VLB10-12F
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI VLB10-12F
是专为
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
.125 NOM 。
，完全R
J
.125
产品特点：
Omnigold
金属化系统
最大额定值
F
C
D
E
I
GH
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.0 A
36 V
18 V
36 V
4.0 V
20瓦@ T
C
= 25 C
-65
O
C至+200
O
C
-65℃至+ 150℃
5.0 C / W
O
O
O
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
订货编号： ASI10732
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 15毫安
I
C
= 50毫安
T
C
= 25 C
O
NONETEST
条件
最小典型最大
18
36
4.0
1.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
I
E
= 2.5毫安
V
CB
= 12.5 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 12.5 V
V
CC
= 12.5 V
P
OUT
= 10 W
I
C
= 250毫安
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
5.0
200
65
16
60
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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VLB10-12F
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI VLB10-12F
是专为
12.5 V，大信号C类放大器
应用高达50 MHz 。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点：
共发射极
P
G
= 16分贝10W / 50兆赫
Omnigold
金属化系统
E
C
E
C
D
F
E
H I
.125 NOM 。
，完全R
J
.125
B
最大额定值
I
C
V
CBO
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
2.0 A
36 V
36 V
4.0 V
35瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
5.0 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
G
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.240 / 6.10
.255 / 6.48
订货编号： ASI10732
特征
符号
BV
首席执行官
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
I
C
= 15毫安
I
C
= 50毫安
I
E
= 2.5毫安
V
CB
= 15 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 15 V
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
最小典型最大
18
36
4.0
5.0
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
I
C
= 250毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 10 W
F = 50MHz的
5.0
200
65
V
CC
= 12.5 V
16
60
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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