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V30120S & VI30120S
新产品
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.402 V ，在我
F
= 5 A
特点
沟道MOS肖特基技术
TO-220AB
K
TO-262AA
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
3
2
V30120S
销1
3脚
销2
例
3
1
VI30120S
销1
3脚
销2
K
2
1
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管的ORing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
j
马克斯。
30 A
120 V
300 A
0.70 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB & TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
每腿重复峰值反向电流在t
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V30120S
120
30
300
1.0
10000
- 20至+ 150
VI30120S
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安牛逼
j
= 25 °C
在我
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
在我
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
T
j
= 25 °C
V
F
T
j
= 125 °C
0.402
0.582
0.698
-
-
0.75
符号
V
（ BR ）
典型值。
120 （最小）
0.478
0.648
0.854
马克斯。
-
-
-
0.95
V
单位
V
正向电压
(1)
文档编号88974
27-Jul-06
www.vishay.com
1
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在V
R
= 90 V
反向电流
(1)
在V
R
= 120 V
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
符号
典型值。
14.2
11.3
I
R
47.3
23.5
马克斯。
-
-
500
35
单位
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V30120S
2.2
VI30120S
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
V30120S-E3/45
VI30120S-E3/4W
单位重量（g ）
1.884
1.456
封装代码
45
4W
基地数量
50/Tube
50/Tube
配送方式
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
35
负载电阻或电感
30
D = 0.8
25
D = 0.3
20
D = 0.2
D = 1.0
D = 0.1
15
平均正向电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
平均功耗（ W）
D = 0.5
10
5
T
D = TP / T
0
5
10
15
20
25
tp
30
35
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
www.vishay.com
2
文档编号88974
27-Jul-06
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
300
10000
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
150
100
结电容（pF ）
1
10
100
250
1000
50
0
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
图6.典型结电容
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
j
= 150 °C
10
T
j
= 125 °C
1
1
T
j
= 25 °C
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的正向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向电流（mA ）
T
j
= 150 °C
10
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向漏电特性
文档编号88974
27-Jul-06
www.vishay.com
3
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务- 220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
TO-262AA
0.411 (10.45)
马克斯。
30 ° （典型值）
（ REF ）
0.250 (6.35)
分钟。
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
K
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
www.vishay.com
4
文档编号88974
27-Jul-06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
V30120S ， VF30120S ， VB30120S & VI30120S
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.43 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
V30120S
销1
销2
例
3
1
VF30120S
销1
销2
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀为商业级，符合JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
1
3脚
3脚
TO-263AB
K
K
TO-262AA
A
NC
1
VB30120S
NC
A
K
散热器
2
3
VI30120S
销1
销2
K
3脚
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
30 A
120 V
300 A
0.74 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V30120S
VF30120S
120
30
300
1500
- 40 + 150
VB30120S
VI30120S
单位
V
A
A
V
°C
文档编号： 88974
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
V30120S ， VF30120S ， VB30120S & VI30120S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
V
R
= 90 V
反向电流
(2)
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
120 （最小）
0.50
0.70
0.99
0.43
0.60
0.74
18
12
I
R
-
22
马克斯。
-
-
-
1.10
V
-
-
0.82
-
-
500
35
A
mA
A
mA
单位
V
正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V30120S
1.6
VF30120S
4
VB30120S
1.6
VI30120S
1.6
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V30120S-E3/4W
VF30120S-E3/4W
VB30120S-E3/4W
VB30120S-E3/8W
VI30120S-E3/4W
单位重量（g ）
1.88
1.76
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
40
30
负载电阻或电感
35
D = 0.5
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
平均功耗（ W）
V(B,I)30120S
30
25
20
15
10
5
安装在专用散热器
0
0
25
50
75
100
125
150
175
VF30120S
25
D = 0.3
20
D = 0.2
D = 1.0
D = 0.1
T
10
15
5
D =吨
p
/T
t
p
0
0
5
10
15
20
25
30
35
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88974
修订： 19 08年5月
V30120S ， VF30120S ， VB30120S & VI30120S
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
A
= 150 °C
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)30120S
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
结到外壳
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
VF30120S
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 88974
修订： 19 08年5月
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3
V30120S ， VF30120S ， VB30120S & VI30120S
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
NC
K
A
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前，Vishay
放弃
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本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
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修订： 18 -JUL- 08
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新产品
V30120S ， VI30120S
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.43 V ，在我
F
= 5 A
特点
TMBS
TO-220AB
沟道MOS肖特基技术
TO-262AA
K
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
2
V30120S
销1
3
1
VI30120S
销1
销2
K
2
3
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
1
销2
例
典型应用
为在高频DC / DC变换器使用，开关
电源，续流二极管， OR- ing二极管，和
电池反接保护。
3脚
3脚
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
30 A
120 V
300 A
0.74 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 262AA
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V30120S
120
30
300
10 000
- 40 + 150
VI30120S
单位
V
A
A
V / μs的
°C
文档编号： 89152
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新产品
V30120S ， VI30120S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
正向电压
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
V
R
= 90 V
反向电流
V
R
= 120 V
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R (2)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
V
F (1)
符号
典型值。
0.50
0.70
0.99
0.43
0.60
0.74
18
12
-
22
马克斯。
-
-
1.10
V
-
-
0.82
-
-
500
35
μA
mA
μA
mA
单位
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V30120S
1.6
VI30120S
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-220AB
TO-262AA
记
(1)
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
首选的P / N
V30120S-M3/4W
VI30120S-M3/4W
V30120SHM3/4W
(1)
VI30120SHM3/4W
(1)
单位重量（g ）
1.88
1.45
1.88
1.45
封装代码
4W
4W
4W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
管
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V30120S ， VI30120S
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
40
100
正向平均整流电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
安装在
具体
散热器
0
0
25
50
75
100
125
150
175
瞬时反向电流（mA ）
负载电阻或电感
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
外壳温度（ ° C）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 1 - 正向电流降额曲线
图。 4 - 典型的反向特性
30
D = 0.5
25
D = 0.8
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
1000
D = 0.3
20
D = 0.2
15
D = 0.1
10
T
D = 1.0
结电容（pF ）
平均功耗（ W）
100
5
D =吨
p
/T
0
0
5
10
15
20
25
30
35
t
p
10
0.1
1
10
100
平均正向电流（ A）
反向电压（ V）
图。 2 - 正向功率损耗特性
图。 5 - 典型结电容
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
10
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 典型的正向特性
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
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新产品
V30120S ， VI30120S
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
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可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
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V30120S & VI30120S
新产品
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.402 V ，在我
F
= 5 A
特点
沟道MOS肖特基技术
TO-220AB
K
TO-262AA
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
浸焊260℃ 40秒
3
2
V30120S
销1
3脚
销2
例
3
1
VI30120S
销1
3脚
销2
K
2
1
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管的ORing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
j
马克斯。
30 A
120 V
300 A
0.70 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB & TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
每腿重复峰值反向电流在t
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V30120S
120
30
300
1.0
10000
- 20至+ 150
VI30120S
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安牛逼
j
= 25 °C
在我
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
在我
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
T
j
= 25 °C
V
F
T
j
= 125 °C
0.402
0.582
0.698
-
-
0.75
符号
V
（ BR ）
典型值。
120 （最小）
0.478
0.648
0.854
马克斯。
-
-
-
0.95
V
单位
V
正向电压
(1)
文档编号88974
27-Jul-06
www.vishay.com
1
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在V
R
= 90 V
反向电流
(1)
在V
R
= 120 V
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
符号
典型值。
14.2
11.3
I
R
47.3
23.5
马克斯。
-
-
500
35
单位
A
mA
A
mA
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V30120S
2.2
VI30120S
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
V30120S-E3/45
VI30120S-E3/4W
单位重量（g ）
1.884
1.456
封装代码
45
4W
基地数量
50/Tube
50/Tube
配送方式
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
35
负载电阻或电感
30
D = 0.8
25
D = 0.3
20
D = 0.2
D = 1.0
D = 0.1
15
平均正向电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
平均功耗（ W）
D = 0.5
10
5
T
D = TP / T
0
5
10
15
20
25
tp
30
35
0
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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27-Jul-06
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
300
10000
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
150
100
结电容（pF ）
1
10
100
250
1000
50
0
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
图6.典型结电容
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
j
= 150 °C
10
T
j
= 125 °C
1
1
T
j
= 25 °C
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的正向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向电流（mA ）
T
j
= 150 °C
10
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向漏电特性
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3
V30120S & VI30120S
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务- 220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
TO-262AA
0.411 (10.45)
马克斯。
30 ° （典型值）
（ REF ）
0.250 (6.35)
分钟。
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
K
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
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或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
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文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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