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描述
VG3617801CT
16Mb的CMOS同步动态RAM
该VG3617801CT是CMOS同步动态RAM组织为1,048,576字×8位× 2-
银行。它是用纤维制作的高级亚微米CMOS技术，并设计成从一个赎罪操作
GLE 3.3V电源。这是使用JEDEC标准的引脚和标准的塑料TSOP封装。
特点
单3.3V （
±
0.3V ）电源
时钟频率： 100MHz的
完全同步的参考一个时钟上升沿的所有信号
可编程CAS Iatency （ 2,3 ）
可编程突发长度（ 1,2,4,8,&全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
自动预充电和预充电控制
自动刷新和自刷新模式
通过A11双控制内部银行（银行选择）
同时，独立的两张银行操作
I / O电平： LVTTL接口
在每个周期的随机接入列
X8组织
通过DQM输入/输出控制
2048刷新周期/ 32ms的
突发终止突发停止和预充电命令
突发读取单一写操作的选项
文档： 1G5-0133
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引脚配置
V
DD
DQ0
VG3617801CT
16Mb的CMOS同步动态RAM
44引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
V
SS
DQ7
V
SSQ
DQ1
V
SSQ
DQ6
V
DDQ
DQ2
V
DDQ
DQ5
V
SSQ
DQ3
V
SSQ
DQ4
VG3617801CT
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
DDQ
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS
V
DDQ
NC
NC
DQM
CLK
CKE
NC
（ BS ）一个
11
A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
引脚说明
(VG3617801CT)
引脚名称
A0-A11
功能
地址输入
- 行地址
A0-A10
- 列地址A0 -A8
A11 ：银行选择
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
地
动力
引脚名称
DQM
功能
DQ面膜启用
DQ0~DQ7
RAS
CAS
WE
V
SS
V
DD
CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压DQ
地面DQ
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绝对最大额定值
VG3617801CT
16Mb的CMOS同步动态RAM
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
I
OUT
P
D
T
选择
T
英镑
价值
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
50
1.0
0至+ 70
-55 + 125
单位
V
V
mA
W
J
J
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
符号
V
DD
V
IH
V
IL
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
°–
°–
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
2
注1.Overshoot限制： V
IH （ MAX 。 ）
=V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度为3ns <
2.Undershoot限制： V
IL
=V
SSQ
-2.0V带脉<为3ns和-1.5V带脉<为5ns
电容
(Ta=25J,f=1MHZ)
参数
输入电容（CLK）
输入电容（所有输入引脚除数据引脚）
数据输入/输出电容
符号
C
11
C
12
C
I / O
民
2.5
2.5
4.0
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
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