VESD05A5A-HSF
威世半导体
在LLP75 5线ESD保护二极管阵列
特点
6
5
4
超小型封装LLP75-6L
低调< 0.6毫米
ESD保护5行
低漏电流I
R
< 0.1 μA
1
2
3
19956
20453
低负载电容C
D
= 13 pF的
1
记号
（例如只）
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
工作电压范围V
RWM
= 5 V
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
XX
YY
21001
点= 1脚打标
XX =日期代码
YY =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VESD05A5A-HSF
订购代码
VESD05A5A-HSF-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VESD05A5A-HSF
包
名字
LLP75-6L
TYPE
CODE
AR
重量
4.2毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
测试条件
偏置模式：每个输入（引脚1 - 引脚6）接地（ 2脚） ;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20是;单发
BiSy模式：每个输入端（引脚1 - 引脚6）其他任何输入引脚。
引脚2没有连接。命中率。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20是;单发
偏置模式：每个输入（引脚1 - 引脚6）接地（ 2脚） ;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20是;单发
BiSy模式：每个输入端（引脚1 - 引脚6）其他任何输入引脚。
引脚2没有连接。命中率。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20是;单发
命中率。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
偏置模式：每个输入（引脚1 - 引脚6）接地（ 2脚）
联系
放电
空气
放电
联系
放电
空气
放电
符号
I
PPM
I
PPM
P
PP
P
PP
V
ESD
V
ESD
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
2.5
2.5
33
43
± 15
± 15
± 10
± 10
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
A
W
W
kV
kV
kV
kV
°C
°C
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
静电放电抗扰度
命中率。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
BiSy模式：每个输入端（引脚1 - 引脚6）其他任何输入引脚。
引脚2没有连接。
结温
工作温度
储存温度
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81655
修订版1.3 ， 21 - OCT- 10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
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1
VESD05A5A-HSF
威世半导体
在5线ESD保护二极管阵列
LLP75
应用指南：
一。与VESD05A5A - HSF 5种不同的信号或数据线可被钳位到地。由于不同的钳位电平在
正向和反向的VESD05A5A - HSF的夹紧行为是双向和非对称（偏压） 。
L1
L2
L3
6
5
4
1
2
3
L4
L5
19958
B 。如果对称的夹紧行为是必需的VESD05A5A - HSF也可以用来作为一个双向对称
保护装置保护多达4行。在这种情况下，针没有。 2不能连接。
L1
L2
L3
6
5
4
1
2
3
L4
19959
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
反向工作电压
马克斯。反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
线路电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 2.5 A
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 2.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
C
V
F
V
F
C
D
C
D
分钟。
-
5
-
6
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
＆ LT ; 0.01
6.7
9
12
2
3.2
13
8
马克斯。
5
-
0.1
7.5
10
13
2.5
4
15
-
单位
线
V
A
V
V
V
V
V
pF
pF
记
偏置模式（引脚1 ， 3 ， 4 ， 5或6引脚2之间）
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VESD05A5A-HSF
在5线ESD保护二极管阵列
威世半导体
LLP75
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100
放电电流I
ESD
100 %
10
80
%
60 %
53 %
I
F
（MA ）
1
0.1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0.01
0.001
0.5
19949
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
时间（纳秒）
V
F
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 4 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
8
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
1
0%
0
20548
8 s
到100％
7
6
V
R
(V)
40
19950
5
4
3
2
I
PPM
10
20
30
0
0.01
0.1
1
10
100 1000 10 000
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
16
F = 1 MHz的
14
12
14
测得的累计。 IEC 61000-4-5 （ 8/20
s
-
WAVE
表）
12
10
8
反向
C
D
（PF ）
10
V
C
(V)
6
4
2
0
V
C
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
-2
-4
-6
0
19951
前锋
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
19948
V
R
(V)
I
PP
(A)
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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在5线ESD保护二极管阵列
LLP75
100
80
60
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
40
20
0
- 20
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90
19994
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
40
20
0
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
- 60
-
80
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
- 100
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90
19995
T（ NS ）
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
200
150
100
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
50
V
C- ESD
0
- 50
- 100
- 150
- 200
0
5
10
15
20
19954
V
ESD
（千伏）
图。 9 - 典型值最大值。钳位电压ESD处联系
放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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威世半导体
LLP75
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP75-6L
1.05 (0.041)
0.95 (0.037)
散热器
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.45 (0.018)
0.55 (0.022)
1 (0.039)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
阻焊掩膜
焊盘
0.5 (0.020)
0.60 (0.023)
1.65 (0.065)
引脚1标记
1.55 (0.061)
1.65 (0.065)
1.55 (0.061)
足迹推荐：
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.54 (0.021)
0.25 (0.010)
1 (0.039)
文件编号： S8 -V - 3906.02-010 （ 4 ）
创建 - 日期：2005年04 MAY
第4版 - 日期： 2006年21月
20454
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0.3 (0.012)
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