进
电压
(V)
图2.正向电流与正向电压
I
VREL
- 相对发光强度
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
I
V
REL
- 相对发光强度
图5.相对强度与波长
10
I
VREL
- 相对发光强度
1
0.1
0.01
16194
1.2
1.1
真正的绿色
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
460 480 500 520 540 560 580 600 620
λ
-
波长
（纳米）
16068
图3.具体的光通量与正向电流
图6.相对强度与波长
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