甚高频55 VHO 55
VKO 55唯55 VGO 55
单相
整流桥
I
DAV
= 53 A
V
RRM
= 800-1600 V
初步数据
V
RSM
V
帝斯曼
V
800
1200
1400
1600
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
TYPE
XXX 55-08io7
XXX 55-12io7
XXX 55-14io7
XXX 55-16io7
XXX =类型
VGO 55
VHO 55
甚高频55
唯55
符号
I
DAV
x
I
DAVM
x
I
疲劳风险管理
, I
真有效值
I
FSM
, I
TSM
测试条件
T
K
= 85°C ，模块
模块
每腿
T
VJ
= 45°C;
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
I
2
t
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= T
VJM
V
R
= 0 V
（ di / dt的）
cr
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
吨= 10毫秒（ 50赫兹） ，正弦
吨= 8.3毫秒（ 60赫兹） ，正弦
VKO 55
最大额定值
53
53
41
550
600
500
550
1520
1520
1250
1250
150
A
A
A
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A
2
s
A / MS
特点
包铜基板
隔离电压3000 V
平面钝化芯片
低正向压降
4"分之1快于电源端子
应用
耗材直流电源设备
输入整流器的PWM逆变器
电池直流电源
现场供电的直流电动机
优势
易于使用两颗螺钉安装
空间和减轻重量
改进的温度和功率
循环能力
体积小，重量轻
尺寸（mm） （1毫米= 0.0394" ）
T
VJ
= 125°C
重复的，我
T
= 50 A
F = 50 Hz时，T
P
= 200
ms
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A,
非重复性的，我
T
= 1/2 I
DAV
di
G
/ DT = 0.3 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; V
DR
= 2/3 V
DRM
R
GK
=
;
方法1 （线性电压升高）
T
VJ
= T
VJM
I
T
= I
TAVM
t
p
= 30
ms
t
p
= 500
ms
t
p
= 10毫秒
500
1000
10
10
5
1
0.5
A / MS
V / ms的
V
W
W
W
W
°C
°C
°C
V~
V~
Nm
lb.in.
g
（ dv / dt的）
cr
V
RGM
P
GM
P
GAVM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
-40...+125
125
-40...+125
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
1毫安
安装力矩
T = 1分
t=1s
(M5)
（ 10-32 UNF ）
2500
3000
5 ± 15 %
44 ± 15 %
110
根据IEC 60747的数据指的是单个二极管/晶闸管，除非另有说明
x
对于电阻性负载的电桥输出。 IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
VHF55 VHO55
VKO55 VKF55 VGO55
符号
I
D
, I
R
V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
测试条件
T
VJ
= T
VJM
; V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
I
T
= 80 A;牛逼
VJ
= 25°C
特征值
5
1.64
0.85
11
1.5
1.6
100
200
0.2
5
450
200
2
250
0.9
0.18
1.1
0.22
16.1
7.1
50
mA
V
V
mW
V
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
ms
ms
K / W
K / W
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
对于只功率损耗计算
V
D
= 6 V;
V
D
= 6 V;
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
T
VJ
T
VJ
T
VJ
=
=
=
=
25°C
-40°C
25°C
-40°C
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25°C ;吨
P
= 10
ms
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / MS
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 6 V ;
GK
=
T
VJ
= 25°C ; V
D
= 1/2 V
DRM
I
G
= 0.45 A;迪
G
/ DT = 0.45 A / MS
T
VJ
= T
VJM
; I
T
= 20 A，T
P
= 200
女士;
的di / dt = -10 A /毫秒（典型值） 。
V
R
= 100V ;的dv / dt = 15 V / ms的; V
D
= 2/3 V
DRM
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
每个晶闸管/二极管; DC
每个模块
匍匐于地面的距离
在空气中爬电距离
马克斯。允许加速
版权所有2000 IXYS所有权利。
2-2
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