VLMP23..
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威世半导体
微型SMD LED
特点
SMD LED的出色的亮度
发光强度分类
=兼容
设备
同
自动
放置
IR回流焊
可在8毫米磁带
薄型封装
19226
非扩散镜头:优秀的耦合
光管和背光
低功耗
发光强度
I
VMAX 。
/I
VMIN 。
1.6
AEC- Q101标准
材料分类:为符合定义
请参阅
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比
in
一
包装
单位
描述
新MiniLED系列已被设计在一个白色的小
SMT封装。该装置的特点是非常小的
打包2.3毫米×1.3毫米× 1.4毫米。该MiniLED是
小规模,高功率产品明显的解决方案,
预计到可靠的工作进行了艰苦卓绝的环境中。
这通常是在汽车和工业的情况下
应用程序。
应用
汽车:背光仪表板及开关
电信:
电话及传真
指标
和
背光
in
产品组和包数据
产品组: LED
封装: SMD MiniLED
产品系列:标准
半强度角: ± 60 °
指示灯和背光音频和视频设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD,开关和符号
零件表
部分
颜色
发光的
强度
( MCD )
分钟。典型值。马克斯。
VLMP23K2M2-GS08
VLMP23L2M2-GS08
纯绿
纯绿
9
14
-
-
28
28
20
20
在我
F
(MA )
波长
(纳米)
分钟。典型值。马克斯。
555
555
560
560
565
565
20
20
在我
F
(MA )
-
-
前锋
电压
(V)
分钟。典型值。马克斯。
2.2
2.2
2.6
2.6
20
20
的AlInGaP在GaAs
的AlInGaP在GaAs
在我
F
(MA )
技术
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
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参数
反向电压
(1)
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻结/环境
安装在印刷电路板(垫大小> 5
mm
2
)
T
AMB
80 °C
t
p
10 μs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
R
thJA
价值
5
30
0.1
80
125
- 40至+ 100
- 40至+ 100
580
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
K / W
记
(1)
行驶在相反的方向上的发光二极管,适用于短期应用
修订版1.3 , 22日, 13
文档编号: 81704
1
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威世半导体
光学和电学特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
VLMP23 ..,纯绿
参数
发光强度
(1)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
记
(1)
在一个封装单元I
VMAX 。
/I
VMIN 。
1.6
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10 μA
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
部分
VLMP23K2M2
VLMP23L2M2
符号
I
V
d
p
V
F
V
R
C
j
分钟。
9
14
555
-
-
-
5
-
典型值。
-
-
560
555
± 60
2.2
-
15
马克斯。
28
28
565
-
-
2.6
-
-
单位
MCD
nm
nm
度
V
V
pF
发光强度分类
组
标准
K
L
M
1
2
1
2
1
2
亮度(mcd )
可选
马克斯。
7.1
9
11.2
14
18
22.4
马克斯。
9
11.2
14
18
22.4
28
CROSSING表
日前,Vishay
VLMP23K2M2
VLMP23L2M2
欧司朗
LPM676-K2M1
LPM676-L1M2
颜色分类
纯绿
组
0
1
2
3
占主导地位的波长(nm )
分钟。
马克斯。
559
561
563
565
555
558
560
562
记
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试
和的± 11 %的精度.
上述类型的数字表示的顺序基团
只包括几个亮度组。只有一组会
发货每个卷轴(会有两组中没有混合
每个卷轴) 。为了保证可用性,单颗亮度
集团将不会被orderable.
以类似的方式对颜色,其中波长团是
测量并分级,单波长组将被运
在任何一个reel.
为了确保可用性,单波长组不会
可订购。
记
波长都在25毫秒的电流脉冲的持续时间测试。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
0°
35
10°
20°
30°
I
V REL
- 相对发光强度
40
I
F
- 正向电流(mA )
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
17524
T
AMB
- 环境温度( ° C)
95 10319_1
图。 1 - 正向电流与环境温度
修订版1.3 , 22日, 13
图。 2 - 相对。发光强度与角位移
文档编号: 81704
2
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- 角位移
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威世半导体
3.0
纯绿
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 50
18616
1.2
纯绿
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
500
520
540
560
580
600
I
V REL
- 相对发光强度
I
REL
- 相对强度
- 25
0
25
50
75
100
95 10325
λ
- 波长(nm )
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 6 - 相对。发光强度与
环境温度
图。 3 - 相对强度与波长
Δλ
d
- 改变的DOM 。波长(nm )
100
8
纯绿
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
- 50
18617
I
F
- 正向电流(mA )
10
1
1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
20150_1
- 25
0
25
50
75
100
V
F
- 正向电压( V)
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 变化的主波长与
环境温度
Δ
V
F
- 改变正向电压(MV )
10
I
VREL
- 相对发光强度
600
500
400
300
200
100
30毫安
纯绿
纯绿
1
0.1
0
- 100
- 200
- 300
- 50
- 25
0
25
50
75
100
10毫安
0.01
1
19111
10
I
F
- 正向电流(mA )
100
20758
T
AMB
- 环境温度( ° C)
图。 5 - 相对发光强度与
正向电流
图。 8 - 变革的正向电压 -
环境温度
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包装尺寸
以毫米为单位
威世半导体
16892
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卷轴尺寸
以毫米为单位
威世半导体
16938
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