VLMRY3420
威世半导体
发光强度分类和集团组合， VLMRY3420
1)
红
T2
355 450 mcd的
Y
E
L
L
O
W
1)
U1
450 560 mcd的
VLMRY3420
VLMRY3420
VLMRY3420
U2
560 710 mcd的
VLMRY3420
VLMRY3420
VLMRY3420
V1
710 900 mcd的
VLMRY3420
VLMRY3420
VLMRY3420
U2
560 710 mcd的
V1
710 900 mcd的
V2
900到1120 mcd的
VLMRY3420
VLMRY3420
VLMRY3420
注意：
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间和的± 11 ％的精度进行测试。
颜色分类
占主导地位的波长（nm ）
组
民
1
2
3
4
5
6
581
583
585
587
589
591
黄
最大
584
586
588
590
592
594
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
60
I
F
-forward电流（mA ）
50
40
2芯片上
30
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100 110 120
20087
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
对于一个芯片
只有操作
10
1
10
2
t
p
/T = 0.005
0.05
0.5
1芯片
T
am
b
- 环境温度（ ° C）
0.00
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
20085
t
p
- 脉冲宽度（S ）
图1.正向电流与环境温度
文档编号81304
修订版1.2 ， 06 09月07
I
F
- 正向电流（ A）
图2.正向电流与脉冲持续时间
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3
VLMRY3420
威世半导体
0°
10°
20°
30°
I
V
REL
- 相对发光强度
100
90
I
F
- 正向电流（mA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
V
F
- 前进
电压
(V)
AMBER
黄
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
95 10319
20170
图3.相对。发光强度与角位移
图6.相对正向电压与环境温度
1.2
10
I
V
REL
- 相对发光强度
黄
I
V
REL
- 相对发光强度
黄
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
540
1
0.1
0.01
560
580
600
620
640
17018
1
10
I
F
- 正向电流（mA ）
100
16008
λ
-
波长
（纳米）
图4.相对强度与波长
图7.相对发光强度与正向电流
1.2
10.00
I
V
REL
- 相对发光强度
AMBER
AMBER
I
VREL
- 相对发光强度
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
1.00
0.10
570 580 590 600 610 620 630 640 650 660 670
20171
0.01
1.00
20172
λ
-
波长
（纳米）
10.00
I
F
- 正向电流（mA ）
100.00
图5.相对强度与波长
图8.相对发光强度与正向电流
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文档编号81304
修订版1.2 ， 06 09月07
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