SiC403
Vishay Siliconix公司
microBUCK
SiC403
6 A， 28 V集成降压稳压器，具有可编程LDO
描述
在日前，Vishay Siliconix的SiC403是一种先进的单机
同步降压型稳压器具有集成功率
MOSFET时，自举开关，并在一个可编程的LDO
节省空间的MLPQ 5× 5 - 32引脚封装。
该SiC403能够与全瓷解决方案的操作
和开关频率高达1 MHz 。可编程
频率同步运行和可选
节电允许操作可以在整个高效率
负载电流范围内。内部LDO可用于
提供5伏的栅极驱动电路，或者它可能被绕过
与外部的5V电压，以获得最佳效率和用于驱动
外部n沟道MOSFET或其他负载。另外
功能包括逐周期电流限制，电压
软启动，
欠压
保护，
可编程
过电流保护，软关断和选择
省电。在日前，Vishay Siliconix的SiC403还提供了一个
使能输入和电源良好输出。
特点
高效率> 95 ％
6连续输出电流能力
集成的自举开关
可编程200毫安LDO旁路逻辑
温度补偿的电流限制
伪固定频率自适应导通时间控制
全瓷解决方案使
可编程输入欠压锁定阈值
独立的使能引脚的转换器和LDO
可选择超声波省电模式
可编程软启动
软关断
1％的内部基准电压
电源良好输出
欠压及过电压保护
材质分类：对于合规的定义
请参阅
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产品概述
输入电压范围
输出电压范围
工作频率
连续输出电流
峰值效率
包
3 V至28 V
0.75 V至5.5 V
200千赫兹至1 MHz
6A
的95％ ，在300千赫兹
MLPQ 5毫米×5mm的
应用
笔记本电脑，台式机和服务器计算机
数字高清晰度电视和数字消费应用
网络和电信设备
打印机，DSL和机顶盒的应用
嵌入式应用
负载电源点
典型应用电路
3.3
V
EN / PSV （三态）
LDO_EN
EN \\ PSV
P
良好
V
OUT
A
GND
ENL
T
ON
P
良好
I
LIM
32 31 30 29 28 27 26 25
LX
LX
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
V
IN
1
2
3
4
5
6
8
10
11
24
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
V
OUT
垫1
A
GND
PAD 3
垫2
V
IN
NC
12
LX
13
23
22
21
20
19
18
17
LX
SS
7
BST
NC
14
SiC403 （ MLP 5× 5-32L ）
文档编号： 66550
S12-0628 -REV 。 C， 19 -MAR- 12
如需技术支持，请联系：
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P
GND
15
P
GND
V
IN
V
IN
V
IN
16
9
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SiC403
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引脚配置（顶视图）
EN \\ PSV
P
良好
A
GND
ENL
吨
I
LIM
32 31 30 29 28 27 26 25
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
SS
BST
1
2
3
4
5
6
7
8
V
IN
10
V
IN
11
NC
12
LX 13
NC
14
P
GND
15
P
GND
16
V
IN
9
垫2
V
IN
垫1
A
GND
PAD 3
LX
24
23
22
21
20
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
LX
LX
19 P
GND
18 P
GND
17 P
GND
引脚说明
引脚数
1
2
3
4 ，30， PAD 1
5
6 ， 9-11 ， PAD 2
7
8
12
13 ， 23-25 ， 28 ， PAD 3
14
15-22
26
27
29
31
32
符号
FB
V
OUT
V
DD
A
GND
FBL
V
IN
SS
BST
NC
LX
NC
P
GND
P
良好
I
LIM
EN / PSV
T
ON
ENL
描述
反馈输入开关稳压器。连接到一个外部电阻分压器从输出编程
输出电压。
输出电压输入到控制器。另外，可以使用由通LDO供应V
DD
直接。
偏压为内部逻辑电路和栅极驱动器。连接到外接5V电源或配置
内部LDO为5 V.
模拟地
反馈输入，内部LDO 。连接到从V外部电阻分压器
DD
到A
GND
到程序
LDO输出。
功率级输入（ HS FET漏极）
连接到一个外部电容到A
GND
编程软启动斜坡
引导针。电容器连接BST和LX之间提供HS驱动电压。
没有内部连接
交换节点（ HS FET的源代码和LS FET漏极）
没有内部连接
电源地（ LS FET源）
开漏电源良好指示器。外部上拉电阻。
连接到I之间的外部电阻
LIM
和LX超过限流方案
三态引脚。拉低到A
GND
禁用调节器。浮启用强制连续电流
模式。上拉至V
DD
启用节电模式。
连接到一个外部电阻到A
GND
程序上的时间
使能输入为内部LDO 。下拉到A
GND
禁用内部LDO 。
订购信息
产品型号
SiC403CD-T1-GE3
SiC403DB
包
MLPQ55-32
评估板
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功能框图
26
A
GND
4, 30,
垫1
参考
SS
7
软启动
LX
13日， 23日至25日，
28 ， PAD 3
V
DD
P
GND
零交叉
探测器
旁路比较
V
DD
3
V
DD
Y
A
B
MUX
5
FBL
V
IN
LDO
ENL
Valley1-Limit
15至22
I
LIM
27
控制和状态
V
DD
P
良好
29
EN / PSV
6 ， 9-11 ， PAD 2
V
IN
V
IN
V
DD
DL
BST
8
FB
1
T
ON
31
V
OUT
2
+
-
FB比较器
ON- TIME
发电机
栅极驱动器
控制
32
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
LX至P
GND
电压
LX至P
GND
电压（瞬态 - 100纳秒）
V
IN
以P
GND
电压
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
，在
GND
BST引导到LX ; V
DD
以P
GND
A
GND
以P
GND
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
, V
OUT
, V
LDO
， FB ， FBL到GND
t
ON
以P
GND
BST为P
GND
V
AG- PG
符号
V
LX
V
LX
V
IN
分钟。
- 0.3
-2
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
- 0.3
马克斯。
+ 30
+ 30
+ 30
V
DD
+ 0.3
+6
+ 0.3
+ (V
DD
+ 0.3)
+ (V
DD
- 1.5)
+ 35
V
单位
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
V
DD
以P
GND
V
OUT
以P
GND
符号
V
IN
V
DD
V
OUT
分钟。
3
3
0.75
典型值。
马克斯。
28
5.5
5.5
V
单位
注意：
对于正确的操作，该设备应在推荐的条件内使用。
热电阻额定值
参数
储存温度
最高结温
工作结温
符号
T
英镑
T
J
T
J
分钟。
- 40
-
- 25
典型值。
马克斯。
+ 150
150
+ 125
°C
单位
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热电阻额定值
参数
热阻，结到环境
高边MOSFET
低边MOSFET
PWM控制器和LDO热阻
峰值回流焊温度
T
回流
-
b
符号
分钟。
典型值。
25
20
50
马克斯。
单位
° C / W
260
°C
注意事项：
一。此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
B 。从封装在静止空气中计算，安装3× 4.5 （英寸） ， 4层FR4 PCB ，每JESD51标准的裸露焊盘下的散热孔。
超过上述规格可能会导致设备或设备故障造成永久性损坏。参数之外运行
specififed在电气特性部分，不推荐。
电气规格
参数
输入电源
V
IN
UVLO阈值电压
a
V
IN
UVLO迟滞
V
DD
UVLO阈值电压
V
DD
UVLO迟滞
V
IN
电源电流
V
IN_UV +
V
IN_UV-
V
IN_UV_HY
V
DD_UV +
V
DD_UV-
V
DD_UV_HY
EN / PSV ， ENL = 0 V ，V
IN
= 28 V
I
IN
待机模式：
ENL = V
DD
， EN / PSV = 0 V
EN / PSV ， ENL = 0 V
V
DD
电源电流
I
VDD
EN / PSV = V
DD
，无负载（F
SW
= 25千赫） ，
V
FB
> 750毫伏
f
SW
= 250 kHz时， EN / PSV =浮动，空载
b
25 ℃的台架测试
调节器
FB导通时间阈值
频带
b
自举开关电阻
定时
ON- TIME
最小导通时间
b
最小关断时间
b
软启动
软启动电流
b
模拟量输入/输出
V
OUT
输入阻抗
电流检测
过零检测器阈值电压
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好阈值电压
启动延迟时间
故障（噪声抗扰度）延迟时间
电源良好泄漏电流
电源良好导通电阻
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4
b
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V, V
DD
= 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
感测的ENL销，上升沿
感觉到在ENL引脚，下降沿
EN / PSV =高
测量V
DD
销，上升沿
测量V
DD
销，下降沿
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
2.4
2.235
2.5
2.4
2.6
2.4
0.2
2.8
2.6
0.2
8.5
130
3
2
2.95
2.565
3
2.9
20
A
7
V
mA
10
V
FB- TH
F
PWM
静伏
IN
和负载， - 40 ° C至+ 85°C
连续模式下， 25 ℃的台架测试
0.7425
200
0.750
10
0.7599
1000
V
千赫
t
ON
t
ON
t
关闭
I
SS
R
O型IN
V
某种意义上个
PG_V
TH_UPPER
PG_V
TH_LOWER
PG_T
d
PG_I
CC
PG_I
LK
PG_R
DS -ON
连续模式操作V
IN
= 15 V,
V
OUT
= 5 V ，R
吨
= 300 k
25 ℃的台架测试
25 ℃的台架测试
I
OUT
= I
LIM
/ 2 ，25°C基准测试
2386
2650
80
320
2.75
500
2915
ns
A
k
+ 3.5
mV
LX -P
GND
V
FB
>内参750毫伏
V
FB
<内参750毫伏
C
ss
- 10 nF的
V
EN
= 0 V ，25°C基准测试
V
EN
= 0 V
V
EN
= 0 V
- 3.5
0.5
+ 20
- 10
12
5
%
ms
s
1
A
10
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SiC403
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电气规格
参数
故障保护
I
LIM
源出电流
谷电流限制
输出欠压故障
智能节电保护
阈值电压
b
过压保护门限
过压故障延时
b
过温关闭
逻辑输入/输出
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
EN / PSV输入偏置电流
ENL输入偏置电流
FBL ， FB输入偏置电流
线性差稳压器
FBL精度
LDO电流限制
V
LDO
到V
OUT
切换门限
c
V
LDO
到V
OUT
非切换
LDO降稳压
d
门槛
c
V
LDO
到V
OUT
切换电阻
FBL
加
LDO_I
LIM
V
LDO - BPS
V
LDO - NBPS
R
LDO
V
OUT
= 5 V
从V
IN
到V
VLDO
, V
VLDO
= + 5 V,
I
VLDO
= 100毫安
V
LDO
负载= 10毫安
启动和折返，V
IN
= 12 V
工作电流限制，V
IN
= 12 V
134
- 130
- 500
2
1.2
0.735
0.750
115
200
+ 130
+ 500
0.765
V
mA
mV
V
V
IH
V
IL
I
EN
I
ENL
FBL_I
LK
EN ， ENL ， PSV
EN / PSV = V
DD
OR A
GND
V
IN
= 28 V
FBL ， FB = V
DD
OR A
GND
-1
1
0.4
- 10
11
+ 10
18
+1
A
V
b
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V, V
DD
= 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
LIM
R
ILIM
= 6 kV
DD
= 5 V,
25 ℃的台架测试
V
OUV_Fault
P
SAVE_VTH
V
FB
相对于内部500毫伏
基准，连续8个时钟
V
FB
相对于内部500毫伏
基准，25°C基准测试
V
FB
相对于内部500毫伏
参考
t
OV-延迟
T
关闭
25 ℃的台架测试
10 °C的迟滞，25°C基准测试
4.5
8
6
- 25
+ 10
7.2
A
A
%
%
+ 20
5
150
s
°C
注意事项：
A. V
在UVLO
是可编程的，使用从V的电阻分压器
IN
到ENL到A
GND
。的ENL电压进行比较的内部参考。
B 。通过设计保证。
。的切换阈值是V之间的最大电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销可确保V
LDO
将内部
切换到V
OUT
。非切换的阈值是V之间的最小电压的diff erential
LDO
和V
OUT
销，它们可确保
V
LDO
不会切换到V
OUT
.
。该LDO辍学电压是使LDO输出降至2 ％，低于标称稳压点的电压。
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SiP12107
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5 V ， 3 A电流模式恒定导通时间
同步降压稳压器
描述
该SiP12107是高频电流模式恒定
导通时间（ CM - COT ）与同步降压稳压器
集成的高侧和低侧功率MOSFET。其
功率级能够提供3的连续电流
在4MHz的开关频率。该稳压器产生
可调输出电压低至0.6 V的2.8 V至5.5 V
输入轨，以适应各种应用，
包括计算，消费电子，电信和
工业。
SiP12107的CM- COT架构提供超快速
以最小的输出电容的瞬态响应和
严格的监管纹波在负载很轻。无ESR或外部
ESR网络所需的环路稳定性的目的。该
器件还集成了节能方案，该方案
显著提高轻负载效率。
该稳压器集成了完整的保护功能集，
包括输出过压保护（ OVP ） ，输出下
电压保护（ UVP ）和热关断（ OTP ） 。它
也有UVLO输入轨和内部软启动斜坡。
该SiP12107可在无铅（Pb） -free动力增强
MLP - 16L封装3毫米x 3毫米的尺寸。
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
2.8 V至5.5 V的输入电压
可调输出电压降至0.6 V
3连续输出电流
可编程开关频率高达4MHz的
95 ％的峰值效率
支持全陶瓷电容设计无需外部ESR
超快瞬态响应
可选节电模式或强制电流模式
± 1 ％的准确度
脉冲逐脉冲电流限制
可扩展与SiP12108 - 5A
全面保护， OTP ， SCP ， UVP ， OVP
P
良好
指标
符合RoHS指令2011/65 / EU
应用
笔记本电脑
台式电脑和服务器
手持设备
的POL电信
消费类电子产品
工业和自动化
典型应用电路和封装选项
PWR_SAVE_MODE
启用
动力
良好
输入= 2.8 V至5.5 V
V
IN
PGD
EN AUTO
LX
V
OUT
V
FB
GMO
A
GND
R
ON
V
OUT
AV
IN
P
GND
图。 1 - 典型应用电路SiP12107
S12-0412 -REV 。 B， 20 -FEB- 12
1
文档编号： 63395
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SiP12107
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条件
参考P
GND
参考一
GND
参考P
GND
参考一
GND
极限
- 0.3-6
- 0.3-6
- 0.3-6
- 0.3 + 0.3
- 0.3至AV
IN
+ 0.3
150
- 65 150
V
单位
绝对最大额定值
电气参数
V
IN
AV
IN
LX
A
GND
以P
GND
所有逻辑输入
温度
马克斯。工作结温
储存温度
功耗
结到环境热阻
(R
thJA
)
最大功率耗散
ESD保护
HBM
2
kV
环境温度= 25°C
环境温度= 100℃
36.3
3.4
1.3
° C / W
W
°C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
推荐工作范围
电气参数
V
IN
AV
IN
LX
V
OUT
环境温度
最低
2.8
2.8
-1
0.6
典型
-
-
-
-
- 40-85
最大
5.5
5.5
5.5
0.85× V
IN
°C
V
单位
S12-0412 -REV 。 B， 20 -FEB- 12
2
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测试条件除非另有
特定网络版
V
IN
= AV
IN
= 3.3 V ，T
A
= - 40 ° C至85°C
范围
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电气规格
参数
电源
电源输入电压范围
偏置输入电压范围
输入电流
关断电流
AV
IN
UVLO阈值
AV
IN
UVLO迟滞
PWM控制器
反馈参考
V
FB
输入偏置电流
跨
COMP源电流
COMP灌电流
开关频率范围
最小导通时间
最小关断时间
软启动时间
集成型MOSFET
高边导通电阻
低边导通电阻
故障保护
过流限制
输出过压保护阈值
输出的UVP阈值
过温保护
电源良好
电源良好输出阈值
电源良好导通电阻
电源良好延迟时间
启用阈值
逻辑高电平
逻辑低电平
1.5
-
-
-
-
0.4
V
V
FB
上述0.6 V基准电压上升
V
FB
跌破0.6 V基准电压源
-
-
-
-
20
- 10
30
6
-
-
-
-
%
μs
电感谷值电流
V
FB
相对于0.6 V基准电压源
升温
迟滞
-
-
-
-
-
4.5
20
- 25
160
35
-
-
-
-
-
A
%
°C
V
IN
= 3.3 V
-
-
56
33
-
-
m
设计Guaranted
设计Guaranted
V
OUT
= 1.2 V，R 1
ON
= 100 k
V
FB
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= - 40 ° C至+ 85°C
0.594
0.591
-
-
-
-
0.2
-
-
-
0.600
0.600
2
1
50
50
-
50
120
1.5
0.606
0.609
200
-
-
-
4
-
-
-
V
nA
mS
μA
兆赫
ns
ms
V
IN
AV
IN
IV
IN_NOLOAD
IV
IN_SHDN
AV
IN
, U
VLO
U
VLOHYS
器件的开关，我
O
= 0 A,
R
on
= 100 k ， AUTO =低
EN = 0 V
AV
IN
上升沿
2.8
2.8
-
-
-
-
-
-
1000
6
2.55
300
5.5
5.5
-
12
-
-
V
mV
V
符号
μA
S12-0412 -REV 。 B， 20 -FEB- 12
3
文档编号： 63395
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受到特定的免责声明，阐明的AT
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SiP12107
www.vishay.com
功能框图
Vishay Siliconix公司
7
2
6
5
3
1,16
AGND
8
GMO
AV
IN
P
良好
AUTO
EN
V
IN
OTP
0.6 V
参考
V
IN
UVLO
软
开始
V
IN
+
+ OTA
9
+
ON- TIME
发电机
-
PWM比较器
-
V
FB
控制
逻辑
部分
ANTI- XCOND
控制
LX
11,12,13
V
IN
我-V
变流器
I
SENSE
ZCD
R
ON
4
P
GND
14,15
-
V
OUT
10
OCP
+
0.45 V
+
0.72 V
-
OV比较
紫外线比较
当前
镜
V
FB
PAD
I
SENSE
图。 2 - SiP12107功能框图
订购信息
产品型号
SIP12107DMP-T1-GE3
SIP12107DB
包
QFN33-16L
参考板
记号
（2号线： P / N ）
2107
P / N
AA
W11B
格式：
1号线：点
线路2 ： P / N
线路2：
Siliconix公司
徽标+ ESD
符号
3号线：工厂代码+年代码+工作周典+批次编号
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SiP12107
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引脚配置
P
GND
P
GND
Vishay Siliconix公司
V
IN
16
V
IN
1
15
14
13
12 LX
11 LX
10 V
OUT
9 V
FB
AV
IN
2
EN
R
ON
3
4
5
AUTO
6
PGD
7
GMO
8
A
GND
MLPQ
3
x
3
- 16L
图。 3 -
SiP12107引脚配置（顶视图）
引脚配置
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
名字
V
IN
AV
IN
EN
R
ON
AUTO
PGD
GMO
A
GND
V
FB
V
OUT
LX
LX
LX
P
GND
P
GND
V
IN
功能
输入电源电压功率MOS 。 V
IN
= 2.8 V至5.5 V
输入电源电压为内部电路。 AV
IN
= 2.8 V至5.5 V
使能引脚。启用> 1.5 V
R的外部电阻
ON
和GND上设置时间的切换。
设置切换模式，自动为AV
IN
= PWM ， AUTO和GND =轻负载模式
电源良好输出。漏极开路。
连接到一个外部RC网络的环路补偿和软化功能
模拟地
反馈电压。 0.6 V（典型值）。
V
OUT
，输出电压检测连接
开关量输出，电感连接点
开关量输出，电感连接点
开关量输出，电感连接点
电源地
电源地
输入电源电压功率MOS 。 V
IN
= 2.8 V至5.5 V
S12-0412 -REV 。 B， 20 -FEB- 12
LX
5
文档编号： 63395
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SiC414 ， SiC424
Vishay Siliconix公司
6 A， microBUCK
SiC414 ， SiC424
集成降压稳压器采用5 V LDO
描述
在日前，Vishay Siliconix的SiC414和SiC424是高级
独立同步降压型稳压器具有集成
功率MOSFET ，自举开关，以及内部5 V
LDO
在一个节省空间的PowerPAK MLP44-28L包。
该SiC414和SiC424能够与所有经营
陶瓷溶液和开关频率高达1 MHz 。
可编程频率同步的动作，
可选择省电模式允许工作在高效率
在整个负载电流范围内。内部LDO可
用于提供5伏的栅极驱动电路，或者它可以是
绕过一个外部5V电压，以获得最佳效率和
用于驱动外部n沟道MOSFET或其他负载。
其他功能包括逐周期电流限制，
电压软启动，欠压保护，可编程
过电流保护，软关断和选择
省电。在日前，Vishay Siliconix的SiC414和SiC424还
提供了一个使能输入和电源良好输出。
特点
高效率> 95 ％
6连续输出电流能力
集成的自举开关
集成5 V / 200毫安LDO旁路逻辑
温度补偿的电流限制
伪固定频率自适应接通时间
控制
全瓷解决方案使
可编程输入欠压锁定阈值
独立的使能引脚的转换器和LDO
可选择超声波省电模式（ SiC414 ）
可选择省电模式（ SiC424 ）
内部软启动和软关断
1％的内部基准电压
电源良好输出和过压保护
材质分类：对于合规的定义
请参阅
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产品概述
输入电压范围
输出电压范围
工作频率
连续输出电流
峰值效率
包
3 V至28 V
0.75 V至5.5 V
200千赫兹至1 MHz
6A
95 %
的PowerPAK MLP44-28L
应用
笔记本电脑，台式机和服务器计算机
数字高清晰度电视和数字消费应用
网络和电信设备
打印机，DSL和机顶盒的应用
嵌入式应用
负载电源点
典型应用电路和封装选项
LDO_EN
V
OUT
P
良好
EN / PSV （三态）
3.3
V
28 27 26 25 24
吨
ENL
A
GND
EN / PSV
LX
1 FB
23 22
P
良好
I
LIM
V
OUT
LX 21
LX 20
P
GND
19
2
V5V
3 A
GND
V
IN
4
V
OUT
5
V
IN
6
V
LDO
PAD1
A
GND
PAD3
LX
PAD2
V
IN
P
GND
P
GND
18
P
GND
17
P
GND
16
P
GND
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
8
9
10 11 12
LX
7 BST
LX 15
13 14
文档编号： 63388
S13-0248 -REV 。 B， 04 -FEB- 13
如有技术问题，请联系：
powerictechsupport@vishay.com
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1
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SiC414 ， SiC424
Vishay Siliconix公司
引脚配置
（ TOP VIEW ）
EN / PSV
吨
ENL
P
良好
21
20
PAD3
LX
PAD2
V
IN
10
11
12
13
14
19
18
17
16
15
8
9
A
GND
28 27 26 25
FB
V5V
A
GND
V
OUT
V
IN
V
LDO
BST
1
2
3
4
5
6
7
PAD1
A
GND
24 23 22
LX
LX
P
GND
P
GND
P
GND
P
GND
LX
V
IN
V
IN
V
IN
V
IN
LX
P
GND
I
LIM
引脚说明
引脚数
1
2
3 ，26， PAD 1
4
5,8至11 ， PAD 2
6
7
12
15 ， 20 ， 21 ， PAD 3
13 ，第14，第16至19
22
23
24
符号
FB
V5V
A
GND
V
OUT
V
IN
V
LDO
BST
LXBST
LX
P
GND
P
良好
I
LIM
LXS
描述
反馈输入开关用于设置输出电压稳压器 - 连接到一个外部电阻器
从V分频器
OUT
到A
GND
.
输入偏置内部模拟电路和栅极驱动器 - 连接到外部的3 V或5 V电源或偏见
连接到V
LDO
.
模拟地。
切换器输出电压检测引脚，并且也输入到内部切换V之间
OUT
和V
LDO
.
输入电源电压。
5 V LDO输出。
引导针 - 从BST连接一个电容， LXBST发展的浮动电源的高侧栅极
驾驶。
LX升压 - 连接到BST电容。
开关（一期）节点。
电源地。
开漏电源良好指示器。高阻抗指示电源良好。一个外部上拉电阻
所需。
限流检测引脚 - 用于编程的电流限制由我连接一个电阻
LIM
到LXS 。
LX感 - 连接至R
ILIM
电阻器。
启用/节电输入的开关稳压器 - 连接到
GND
以禁用开关稳压器。
漂浮在强制连续模式（节电禁用）进行操作。
对于SiC414 ，连接到V5V用超声波功率运行省电模式启用。
对于SiC424 ，连接到V5V与省电没有最低频率启动模式下运行。
导通时间的编程输入 - 通过一个电阻，以所述的连接设置导通时间
GND
.
使能输入的LDO - ENL连接到A
GND
禁用LDO 。与逻辑开车到+ 3 V逻辑
控制或程序的V
IN
UVLO与V之间的电阻分压器
IN
， ENL和A
GND
.
25
EN / PSV
27
28
t
ON
ENL
订购信息
产品型号
SiC414CD-T1-GE3
SiC424CD-T1-GE3
SiC414DB
包
的PowerPAK MLP44-28
的PowerPAK MLP44-28
参考板
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2
如有技术问题，请联系：
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P
GND
LX
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SiC414 ， SiC424
Vishay Siliconix公司
功能框图
2
V5V
V5V
22
P
良好
25
EN / PSV
5,
8
至11日， PAD2
V
IN
V
IN
A
GND
3 ， 26 ， PAD1
参考
控制和状态
V5V
DL
BST
7
软启动
LX
12, 15, 20, 21,
24 PAD3
V5V
P
GND
零交叉
探测器
旁路比较
V
LDO
6
Y
A
B
MUX
V
IN
LDO
ENL
Valley1-Limit
13 ，第14，第16至19
I
LIM
23
FB
1
吨
27
V
OUT
4
+
-
FB比较器
ON- TIME
发电机
栅极驱动器
控制
28
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
电气参数
V
IN
LX
LX （瞬态<为100 ns）
EN / PSV ，P
良好
, I
LIM
V
OUT
, V
LDO
， FB
V5V
t
ON
BST
ENL
A
GND
以P
GND
温度
最高结温
储存温度
功耗
结到环境热阻（R
thJA
)
b
最大功率耗散
ESD保护
HBM
2
kV
芯片组
环境温度= 25°C
环境温度= 100℃
43
3.4
1.3
° C / W
W
150
- 65 150
°C
条件
以P
GND
以P
GND
以P
GND
到GND
到GND
以P
GND
以P
GND
到LX
以P
GND
范围
- 0.3 + 30
- 0.3 + 30
- 2 + 30
- 0.3 + （ V5V + 0.3 ）
- 0.3 + （ V5V + 0.3 ）
- 0.3 + 6
- 0.3 + （ V5V - 1.5 ）
- 0.3 + 6
- 0.3 + 35
- 0.3 V
IN
- 0.3 + 0.3
V
单位
超越那些在"Absolute最大Ratings"上市强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，
并且该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
不是暗示。暴露在绝对最大额定值/长时间条件下可能影响器件的可靠性。
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S13-0248 -REV 。 B， 04 -FEB- 13
如有技术问题，请联系：
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SiC414 ， SiC424
Vishay Siliconix公司
推荐工作范围
（所有电压参考GND = 0V）
参数
V
IN
V5V为P
GND
V
OUT
以P
GND
温度
推荐环境温度
- 40-85
°C
分钟。
3
3
0.75
典型值。
马克斯。
28
5.5
5.5
V
单位
注意：
对于正确的操作，该设备应在推荐的条件内使用。
电气规格
参数
输入电源
V
IN
UVLO阈值电压
a
（不适用于V5V < 4.5 V ）
V
IN
UVLO迟滞
V5V UVLO阈值电压
V
DD
UVLO迟滞
V
IN
电源电流
V
UVLO
V
UVLO_Hys
V
UVLO
V
UVLO_Hys
EN / PSV ， ENL = 0 V ，V
IN
= 28 V
I
IN
待机模式：
ENL = V5V ， EN / PSV = 0 V
EN / PSV ， ENL = 0 V ， V5V = 5 V
EN / PSV ， ENL = 0 V ， V5V = 3 V
SiC414 ， EN / PSV = V5V ，空载，
(f
sw
= 25千赫） ，V
FB
> 0.75 V
b
V5V电源电流
I
DD
SiC424 ， EN / PSV = V5V ，空载，
V
FB
> 0.75 V
b
V5V = 5 V，F
sw
= 250千赫，
EN / PSV =浮动，空载
b
V5V = 5 V，F
sw
= 250千赫，
EN / PSV =浮动，空载
b
调节器
FB比较器的阈值
范围
b
V
FB
f
sw
静伏
IN
和负载， - 40 ° C至+ 85°C ，
V5V = 3 V或5 V
连续模式
频率
最小f
SW
（仅SiC414 ）
EN / PSV = V5V ，空载
0.7425
200
25
10
连续模式操作V
IN
= 15 V,
V
OUT
= 3 V，F
SW
= 300千赫，R
吨
= 133 k
V5V = 5 V
V5V = 3 V
0.750
0.7575
1000
千赫
V
测量V
DD
销，上升沿
测量V
DD
销，下降沿
2.5
2.4
感测的ENL销，上升沿
感觉到在ENL引脚，下降沿
2.4
2.23
2.6
2.4
0.2
2.9
2.7
0.2
8.5
130
3
2
1
0.4
mA
4
2.5
7
20
A
3.0
2.9
2.95
2.57
V
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V ， V5V = 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
自举开关电阻
定时
ON- TIME
最小导通时间
b
最小关断时间
b
软启动
软启动时间
b
模拟量输入/输出
V
OUT
输入阻抗
电流检测
过零检测器阈值电压
www.vishay.com
4
V
某种意义上个
LX -P
GND
-3
R
O型IN
t
SS
t
ON
t
开，分
t
关，分钟。
1350
1500
80
320
390
1.7
500
0
1650
ns
ms
k
+3
mV
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文档编号： 63388
S13-0248 -REV 。 B， 04 -FEB- 13
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SiC414 ， SiC424
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电气规格
参数
电源良好
电源良好阈值电压
启动延迟时间
（ PWM的启用和P
良好
HIGH ）
故障（噪声抗扰度）延迟时间
b
电源良好泄漏电流
电源良好导通电阻
故障保护
谷电流限制
I
LIM
源出电流
I
LIM
比较器的失调电压
输出欠压故障
智能节电保护
阈值电压
b
过压保护门限
过压故障延时
b
过温关闭
逻辑输入/输出
逻辑输入高电压
逻辑输入低电压
EN / PSV
输入PSAVE操作
b
EN / PSV
输入强制连续工作
b
EN / PSV输入禁用切换
EN / PSV输入偏置电流
ENL输入偏置电流
FB输入偏置电流
线性差稳压器
V
LDO
准确性
LDO电流限制
V
LDO
到V
OUT
切换门限
c
V
LDO
到V
OUT
非切换的阈值
V
LDO
到V
OUT
切换电阻
LDO降稳压
d
c
b
符号
测试条件除非指定
V
IN
= 12 V ， V5V = 5 V ，T
A
= + 25℃ （典型值） ，
- 40 ° C至+ 85°C为分钟。和最大，
T
J
= < 125°C
上限，V
FB
>内参750毫伏
下限，V
FB
<内参750毫伏
V5V = 5 V
V5V = 3 V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
PG_V
TH_UPPER
PG_T
d
PG_I
CC
PG_I
LK
PG_R
DS -ON
+ 20
- 10
4
2
5
1
10
%
ms
s
A
5
+8
A
A
mV
V5V = 5 V ，R
ILIM
= 5 k
I
LIM
V
ILM -LK
V
OUV_Fault
P
SAVE_VTH
相对于
GND
V
FB
相对于内部750毫伏
基准，连续8个时钟
V
FB
相对于内部750毫伏
参考
V
FB
相对于内部750毫伏
参考
t
OV-延迟
T
关闭
V
IH
V
IL
10 °C的迟滞
3
-8
4
8
0
- 25
+ 10
+ 20
5
150
%
s
°C
ENL
1
0.4
45
100
V
％ V5V的
1V
0
I
EN
FBL_I
LK
V
LDO_ACC
LDO_I
LIM
V
LDO - BPS
V
LDO - NBPS
R
LDO
V
OUT
= 5 V
从V
IN
到V
VLDO
, V
VLDO
= 5 V,
I
VLDO
= 100毫安
EN / PSV = V5V或A
GND
V
IN
= 28 V
FB = V5V或A
GND
V
LDO
负载= 10毫安
启动和折返，V
IN
= 12 V
工作电流限制，V
IN
= 12 V
135
- 140
- 450
2
1.2
-1
4.9
5
115
200
+ 140
+ 450
- 10
11
42
0.4
+ 10
18
+1
5.1
%
V
A
V
mA
mV
V
注意事项：
A. V
在UVLO
是可编程的，使用从V的电阻分压器
IN
到ENL到A
GND
。的ENL电压进行比较的内部参考。
B 。通过设计保证。
。的切换阈值是V之间的最大电压差
LDO
和V
OUT
销可确保V
LDO
将内部
切换到V
OUT
。非切换的阈值是V之间的最小电压差是
LDO
和V
OUT
销，它们可确保
V
LDO
不会切换到V
OUT
.
。该LDO辍学电压是使LDO输出降至2 ％，低于标称稳压点的电压。
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