VLMO30 .., VLMS30 .., VLMY30 ..
威世半导体
低电流SMD LED
特点
SMD LED具有出色的亮度
与自动贴装
设备
EIA和ICE标准封装
兼容红外回流焊,气相
并根据波峰焊接工艺
CECC 00802及J- STD- 020
可在8毫米磁带
薄型封装
非扩散镜头:优秀的耦合光
管和背光
极低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX 。
/I
VMIN 。
≤
1.6
根据高达2千伏: ESD耐压
JESD22-A114-B
预处理:根据JEDEC Level 2a中
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
应用
汽车:背光仪表板和
开关
电信:指示器和背光
电话及传真
指示灯和背光源的音频和视频
设备
指示灯和背光的电池驱动设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD,开关和符号
一般使用
19225
描述
这些新设备的设计,以满足
为的AllnGaP需求的增加基于低电流
贴片发光二极管。
在VLM.30 ..的包是PLCC -2封装。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
产品组和包数据
产品组: LED
封装: SMD PLCC - 2
产品系列:低电流
半强度角: ± 60 °
零件表
部分
VLMS3000-GS08
VLMS3000-GS18
VLMS30J1K2-GS08
VLMS30J1K2-GS18
VLMS30K1L2-GS08
VLMS30K1L2-GS18
颜色,发光强度
超红,我
V
> 2.8 MCD
超红,我
V
> 2.8 MCD
超红,我
V
= ( 4.5 11.2 ) MCD
超红,我
V
= ( 4.5 11.2 ) MCD
超红,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
超红,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
技术
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
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修订版1.2 , 01日-12月09
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www.vishay.com
1
VLMO30 .., VLMS30 .., VLMY30 ..
威世半导体
零件表
部分
VLMS30J1L2-GS08
VLMS30J1L2-GS18
VLMS30J2K2-GS08
VLMS30J2K2-GS18
VLMS30K2L2-GS08
VLMO3000-GS08
VLMO3000-GS18
VLMO30K1L2-GS08
VLMO30K1L2-GS18
VLMO30L1M2-GS08
VLMO30L1M2-GS18
VLMO30K1M2-GS08
VLMO30K1M2-GS18
VLMY3000-GS08
VLMY3000-GS18
VLMY3001GS08
VLMY3001-GS18
VLMY30J2L1-GS08
VLMY30J2L1-GS18
VLMY30K2M1-GS08
VLMY30K2M1-GS18
VLMY30J2M1-GS08
VLMY30J2M1-GS18
颜色,发光强度
超红,我
V
= (4.5 18) mcd的
超红,我
V
= (4.5 18) mcd的
超红,我
V
= ( 5.6 11.2 ) MCD
超红,我
V
= ( 5.6 11.2 ) MCD
超红,我
V
= ( 918 ) MCD
橙,我
V
> 5.6 MCD
橙,我
V
> 5.6 MCD
橙,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
橙,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
橙,我
V
= ( 11.2 28 ) MCD
橙,我
V
= ( 11.2 28 ) MCD
橙,我
V
= ( 7.1 28 ) MCD
橙,我
V
= ( 7.1 28 ) MCD
黄色,我
V
> 4.5 MCD
黄色,我
V
> 4.5 MCD
黄色,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
黄色,我
V
= ( 7.1 18 ) MCD
黄色,我
V
= ( 5.6 14 ) MCD
黄色,我
V
= ( 5.6 14 ) MCD
黄色,我
V
= ( 9 22.4 ) MCD
黄色,我
V
= ( 9 22.4 ) MCD
黄色,我
V
= ( 5.6 22.4 ) MCD
黄色,我
V
= ( 5.6 22.4 ) MCD
技术
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AllnGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
的AlInGaP
绝对最大额定值
1)
VLM30..
参数
反向电压
2)
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/
安装在PC板
环境
(焊盘尺寸> 16毫米
2
)
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
行驶在相反的方向上的发光二极管,适用于短期应用
t
p
≤
10 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
价值
6
15
0.1
40
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K / W
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VLMO30 .., VLMS30 .., VLMY30 ..
威世半导体
光学和电学特性
1)
VLMS30 .., RED
参数
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 2毫安
发光强度
2)
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX 。
/I
VMIN 。
≤
1.6
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
R
= 10 A
部分
VLMS3000
VLMS3000
VLMS30J1K2
VLMS30K1L2
VLMS30J1L2
VLMS30J2K2
VLMS30K2L2
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
6
4.5
7.1
4.5
5.6
9
624
635
± 60
1.8
15
2.2
分钟。
2.8
20
11.2
18
18
11.2
18
636
典型值。
马克斯。
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
光学和电学特性
1)
VLMO30 .., ORANGE
参数
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 10毫安
发光强度
2)
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX 。
/I
VMIN 。
≤
1.6
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
R
= 10 A
部分
VLMO3000
VLMO3000
VLMO30K1L2
VLMO30L1M2
VLMO30K1M2
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
6
7.1
11.2
7.1
600
610
± 60
1.8
15
2.2
分钟。
5.6
50
18
28
28
609
典型值。
马克斯。
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
光学和电学特性
1)
VLMY30 ..,黄色
参数
测试条件
I
F
= 2毫安
I
F
= 10毫安
发光强度
2)
I
F
= 10毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
注意:
1)
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
2)
在一个包装单位I
VMAX 。
/I
VMIN 。
≤
1.6
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3
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
F
= 2毫安
I
R
= 10 A
部分
VLMY3000
VLMY3000
VLMY3001
VLMY30J2L1
VLMY30K2M1
VLMY30J2M1
符号
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
6
7.1
5.6
9
5.6
581
585
± 60
1.8
15
2.2
分钟。
4.5
50
18
14
22.4
22.4
594
典型值。
马克斯。
单位
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
VLMO30 .., VLMS30 .., VLMY30 ..
威世半导体
发光强度分类
组
标准
H
J
K
L
M
注意:
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间进行测试和
的± 11 %的精度。上述类型的数字表示的顺序
grous包括只有几个亮度组。只有一组
出货量将在一个卷轴(会有两组中没有混合
每一个卷) 。为了确保可用性,单颗亮度群体
会不会是订购。以类似的方式对颜色,其中
波长组进行测量并分级,单波长
组出货量将在任何一个趔趄。为了确保可用性,
单波长组不会订购。
光强度( MCD )
可选
分钟。
马克斯。
1
2.8
3.55
2
1
2
1
2
1
2
1
2
3.55
4.5
5.6
7.1
9.0
11.2
14.0
18.0
22.4
4.5
5.6
7.1
9.0
11.2
14.0
18.0
22.4
28.0
颜色分类
组
1
2
3
4
5
6
黄
橙
大教堂。波长(nm )
分钟。
马克斯。
分钟。
马克斯。
581
584
583
585
587
589
591
586
588
590
592
594
600
602
604
606
603
605
607
609
注意:
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
CROSSING表
日前,Vishay
VLMO30K1L2
VLMO30K1M2
VLMO30L1M2
VLMS30J1K2
VLMS30J1L2
VLMS30K1L2
VLMY30J2L1
VLMY30J2M1
VLMY30K2M1
欧司朗
LOT67K-K1L2
LOT67K-K1M2
LOT67K-L1M2
LST67K-J1K2
LST67K-J1L2
LST67K-K1L2
LYT67K-J2L1
LYT67K-J2M1
LYT67K-K2M1
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
25
1000
t
p
/T= 0.01
I
F
- 正向电流(mA )
20
I
F
- 正向电流(mA )
0.02
0.05
100
0.1
15
10
0.2
0.5
10
0.01
1
0.1
1
10
100
5
0
0
18254
20
40
60
80
100
17557
T
AMB
- 环境温度( ° C)
t
p
- 脉冲持续时间(毫秒)
图1.正向电流与环境温度
图2.正向电流与脉冲宽度
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VLMO30 .., VLMS30 .., VLMY30 ..
威世半导体
0°
10°
20°
30°
2.50
I
V
REL
- 相对发光强度
I
V
REL
- 相对发光强度
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
黄
橙
红
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
- 角位移
0
- 40
18251
- 20
0
20
40
60
80
100
95 10319
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图3.相对。发光强度与角位移
图6.相对。发光强度与环境温度
1.2
2.00
橙
黄
红
黄
I
V
REL
- 相对发光强度
V
F REL
- 前进
电压
(V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
540
1.95
1.90
1.85
1.80
1.75
1.70
1.65
- 40
橙
红
580
620
660
700
18266
λ
-
波长
(纳米)
- 20
0
20
40
60
80
100
18252
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图4.相对强度与波长
图7.正向电压与环境温度
100
I
F
- 正向电流(mA )
10
1
1
95 10878
1.5
2
2.5
3
V
F
- 前进
电压
(V)
图5.正向电流与正向电压
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