VDI 75-12P1七75-12P1
VID 75-12P1 VIO 75-12P1
IGBT模块
在ECO -PAC 2
短路SOA能力
广场RBSOA
初步数据表
VIO
IJK
I
C25
= 92 A
= 1200 V
V
CES
V
CE （ sat）的典型值。
= 2.7 V
第七
OP9
VID
IK10
VDI
AC1
L9
X13
X15
SV18
L9
NTC
T16
PS18
A
S
LMN
E2
GH10
NTC
L9
X15
F1
X15
NTC
X16
AC1
X16
B3
销arangement看到轮廓
K10
VX18
X16
IK10
IGBT的
符号
V
CES
V
GES
I
C25
I
C80
I
CM
V
CEK
t
SC
（ SCSOA ）
P
合计
符号
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
RBSOA ，钳位感性负载; L = 100 μH
V
CE
= V
CES
; V
GE
= ±15 V ;
G
= 22
;
T
VJ
= 125°C
不重复
T
C
= 25°C
条件
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
1200
± 20
92
62
100
V
CES
10
379
V
V
A
A
A
s
W
特点
NPT IGBT的
- 正温度系数
饱和电压
- 快速切换
FRED二极管
- 快速反向恢复
- 低正向电压
行业标准包装
- 焊引脚用于PCB安装
- 孤立DCB陶瓷基板
优势
空间和减轻重量
降低保护电路
用膨胀弯曲导线的应力释放
典型应用
AC和DC电机控制
交流伺服和机器人的驱动器
电源
焊接逆变器
特征值
(T
VJ
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.7
3.0
4.5
3.2
6.5
3.7
12.5
200
100
70
500
70
9.1
6.7
3.3
0.66
V
V
V
mA
mA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
0.33 K / W
K / W
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
I
CES
I
GES
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
R
thJC
R
thJH
I
C
= 75 A; V
GE
= 15 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
I
C
= 2毫安; V
GE
= V
CE
V
CE
= V
CES
;
V
GE
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
CE
= 0 V; V
GE
=
±
20 V
感性负载，T
VJ
= 125°C
V
CE
= 600 V ;我
C
= 60 A
V
GE
= 15/0 V ;
G
= 22
V
CE
= 25 V; V
GE
= 0 V ; F = 1 MHz的
（每个IGBT ）
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有 2003 IXYS所有权利。
1-4
303
VDI 75-12P1七75-12P1
VID 75-12P1 VIO 75-12P1
反向二极管（ FRED ）
符号
I
F25
I
F80
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
R
thJH
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
条件
I
F
= 60 A;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
最大额定值
103
65
A
A
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
2.28
1.67
41
200
1.32
2.6
V
V
A
ns
0.66 K / W
K / W
I
F
= 60 A;迪
F
/ DT = 500 A / μs的;牛逼
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
与散热器化合物（ 0.42 K / m.k的; 50微米）
B3
温度传感器NTC
符号
R
25
B
25/50
模块
符号
T
VJ
T
英镑
V
ISOL
M
d
a
符号
d
S
d
A
重量
VID
I
ISOL
≤
1毫安; 50/60赫兹
安装扭矩（ M4 ）
马克斯。允许加速
条件
表面爬电距离
（引脚到散热片）
在空袭的距离
（引脚到散热片）
条件
最大额定值
-40...+150
-40...+150
3000
1.5 - 2.0
14 - 18
50
°C
°C
V~
Nm
lb.in.
M / S
2
条件
中T = 25℃
特征值
分钟。典型值。马克斯。
4.75
5.0
3375
5.25 k
K
VIO
特征值
分钟。典型值。马克斯。
11.2
11.2
24
mm
mm
g
VDI
根据IEC 60747和指单个晶体管或二极管，除非另有说明数据。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有 2003 IXYS所有权利。
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303
VDI 75-12P1七75-12P1
VID 75-12P1 VIO 75-12P1
24
mJ
E
on
120
ns
90
t
D（上）
t
60
t
r
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 22
T
J
= 125°C
81T120
12
mJ
600
E
关闭
ns
500
t
D（关闭）
400 t
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
G
= 22
T
J
= 125°C
10
E
关闭
18
8
6
4
12
300
200
t
f
81T120
6
E
on
30
2
0
100
0
0
0
20
40
60
I
C
0
0
20
40
60
80
I
C
80
100
A
100 A
B3
图。 7典型。开启能量和交换
图。 8典型。关闭能源和开关
时间与集电极电流
时
与集电极电流
240
20
mJ
E
on
15
V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
J
= 125°C
10
mJ
V
CE
= 600 V
t
D（上）
E
on
ns
180
t
E
关闭
t
D（关闭）
E
关闭
1500
ns
1200
t
900
600
300
8
6
V
GE
= ±15 V
I
C
= 50 A
T
J
= 125°C
10
t
r
120
4
60
5
2
0
81T120
0
81T120
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R
G
0
t
f
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R
G
0
图。 9典型。开启能量和交换
图。 10典型。关闭能源和开关
时间与栅极电阻
时
与栅极电阻
1
K / W
0,1
Z
thJC
二极管
120
A
100
I
CM
80
60
40
20
0
0
200
400
600
V
CE
81T120
R
G
= 22
T
J
= 125°C
V
CEK
＆ LT ; V
CES
0,01
0,001
0,0001
IGBT
单脉冲
VID...75-12P1
800 1000 1200
V
0,00001
0,00001 0,0001
0,001
0,01
t
0,1
s
1
图。 11反向偏置安全工作区
图。 12
典型值。瞬态热阻抗
RBSOA
303
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有 2003 IXYS所有权利。
4-4
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