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新产品

VFT3060C

威世通用半导体

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器

超低V

= 0.38 V ，在我

= 5 A

TMBS

特点

沟道MOS肖特基技术

低正向压降，低功率损耗

高效率运行

焊锡炉温度275 ℃以下。 10秒，每

JESD 22 - B106

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

根据IEC 61249-2-21定义的无卤素

ITO-220AB

VFT3060C

销1

3脚

销2

典型应用

为在高频DC / DC变换器使用，开关

电源，续流二极管， OR- ing二极管，和

电池反接保护。

主要特征

F（ AV ）

RRM

FSM

在我

= 15 A

马克斯。

2× 15 A

60 V

170 A

0.57 V

150 °C

机械数据

案例：

ITO-220AB

塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级

底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并

商业级

终端：

雾锡电镀引脚，焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验

极性：

由于标

安装扭矩：

最大10磅

每

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大重复峰值反向电压

最大正向平均整流电流

（图1）的

每个器件

每二极管

F（ AV ）

FSM

dv / dt的

, T

英镑

符号

RRM

VFT3060C

170

10 000

1500

- 55至+ 150

V / μs的

°C

单位

峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波

叠加在额定负荷

变化的电压率（额定V

)

从特马尔隔离电压到散热片T = 1分

工作结存储温度范围

文档编号： 89256

修订： 18 - NOV- 10

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

新产品

VFT3060C

威世通用半导体

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

= 5.0 A

= 7.5 A

每个二极管的正向电压

= 15 A

= 5.0 A

= 7.5 A

= 15 A

反向电流每二极管

= 60 V

= 25 °C

= 125 °C

R (2)

= 125 °C

= 25 °C

F (1)

符号

典型值。

0.47

0.51

0.60

0.38

0.44

0.57

马克斯。

0.70

0.65

1.2

单位

笔记

(1)

脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比

(2)

脉冲测试：脉冲宽度

≤

40毫秒

热特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

每二极管

典型热阻

每个器件

θJC

符号

VFT3060C

6.0

° C / W

4.8

单位

订购信息

（例）

包

ITO-220AB

首选的P / N

VFT3060C-M3/4W

单位重量（g ）

1.76

封装代码

基地数量

50/tube

配送方式

管

额定值和特性曲线

= 25 ° C除非另有说明）

正向平均整流电流（ A）

平均功率Disspation （W）的

安装在专用散热器

100

125

150

D = 0.2

D = 0.1

D = 0.5

D = 0.3

D = 0.8

D = 1.0

D =吨

外壳温度（ ° C）

平均正向电流（ A）

图。 1 - 最大正向电流降额曲线

图。 2 - 前向功率耗散特性

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修订： 18 - NOV- 10

新产品

VFT3060C

威世通用半导体

100

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

正向电流（A ）

= 150 °C

结到外壳

= 125 °C

= 100 °C

= 25 °C

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.1

0.01

0.1

100

正向电压（ V）

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型的瞬态热阻抗

100

10 000

= 150 °C

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

SIG

= 50毫伏

p-p

瞬时反向电流（mA ）

= 125 °C

= 100 °C

结电容（pF ）

1000

0.1

0.01

= 25 °C

0.001

100

0.1

100

1999额定峰值反向电压百分比（％）

反向电压（ V）

图。 4 - 典型的反向特性

图。 6 - 典型结电容

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

ITO-220AB

0.404 (10.26)

0.384 (9.75)

0.076 （ 1.93 ） REF 。

7 ° REF 。

0.140 （ 3.56 ） DIA 。

0.125 （ 3.17 ） DIA 。

0.135 （ 3.43 ） DIA 。

0.122 （ 3.08 ） DIA 。

0.190 (4.83)

0.170 (4.32)

0.110 (2.79)

0.100 (2.54)

45 ° REF 。

0.600 (15.24)

0.580 (14.73)

针

0.671 (17.04)

0.651 (16.54)

7 ° REF 。

0.350 (8.89)

0.330 (8.38)

7 ° REF 。

0.560 (14.22)

0.530 (13.46)

0.057 (1.45)

0.045 (1.14)

0.025 (0.64)

0.015 (0.38)

0.105 (2.67)

0.095 (2.41)

0.191 (4.85)

0.171 (4.35)

0.110 (2.79)

0.100 (2.54)

0.057 (1.45)

0.045 (1.14)

0.035 (0.89)

0.025 (0.64)

0.205 (5.21)

0.195 (4.95)

0.028 (0.71)

0.020 (0.51)

文档编号： 89256

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11