VLMO31..
威世半导体
标准的SMD LED PLCC2
特点
铅（Pb ） - 免费的产品 - 符合RoHS标准
SMD LED具有出色的亮度
发光强度分类
e3
与自动贴装
设备
EIA和ICE标准封装
兼容红外回流焊，气相和波
根据CECC 00802和焊接工艺
J-STD-020C
可在8毫米磁带
薄型封装
非扩散镜头：优秀的耦合光
管和背光
低功耗
在一个包装单元发光强度比
I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
铅（Pb ） - 免费的设备
预处理： ACC 。为JEDEC等级2A
根据ESD耐压值高达2千伏
JESD22-A114-B
应用
汽车：背光仪表板和
开关
电信：指示器和背光
电话及传真
指示灯和背光源的音频和视频
设备
指示灯和背光办公设备
平板背光LCD，开关和符号
一般使用
94
8553
描述
该设备被设计为应用
需要较窄的亮度和颜色选择。
此器件的封装是PLCC -2。
它包括其中已经被嵌入在一个引线框架的
白色热塑塑料。这个包里面的反射器
充满了透明环氧树脂。
产品组和包数据
产品组： LED
封装： SMD PLCC - 2
产品系列：标准
半强度角： ± 60 °
零件表
部分
VLMO31J1K2-GS08
VLMO31J1K2-GS18
VLMO31J1L2-GS08
VLMO31J1L2-GS18
VLMO31K1L2-GS08
VLMO31K1L2-GS18
颜色，发光强度
软橙，我
V
= （ 4.5 11.2 ） MCD
软橙，我
V
= （ 4.5 11.2 ） MCD
软橙，我
V
= （4.5 18） mcd的
软橙，我
V
= （4.5 18） mcd的
软橙，我
V
= （ 7.1 18 ） MCD
软橙，我
V
= （ 7.1 18 ） MCD
技术
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
砷化镓上的GaP
文档编号81333
修订版1.2 ， 9月11日， 07
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1
VLMO31..
威世半导体
绝对最大额定值
1)
VLMO31..
参数
反向电压
2)
测试条件
T
AMB
≤
60 °C
t
p
≤
10 s
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
6
30
0.5
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
400
单位
V
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
t
≤
5s
安装在印刷电路板（垫大小> 16毫米）
2
T
sd
R
thJA
注意：
1)
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
2)
驱动LED反向适合短期应用
光学和电学特性
1)
VLMO31 ..， SOFT ORANGE
参数
发光强度
2)
主波长
峰值波长
半强度角
正向电压
反向电压
结电容
注意：
1)
T
AMB
= 25 ° C除非另有规定编
2)
在一个包装单位I
VMAX
/I
VMIN
≤
1.6
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
μA
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
部分
VLMO31J1K2
VLMO31J1L2
VLMO31K1L2
符号
I
V
I
V
I
V
λ
d
λ
p
V
F
V
R
C
j
6
15
民
4.5
4.5
7.1
598
605
± 60
2.0
2.8
典型值。
最大
11.2
18
18
611
单位
MCD
MCD
MCD
nm
nm
度
V
V
pF
发光强度分类
组
标准
J
K
L
M
注意：
发光强度是在25毫秒的电流脉冲的持续时间进行测试和
的± 11 ％的精度。
上述类型的数字表示的顺序组，包括
只有少数亮度组。只有一组将被运上
每个卷轴（会有两个组在每个卷轴无搅拌） 。
为了确保可用性，单颗亮度集团将不
订购。
以类似的方式对颜色，其中波长团是
测量并分级，单波长组将被运上
任何一个趔趄。
为了保证可用性，单波长组将不
订购。
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2
1
2
1
2
1
2
1
2
光强度（ MCD ）
可选
民
4.5
5.6
7.1
9.0
11.2
14.0
18.0
22.4
最大
5.6
7.1
9.0
11.2
14.0
18.0
22.4
28.0
CROSSING表
日前，Vishay
VLMO31J1K2
VLMO31J1L2
VLMO31K1L2
欧司朗
LOT670-J1K2
LOT670-J1L2
LOT670-K1L2
颜色分类
组
1
2
3
4
5
6
软橙
大教堂。波长（nm ）
分钟。
马克斯。
598
601
600
603
602
605
604
607
606
609
608
611
注意：
波长的光被在25毫秒和一个电流脉冲的持续时间测试
的±1纳米的准确度。
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修订版1.2 ， 9月11日， 07
VLMO31..
威世半导体
方法的录像/极性和磁带
和卷轴
SMD LED （ VLM.3 - 系列）
Vishay的LED的SMD封装在一个可用
抗静电8毫米泡罩带（按照
DIN IEC 40 （ CO） 564 ）的自动组件
插入。泡囊带是一种塑料条带
印象深刻组件腔，涵盖了顶带。
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
REEL包装尺寸在毫米
SMD LEDS ，磁带选GS18
（ = 8000 PCS 。 ）首选
120°
10.4
8.4
4.5
3.5
2.5
1.5
13.00
12.75
62.5
60.0
胶带
321
329
14.4最大。
18857
吸塑带
图11.卷尺寸 - GS18
焊接廓
IR回流焊温度曲线铅（ Pb）焊接
部件腔
预处理ACC 。为JEDEC等级2A
94
8670
300
255 °C
255°C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
VLM.3的录像...
温度（℃）
3.5
3.1
2.2
2.0
250
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
最大。 100秒
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
4.0
3.6
8.3
7.7
100
最大。斜坡上升3°C /秒
最大。斜坡下降6 ℃/秒
50
0
0
0.25
19470-2
50
100
150
时间（s）
200
250
300
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
最大。 2个周期不准
94
8668
图12. Vishay的无铅回流焊温度曲线
（符合J- STD- 020C ）
图9.磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
REEL包装尺寸在毫米
SMD LEDS ，磁带选GS08
（ = 1500 PCS ）。
温度（℃）
120°
10.0
9.0
TTW焊接
300
250
200
150
100
50
235 °C...260 °C
第一次
WAVE
约200多K / S
100 °C...130 °C
5s
（符合CECC00802 ）
948626-1
焊接温度
第二
WAVE
约2 k / s的
全行：典型
虚线：工艺限制
4.5
3.5
2.5
1.5
13.00
12.75
63.5
60.5
2 k / s的
强制冷却
约5 K. / s的
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
0
0
50
100
时间（s）
150
200
250
图13.光电器件的双波峰焊（全包）
180
178
14.4最大。
94
8665
图10.卷尺寸 - GS08
文档编号81333
修订版1.2 ， 9月11日， 07
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5
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