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VIS
描述
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
该VG3617161DT是CMOS同步动态RAM组织为524,288字×16位×2银行。
它是制造与先进的亚微米CMOS工艺和设计，采用3.3V单电源工作
电源。该SDRAM是精心设计的当前高速应用程序性能问题
化。可编程CAS延迟和突发长度使人们有可能在广泛的各种领域中使用。它
通过使用JEDEC标准的引脚排列和标准的塑料50针TSOP II封装。
特点
单3.3V +/- 0.3V电源
时钟频率： 180MHz的， 166MHz的， 143MHz下， 125MHz的， 100MHz的
完全同步的参考一个时钟上升沿的所有信号
可编程CAS Iatency （ 2,3 ）
可编程突发长度（ 1,2,4,8,&全页）
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
自动预充电和预充电控制
自动刷新和自刷新模式
通过A11双控制内部银行（银行选择）
同时，独立的两张银行操作
I / O电平： LVTTL接口
在每个周期的随机接入列
X16组织
通过 LDQM和UDQM的字节控制
4096刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止和预充电命令
文档： 1G5-0160
Rev.1
第1页
VIS
引脚配置
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
50引脚塑料TSOP （ II ） （ 400万）
V
DD
DQ0
DQ1
1
2
3
4
5
6
7
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ15
DQ14
V
SSQ
DQ2
DQ3
V
SSQ
DQ13
DQ12
V
DDQ
DQ4
DQ5
V
DDQ
DQ11
DQ10
VG3617161DT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
SSQ
DQ6
DQ7
V
SSQ
DQ9
DQ8
V
DDQ
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
（ BS ）一个
11
A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DDQ
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
引脚说明
(VG3617161DT)
引脚名称
A0-A11
功能
地址输入
- 行地址
A0-A10
- 列地址A0 -A8
A11 ：银行选择
数据输入/数据输出
行地址选通
列地址选通
写使能
地
动力
引脚名称
LDQM ，
UDQM
功能
低DQ面膜能和
上DQ标志启用
DQ0~DQ15
RAS
CAS
WE
V
SS
V
DD
CLK
CKE
CS
V
DDQ
V
SSQ
时钟输入
时钟使能
芯片选择
电源电压DQ
地面DQ
文档： 1G5-0160
Rev.1
第2页
VIS
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
框图
CLK
CKE
时钟
发电机
地址
模式
注册
行解码器
ROW
地址
卜FF器
＆放大器;
刷新
计数器
B组
银行
检测放大器
RAS
CAS
WE
控制逻辑
CS
命令解码器
数据控制电路
输入输出&
卜FF器
闩锁电路
COLUMN
地址
卜FF器
＆放大器;
BURST
计数器
列译码器&
闩锁电路
DQM
DQ
文档： 1G5-0160
Rev.1
第3页
VIS
绝对最大额定值
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
参数
任何引脚相对于VSS的电压
电源电压相对于Vss
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
DD
,V
DDQ
I
OUT
P
D
T
选择
T
英镑
价值
-1.0到+4.6
-1.0到+4.6
50
1.0
0至+ 70
-55 + 125
单位
V
V
mA
W
J
J
建议的直流工作条件
参数
电源电压
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
符号
V
DD
V
IH
V
IL
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
单位
V
V
V
记
1
2
注1.Overshoot限制： V
IH （ MAX 。 ）
=V
DDQ
+ 2.0V的脉冲宽度为3ns <
2.Undershoot限制： V
IL
=V
SSQ
-2.0V带脉<为3ns和-1.5V带脉<为5ns
参数
I
IL
I
OL
( 0V
≤
V
≤
V
描述
输入漏电流
所有其它引脚不被测= 0V）
分钟。
-5
马克斯。
5
单位
A
A
记
IN
DD
输出漏电流
输出禁用， （ 0V
≤
V
≤
V
)
OUT
DDQ
LVTTL输出“H”电平电压
(l
OUT
= -2mA ）
LVTTL输出“L”电平的电压
(l
OUT
= 2毫安）
-5
5
V
OH
V
OL
2.4
-
-
0.4
V
V
文档： 1G5-0160
Rev.1
第4页
VIS
电容
(Ta=25°C,f=1MHZ)
初步
VG3617161DT
16Mb的CMOS同步动态RAM
参数
输入电容（CLK）
输入电容（所有输入引脚，除了数据
销）
数据输入/输出电容
符号
C
11
C
12
C
I / O
典型值
2.5
2.5
4.0
最大
4
5
6.5
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（V
DD
= 3.3V
描述/测试条件
工作电流
t
≥
t
，输出打开
RC RC
(
民
)
地址吨时更换一次
CK （分钟）
.
突发长度= 1 （其中银行活动）
预充电待机电流在非掉电模式
t
CK
= t
CK （分钟）
,
CS
≥
V
I H
（分钟）
， CKE
≥
V
I H
（分钟）
输入信号在30ns的一次改变。
预充电待机电流在非掉电模式
t
CK
=
∞
， CKE
≥
V
I H
（分钟）
， CLK
输入信号是稳定的
预充电待机电流在掉电模式
t
CK
= t
CK
（分钟） ， CKE
≤
V
I L
（最大）
预充电待机电流在掉电模式
t
CK
=
∞
， CKE
≤
V
I L
（最大）
， CLK
±
0.3V ，TA = 0 70 ° C）
-5.5
I
DD1
190
-6
185
-7
165
-8
145
单位
记
3,4
符号最小值。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
I
DD2N
95
85
75
65
3
≤
V
IL
（最大）
I
DD2NS
45
40
35
30
mA
I
DD2P
4
4
4
4
3
≤
V
IL
（最大）
I
DD2PS
3.5
3.5
3.5
3.5
主动待机电流在非掉电模式
CKE
≥
V
I H
（分钟）
, t
CK
= t
CK （分钟）
（两个银行Actioe ）
主动待机电流在掉电
CKE
≤
V
I L
（最大）
, t
CK -
t
CK （分钟）
， CS
≥
V
IH（分钟）
（两个
银行主动）
工作电流（页破灭，所有银行激活）
t
CCD
= t
的CCD （分钟）
，输出打开，多行交错，
无缝数据
刷新当前
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
(t
REF
= 64毫秒）
自刷新电流
CKE
I
DD3N
I
DD3P
85
6
75
6
65
6
55
6
3
I
DD4
195
185
175
165
4,5
I
DD5
I
DD6
185
175
165
155
3
≤
0.2V
4
4
4
4
文档： 1G5-0160
Rev.1
第5页
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