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新产品
VF20120C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.54 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
焊锡炉温度275 ℃以下。 10秒，每
JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
ITO-220AB
1
VF20120C
销1
3脚
销2
2
3
典型应用
为在高频DC / DC变换器使用，开关
电源，续流二极管， OR- ing二极管，和
电池反接保护。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 10 A
T
J
马克斯。
2 ×10
120 V
120 A
0.64 V
150 °C
机械数据
案例：
ITO-220AB
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
终端：
雾锡电镀引脚，焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
每
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
V
AC
T
J
, T
英镑
符号
V
RRM
VF20120C
120
20
A
10
120
10 000
1500
- 40 + 150
A
V / μs的
V
°C
单位
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
变化的额定电压（额定V
R
)
从特马尔隔离电压到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 89324
修订： 10 - NOV- 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
VF20120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5 A
每个二极管的正向电压
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
V
R
= 90 V
反向电流每二极管
V
R
= 120 V
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
V
F (1)
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
I
R (2)
符号
典型值。
0.62
0.81
0.54
0.64
8
6
-
14
分钟。
-
0.90
V
-
0.72
-
-
700
45
μA
mA
μA
mA
单位
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
VF20120C
5.0
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
ITO-220AB
首选的P / N
VF20120C-M3/4W
单位重量（g ）
1.75
封装代码
4W
基地数量
50/tube
配送方式
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
25
10
负载电阻或电感
D = 0.5
D = 0.3
6
D = 0.2
4
D = 0.1
T
2
D =吨
p
/T
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
t
p
D = 1.0
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
15
10
5
安装在专用散热器
0
平均功耗（ W）
20
8
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 2 - 正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
文档编号： 89324
修订： 10 - NOV- 10
新产品
VF20120C
威世通用半导体
100
10 000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
正向电流（A ）
10
1
T
A
= 25 °C
结电容（pF ）
1.4
1.6
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
反向电压（ V）
图。 3 - 典型的正向特性每二极管
图。 5 - 典型结电容每二极管
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
0.1
结到外壳
1
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型的反向特性每二极管
图。 6 - 每二极管典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
ITO-220AB
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
45 ° REF 。
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
文档编号： 89324
修订： 10 - NOV- 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
3
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
新产品
V20120C ， VF20120C ， VB20120C & VI20120C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.54 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
V20120C
销1
3脚
销2
例
3
1
VF20120C
销1
3脚
销2
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
1
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VB20120C
销1
销2
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
VI20120C
销1
3脚
销2
K
案例：
TO-220AB,
TO-262AA
ITO-220AB,
TO-263AB
和
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 10 A
T
J
马克斯。
2 ×10
120 V
120 A
0.64 V
150 °C
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V20120C
VF20120C
VB20120C
VI20120C
单位
V
A
A
V
°C
120
20
10
120
1500
- 40 + 150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 89040
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V20120C ， VF20120C ， VB20120C & VI20120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
V
R
= 90 V
反向电流每二极管
(2)
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
120 （最小）
0.62
0.81
0.54
0.64
8
6
I
R
-
14
马克斯。
-
-
0.90
V
-
0.72
-
-
700
45
A
mA
A
mA
单位
V
每个二极管的正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V20120C
2.8
VF20120C
5.0
VB20120C
2.8
VI20120C
2.8
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V20120C-E3/4W
VF20120C-E3/4W
VB20120C-E3/4W
VB20120C-E3/8W
VI20120C-E3/4W
单位重量（g ）
1.88
1.75
1.37
1.37
1.45
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
25
10
负载电阻或电感
V(B,I)20120C
D = 0.5
D = 0.3
6
D = 0.2
4
D = 0.1
T
2
D =吨
p
/T
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
4
6
8
10
12
t
p
D = 1.0
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
15
VF20120C
10
5
安装在专用散热器
0
平均功耗（ W）
20
8
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 89040
修订： 19 08年5月
新产品
V20120C ， VF20120C ， VB20120C & VI20120C
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)20120C
1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
0.1
结到外壳
1
0.01
T
A
= 25 °C
VF20120C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
文档编号： 89040
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
新产品
V20120C ， VF20120C ， VB20120C & VI20120C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
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0.670 (17.02)
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0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
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贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
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0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
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