【日前，VishayVESD05C-FC1威世半导体倒装芯片保护二极管 - 芯片尺寸0402描述倒装芯】,IC型号VESD05C-FC1,VESD05C-FC1 PDF资料,VESD05C-FC1经销商,ic,电子元器件-51电子网

日前，Vishay

VESD05C-FC1

威世半导体

倒装芯片保护二极管 - 芯片尺寸0402

描述

倒装芯片与所有的包装和内部连接芯片

前切割晶片上制造系统蒸发散。该

互连的I / O制成焊料凸点

pads.Our器件采用硅P / N结对

具有优良的低钳位（保护）的性能

漏电流特性。

19120

特点

ESD保护符合IEC 61000-4-2标准30千伏（空气）

ESD保护符合IEC 61000-4-2 8千伏（接触）

ESD保护符合IEC 61000-4-5

（闪电）： 8/20

PPM

= 10毫安

每行120瓦峰值脉冲功率耗散

(8/20

适用于高频应用

（低电容，低寄生电感）

低钳位电压

所需的最小的PCB空间（ 0.5毫米

< 0.55毫米高，只有0.47毫克/件

无需底部填充材料和/或附加

SOLDER

可以使用标准的SMT接&组装

放设备，符合per J -STD -020回流焊工艺

和装配方法

绿色产品

应用

手机

个人数字助理（ PDA），笔记本

电脑

MP3播放器

全球定位系统

数码相机

蓝牙

音频放大器

DVD

电源管理系统

读取硬盘驱动器读写头

模块手表

中央处理器

数字电视和sattelites接收器

智能卡

机械数据

案例：

倒装芯片1005

标准EIA芯片尺寸： 0402

8mm带和卷轴每EIA- 481-1 -A / IEC60286

主要联系人： 4焊料凸点100

高度

（标称）

锡银铜凸块（无铅）

也可与锡铅凸点

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

www.vishay.com

VESD05C-FC1

威世半导体

日前，Vishay

绝对最大额定值

在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分

参数

峰值脉冲功率耗散

峰值脉冲电流

每ESD空气放电

IEC 61000-4-2

每ESD接触放电

IEC 61000-4-2

焊接温度

焊接时间

测试条件

8/20

脉冲

8/20

脉冲

符号

PPM

ESD

价值

120

>30

260

单位

°C

非重复性电流脉冲

热特性

在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分

参数

工作温度

储存温度

测试条件

符号

英镑

价值

- 55至+ 150

单位

°C

电气特性

反向

对峙

电压

分钟。

击穿

电压

RWM

@ 1毫安

马克斯。

夹紧

电压

@ I

PPM

= 1 A

@ 8/20

@ I

PPM

= 10 A

@ 8/20

@ V

RWM

马克斯。

泄漏

当前

电容

@ V

= 0 V,

F = 1 MHz的

典型特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

120

- 峰值脉冲电流（％）

- 二极管电容（pF ）

到100％

100

70％的

F = 1 MHz的

19122

19121

时间（μs ）

- 倒V oltage （ V）

图1.脉冲波形8/20

ACC 。 IEC 61000 - 4 - 5

图2.典型。二极管电容与反向电压

www.vishay.com

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

日前，Vishay

VESD05C-FC1

威世半导体

- 反向电压（ V）

0.01

0.1

100 1000 10000

- 反向电流（

)

19123

图3.反向电压与反向电流

- 钳位电压（ V）

9 10 11 12

19124

- 峰值脉冲电流（ A）

图4.钳位电压与峰值脉冲电流

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

www.vishay.com

VESD05C-FC1

威世半导体

单位：mm包装尺寸（英寸）

日前，Vishay

0.32 (0.013)

0.12 (0.005)

0.96 (0.038)

0.39 (0.015)

0.57 (0.022)

0.485 (0.019)

0.445 (0.017)

0.43 (0.017)

0.37 (0.014)

19119

ISO方法E

0.22 (0.009)

0.08 (0.003)

贴装焊盘布局

0.30 (0.012)

≥

0.20 (0.008)

≥

0.52 (0.020)

0.30 (0.012)

0.37 (0.014)

≥

0.20 (0.008)

焊盘

阻焊开幕

铜区

≤

0.09 (0.004)

www.vishay.com

0.42 (0.016)

0.75 (0.030)

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

日前，Vishay

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

VESD05C-FC1

威世半导体

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和

operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如

以及它们对环境的影响。

这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息

被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质

并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为

对这些物质的早期禁令。

威世半导体有限公司

已经能够利用不断改进的政策，以消除

使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表

分别

2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计的权利

并且可以这样做，恕不另行通知。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证

客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有

索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔

损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

www.vishay.com

日前，Vishay

VESD05C-FC1

威世半导体

倒装芯片保护二极管 - 芯片尺寸0402

描述

倒装芯片与所有的包装和内部连接芯片

前切割晶片上制造系统蒸发散。该

互连的I / O制成焊料凸点

pads.Our器件采用硅P / N结对

具有优良的低钳位（保护）的性能

漏电流特性。

19120

特点

ESD保护符合IEC 61000-4-2标准30千伏（空气）

ESD保护符合IEC 61000-4-2 8千伏（接触）

ESD保护符合IEC 61000-4-5

（闪电）： 8/20

PPM

= 10毫安

每行120瓦峰值脉冲功率耗散

(8/20

适用于高频应用

（低电容，低寄生电感）

低钳位电压

所需的最小的PCB空间（ 0.5毫米

< 0.55毫米高，只有0.47毫克/件

无需底部填充材料和/或附加

SOLDER

可以使用标准的SMT接&组装

放设备，符合per J -STD -020回流焊工艺

和装配方法

绿色产品

应用

手机

个人数字助理（ PDA），笔记本

电脑

MP3播放器

全球定位系统

数码相机

蓝牙

音频放大器

DVD

电源管理系统

读取硬盘驱动器读写头

模块手表

中央处理器

数字电视和sattelites接收器

智能卡

机械数据

案例：

倒装芯片1005

标准EIA芯片尺寸： 0402

8mm带和卷轴每EIA- 481-1 -A / IEC60286

主要联系人： 4焊料凸点100

高度

（标称）

锡银铜凸块（无铅）

也可与锡铅凸点

文档编号85859

1.1修订版， 7月14日 - 04

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VESD05C-FC1

威世半导体

日前，Vishay

绝对最大额定值

在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分

参数

峰值脉冲功率耗散

峰值脉冲电流

每ESD空气放电

IEC 61000-4-2

每ESD接触放电

IEC 61000-4-2

焊接温度

焊接时间

测试条件

8/20

脉冲

8/20

脉冲

符号

PPM

ESD

价值

120

>30

260

单位

°C

非重复性电流脉冲

热特性

在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分

参数

工作温度

储存温度

测试条件

符号

英镑

价值

- 55至+ 150

单位

°C

电气特性

反向

对峙

电压

分钟。

击穿

电压

RWM

@ 1毫安

马克斯。

夹紧

电压

@ I

PPM

= 1 A

@ 8/20

@ I

PPM

= 10 A

@ 8/20

@ V

RWM

马克斯。

泄漏

当前

电容

@ V

= 0 V,

F = 1 MHz的

典型特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

120

- 峰值脉冲电流（％）

- 二极管电容（pF ）

到100％

100

70％的

F = 1 MHz的

19122

19121

时间（μs ）

- 倒V oltage （ V）

图1.脉冲波形8/20

ACC 。 IEC 61000 - 4 - 5

图2.典型。二极管电容与反向电压

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1.1修订版， 7月14日 - 04

日前，Vishay

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威世半导体

- 反向电压（ V）

0.01

0.1

100 1000 10000

- 反向电流（

)

19123

图3.反向电压与反向电流

- 钳位电压（ V）

9 10 11 12

19124

- 峰值脉冲电流（ A）

图4.钳位电压与峰值脉冲电流

文档编号85859

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威世半导体

单位：mm包装尺寸（英寸）

日前，Vishay

0.32 (0.013)

0.12 (0.005)

0.96 (0.038)

0.39 (0.015)

0.57 (0.022)

0.485 (0.019)

0.445 (0.017)

0.43 (0.017)

0.37 (0.014)

19119

ISO方法E

0.22 (0.009)

0.08 (0.003)

贴装焊盘布局

0.30 (0.012)

≥

0.20 (0.008)

≥

0.52 (0.020)

0.30 (0.012)

0.37 (0.014)

≥

0.20 (0.008)

焊盘

阻焊开幕

铜区

≤

0.09 (0.004)

www.vishay.com

0.42 (0.016)

0.75 (0.030)

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1.1修订版， 7月14日 - 04

日前，Vishay

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

VESD05C-FC1

威世半导体

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和

operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如

以及它们对环境的影响。

这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息

被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质

并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为

对这些物质的早期禁令。

威世半导体有限公司

已经能够利用不断改进的政策，以消除

使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表

分别

2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计的权利

并且可以这样做，恕不另行通知。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证

客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有

索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔

损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。

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电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423

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