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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第159页 > VHFD16-14IO1
VHFD 16
半控
单相整流桥
包括续流二极管和二极管场
V
RRM
= 800-1600 V
I
DAVM
= 21 A
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
3
1 2
5
VHFD 16-08io1
VHFD 16-12io1
VHFD 16-14io1
VHFD 16-16io1
6
8
10
大桥和续流二极管
符号
I
DAV
I
DAVM
x
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
H
= 85°C ，模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
It
2
最大额定值
16
21
15
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
150
170
130
140
110
120
85
80
150
A
A
A
A
A
A
A
As
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
2
特点
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
阻断电压高达1600 V
低正向压降
信息适用于PC板焊锡
UL注册的电子72873
q
q
q
q
q
q
q
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
应用
供应直流电源设备
直流电机控制
q
q
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= 125°C
重复的，我
T
= 50 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 0.5 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= 0.5 I
DAVM
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
10
5
1
0.5
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
mm
mm
M / S
2
Nm
lb.in.
g
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
d
S
d
A
a
M
d
重量
版权所有2000 IXYS所有权利。
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
-40...+125
125
-40...+125
3000
3600
12.7
9.4
50
2-2.5
18-22
35
表面的爬电距离
在空袭的距离
马克斯。允许加速
安装力矩
(M5)
（ 10-32 UNF ）
1-3
VHFD 16
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
, I
F
= 45 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
典型值。
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
2.55
1.0
40
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
150
75
2.4
0.6
3.0
0.75
mA
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
1000
s
t
gd
100
典型值。
极限
T
VJ
= 25°C
0.1
1
1
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
2
3
6
4
5
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
女士;
di
G
/ DT = 0.3 A / MS;
I
GD
, T
VJ
= 125°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
1
10
100
1000
I
G
mA
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 0.5V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
≤ 125 ° C，I
T
= 15 A，T
P
= 300
女士，
V
R
= 100 V
的di / dt = -10 A / MS ，的dv / dt = 20 V / ms的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
图。 1，门极触发范围
10
现场二极管
符号
I
FAV
I
FAVM
I
疲劳风险管理
I
FSM
测试条件
T
H
= 85°C ，每二极管
每二极管
每二极管
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
V
R
= V
RRM
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
最大额定值
4
4
6
100
110
85
94
50
50
36
37
1
0.15
1.83
0.9
50
4.4
5.2
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
mA
mA
V
V
mW
K / W
K / W
1
10
100
I
G
1000毫安
图。 2门控制延迟时间t
gd
I
F
= 21 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
= 125°C)
每个二极管;直流电流
每个二极管;直流电流
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-3
750
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
x
对于阻性负载
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
VHFD 16
70
A
60
I
F
50
120
A
100
I
FSM
50Hz时， 80 ％的V
RRM
10
3
As
2
V
R
= 0 V
典型值。
马克斯。
T
VJ
= 45°C
80
It
2
T
VJ
=125°C
40
T
VJ
= 25°C
30
T
VJ
= 45°C
60
10
2
40
20
10
0
0
1
2
V
F
3
V
4
20
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 125°C
0
0.001
10
1
0.01
0.1
t
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 910
ms
t
图。 3正向电流随电压
每个二极管压降
90
W
80
图。 4浪涌过载电流
图。 5我
2
吨与每个二极管的时间
25
R
thHA
:
70
P
合计
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
I
D（ AV ）M
A
0
25
0
20
40
60
80
100 120 °C
140
T
AMB
A
I
D（ AV ）M
20
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
6.0
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
15
10
5
0
0
20
40
60
80 100 120 °C
T
H
图。 6功耗与直接输出电流和环境温度
3.5
K / W
3.0
Z
thJH
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.001
图。 7最大。正向电流随
散热器温度
常量Z的
thJH
计算方法：
i
1
2
3
4
0.01
0.1
1
t
s
10
R
THI
（K / W）
0.01
0.4
1.69
0.9
t
i
(s)
0.008
0.05
0.06
0.25
图。 8瞬态热阻抗结到散热器
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-3
VHFD 16
半控
单相整流桥
包括续流二极管和二极管场
V
RRM
= 800-1600 V
I
DAVM
= 21 A
V
RSM
V
帝斯曼
V
900
1300
1500
1700
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
3
1 2
5
VHFD 16-08io1
VHFD 16-12io1
VHFD 16-14io1
VHFD 16-16io1
6
8
10
大桥和续流二极管
符号
I
DAV
I
DAVM
x
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
H
= 85°C ，模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
It
2
最大额定值
16
21
15
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
150
170
130
140
110
120
85
80
150
A
A
A
A
A
A
A
As
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
2
特点
与DCB陶瓷基板封装
隔离电压3600 V
平面钝化芯片
阻断电压高达1600 V
低正向压降
信息适用于PC板焊锡
UL注册的电子72873
q
q
q
q
q
q
q
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
应用
供应直流电源设备
直流电机控制
q
q
q
q
q
（ di / dt的）
cr
T
VJ
= 125°C
重复的，我
T
= 50 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 0.5 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= 0.5 I
DAVM
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
10
5
1
0.5
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
mm
mm
M / S
2
Nm
lb.in.
g
优势
容易用两个螺丝安装
空间和减轻重量
提高温度和功率
循环
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
d
S
d
A
a
M
d
重量
版权所有2000 IXYS所有权利。
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
T = 1分
t=1s
-40...+125
125
-40...+125
3000
3600
12.7
9.4
50
2-2.5
18-22
35
表面的爬电距离
在空袭的距离
马克斯。允许加速
安装力矩
(M5)
（ 10-32 UNF ）
1-3
VHFD 16
符号
I
R
, I
D
V
T
, V
F
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
测试条件
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
, I
F
= 45 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
= 125°C)
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= -40°C
T
VJ
= 125°C
典型值。
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
特征值
5
0.3
2.55
1.0
40
1.0
1.2
65
80
50
0.2
5
150
200
100
100
2
150
75
2.4
0.6
3.0
0.75
mA
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
ms
ms
mC
K / W
K / W
K / W
K / W
1000
s
t
gd
100
典型值。
极限
T
VJ
= 25°C
0.1
1
1
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125°C
V
V
G
2: I
GT
, T
VJ
= 25°C
3: I
GT
, T
VJ
= -40°C
2
3
6
4
5
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A;吨
G
= 30
女士;
di
G
/ DT = 0.3 A / MS;
I
GD
, T
VJ
= 125°C
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 1 W
6: P
GM
= 10 W
1
10
100
1000
I
G
mA
I
H
t
gd
t
q
Q
r
R
thJC
R
thJH
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 0.5V
DRM
I
G
= 0.3 A;迪
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
≤ 125 ° C，I
T
= 15 A，T
P
= 300
女士，
V
R
= 100 V
的di / dt = -10 A / MS ，的dv / dt = 20 V / ms的，V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
每个晶闸管（二极管） ;直流电流
每个模块
图。 1，门极触发范围
10
现场二极管
符号
I
FAV
I
FAVM
I
疲劳风险管理
I
FSM
测试条件
T
H
= 85°C ，每二极管
每二极管
每二极管
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
R
V
F
V
T0
r
T
R
thJC
R
thJH
V
R
= V
RRM
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
T
VJ
= T
VJM
T
VJ
= 25°C
最大额定值
4
4
6
100
110
85
94
50
50
36
37
1
0.15
1.83
0.9
50
4.4
5.2
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
mA
mA
V
V
mW
K / W
K / W
1
10
100
I
G
1000毫安
图。 2门控制延迟时间t
gd
I
F
= 21 A;牛逼
VJ
= 25°C
对于只功率损耗的计算（T
VJ
= 125°C)
每个二极管;直流电流
每个二极管;直流电流
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2-3
750
根据IEC 60747的数据和指单个晶闸管/二极管，除非另有说明。
x
对于阻性负载
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
VHFD 16
70
A
60
I
F
50
120
A
100
I
FSM
50Hz时， 80 ％的V
RRM
10
3
As
2
V
R
= 0 V
典型值。
马克斯。
T
VJ
= 45°C
80
It
2
T
VJ
=125°C
40
T
VJ
= 25°C
30
T
VJ
= 45°C
60
10
2
40
20
10
0
0
1
2
V
F
3
V
4
20
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 125°C
0
0.001
10
1
0.01
0.1
t
s
1
1
2
3
4 5 6 7 8 910
ms
t
图。 3正向电流随电压
每个二极管压降
90
W
80
图。 4浪涌过载电流
图。 5我
2
吨与每个二极管的时间
25
R
thHA
:
70
P
合计
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
I
D（ AV ）M
A
0
25
0
20
40
60
80
100 120 °C
140
T
AMB
A
I
D（ AV ）M
20
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
6.0
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
15
10
5
0
0
20
40
60
80 100 120 °C
T
H
图。 6功耗与直接输出电流和环境温度
3.5
K / W
3.0
Z
thJH
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.001
图。 7最大。正向电流随
散热器温度
常量Z的
thJH
计算方法：
i
1
2
3
4
0.01
0.1
1
t
s
10
R
THI
（K / W）
0.01
0.4
1.69
0.9
t
i
(s)
0.008
0.05
0.06
0.25
图。 8瞬态热阻抗结到散热器
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3-3
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