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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第82页 > VHFD29-16IO1
VHFD 29
半控
单相整流桥
包括续流二极管和二极管场
V
RRM
= 800-1600 V
I
DAVM
= 32 A
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
3
1 2
5
VHFD 29-08io1
VHFD 29-12io1
VHFD 29-14io1
VHFD 29-16io1
6
8
10
大桥和续流二极管
符号
I
DAV
I
DAVM
x
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
H
= 85°C ,模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
( di / dt的)
cr
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
28
32
25
300
330
270
300
440
455
365
370
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
特点
与DCB陶瓷封装基座
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
阻断电压高达1600 V
低正向压降
信息适用于PC板焊锡
UL注册的电子72873
q
q
q
q
q
q
q
应用
供应直流电源设备
直流电机控制
q
q
T
VJ
= 125°C
重复的,我
T
= 50 A
F = 50 Hz时,T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的,我
T
= 0.5 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
( VJ )M
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 (线性电压升高)
T
VJ
= T
VJM
I
T
= 0.5 I
DAVM
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
q
q
q
500
1000
10
10
5
1
0.5
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
mm
mm
M / S
2
Nm
lb.in.
g
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
( dv / dt的)
cr
V
RGM
P
GM
尺寸(mm) (1毫米= 0.0394" )
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
d
S
d
A
a
M
d
重量
版权所有2000 IXYS所有权利。
50/60赫兹, RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
-40...+125
125
-40...+125
3000
3600
12.7
9.4
50
2-2.5
18-22
35
表面的爬电距离
在空袭的距离
马克斯。允许加速
安装力矩
(M5)
( 10-32 UNF )
1-3
VHFD 29
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
, I
F
= 45 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
典型值。
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
1.6
0.9
15
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
150
75
1.4
0.35
2.0
0.5
mA
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
1000
s
t
gd
100
典型值。
极限
T
VJ
= 25°C
0.1
1
1
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
2
3
6
4
5
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
女士;
di
G
/ DT = 0.3 A / MS;
I
GD
, T
VJ
= 125°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
1
10
100
1000
I
G
mA
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 0.5V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
≤ 125 ° C,I
T
= 15 A,T
P
= 300
女士,
V
R
= 100 V
的di / dt = -10 A / MS ,的dv / dt = 20 V / ms的,V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管(二极管) ;直流电流
每个模块
每个晶闸管(二极管) ;直流电流
每个模块
图。 1,门极触发范围
10
现场二极管
符号
I
FAV
I
FAVM
I
疲劳风险管理
I
FSM
测试条件
T
H
= 85°C ,每二极管
每二极管
每二极管
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
V
R
= V
RRM
I
F
= 21 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
= 125°C)
每个二极管;直流电流
每个二极管;直流电流
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
吨= 10毫秒( 50赫兹) ,正弦
吨= 8.3毫秒( 60赫兹) ,正弦
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
最大额定值
4
4
6
100
110
85
94
50
50
36
37
1
0.15
1.83
0.9
50
4.4
5.2
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
mA
mA
V
V
mW
K / W
K / W
1
10
100
I
G
1000毫安
图。 2门控制延迟时间t
gd
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-3
750
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管,除非另有说明。
x
对于阻性负载
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
VHFD 29
70
A
60
I
F
50
40
30
20
10
0
0.0
40
240
A
50Hz时, 80 %的V
RRM
2
10
3
A
2
s
V
R
= 0 V
典型值。
200
I
FSM
160
T
VJ
= 45°C
It
T
VJ
= 45°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 25°C
马克斯。
120
10
2
80
T
VJ
= 125°C
0.5
1.0
V
F
1.5
V 2.0
0
0.001
10
1
0.01
0.1
t
s
1
1
2
3
4 5 6 7 MS10
89
t
图。 3正向电流随电压
每个二极管压降
100
W
图。 4浪涌过载电流
图。 5我
2
吨与每个二极管的时间
35
R
thHA
:
80
P
合计
60
0.5 K / W
A
30
I
D( AV )M
25
20
15
10
1.0 K / W
1.5
2.0
3.0
4.0
6.0
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
40
20
5
0
0
5
10
15
20
25
I
D( AV )M
30 A 35
0
0
20
40
60
80
100 120 °C
140
T
AMB
0
0
20
40
60
80 100 120 °C
T
H
图。 6功耗与直接输出电流和环境温度
2.5
K / W
2.0
Z
thJH
1.5
图。 7最大。正向电流随
散热器温度
常量Z的
thJH
计算方法:
1.0
i
0.5
R
THI
(K / W)
0.007
0.266
1.127
0.6
t
i
(s)
0.008
0.05
0.06
0.25
1
2
3
4
0.01
0.1
1
t
s
10
0.0
0.001
图。 8瞬态热阻抗结到散热器
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VHFD29-16IO1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:823639999 复制

电话:021-51097965
联系人:杨全兴
地址:松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
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电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
VHFD29-16IO1
IXYS
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一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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电话:18913062888
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MODULE
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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