VESD05A4A-HS4
威世半导体
在LLP1010-6L 4号线（四） ESD保护二极管阵列
特点
超小型封装LLP1010-6L
低封装高度< 0.4毫米
4线ESD保护（四）
低漏电流< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 12 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 17 kV空气放电
浪涌电流累计。 IEC 6100-4-5我
PP
> 2.5 A
焊接可以通过标准的视觉检查
检查。没有必要的透视
引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
5
6
4
1
20896
2
3
20897
记号
（例如只）
XY
20932
点= 1脚打标
X =日期代码
Y =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VESD05A4A-HS4
订购代码
VESD05A4A-HS4-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
5000
最小起订量
5000
包数据
设备名称
包
名字
TYPE
CODE
A
重量
造型
复合
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿度敏感度等级
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
VESD05A4A - HS4 LLP1010-6L
1.07毫克
260 ℃/ 10秒，在终端
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号81786
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如需技术支持，请联系：
ESDprotection@vishay.com
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1
VESD05A4A-HS4
威世半导体
绝对最大额定值
等级
测试条件
偏置模式：每个输入端（引脚1，3至5）接地（引脚2和6）;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
BiSy模式：每个输入端（引脚1，3至5 ），以任何其他的输入管脚。
针脚2和6未连接。命中率。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
偏置模式：每个输入端（引脚1，3至5）接地（引脚2和6）;
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
BiSy模式：每个输入端（引脚1，3至5 ），以任何其他的输入管脚。
针脚2和6未连接。命中率。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
命中率。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
偏置模式：每个输入端（引脚1，3至5）接地（引脚2和6）
静电放电抗扰度
联系
放电
空气
放电
符号
I
PPM
I
PPM
P
PP
P
PP
V
ESD
V
ESD
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
2.5
2.5
30
33
± 15
± 17
± 15
± 17
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
A
W
W
kV
kV
kV
kV
°C
°C
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
联系
命中率。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
放电
BiSy模式：每个输入端（引脚1，3至5 ），以任何其他的输入管脚。
空气
针脚2和6未连接。
放电
结温
工作温度
储存温度
偏置模式（ 4线双向不对称保护模式）
与
VESD05A4A-HS4
最多4个信号 - 或数据线（L1至L4 ）可以被保护免受电压瞬变。
与管脚2和6接地，管脚1 ，3，4和5连接到信号 - 或数据线具有以
受保护的。只要在数据或信号线的电压电平介于0V（地电平）和指定
最大反向工作电压
(V
RWM
的）数据线和接地之间的保护二极管提供高
隔离到接地线。保护装置的行为就像打开的开关。
只要任何积极的瞬态电压信号超过通过保护电压等级的突破
二极管，该二极管导通并短路过渡电流接地。现在，保护装置
表现得像一个闭合的开关。该
钳位电压
(V
C
）被定义
击穿电压
(V
BR
）水平
加在保护装置的串联阻抗（电阻和电感）的电压降。
任何负瞬态信号将相应地夹紧。负瞬态电流流过
保护二极管的正向方向。低
正向电压
(V
F
）夹负瞬态接近
地电平。
由于不同的钳位电平在正向和反向方向上的
VESD05A4A-HS4
夹紧行为
is
双向
和
不对称
（ BIAS ） 。
L4
5
6
4
L3
1
L1
2
3
L2
20898
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2
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威世半导体
电气特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
VESD05A4A-HS4
偏置模式：每个输入（引脚1，3， 4和5）接地（引脚2和/或6）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电流
反向击穿电压
钳位电压
正向电压钳位
电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
C
D
7.5
8.5
pF
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= V
RWM
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 2.5 A ACC 。 IEC 61000-4-5
在我
F
= 2.5 A ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
12
6
5
＆ LT ; 0.01
0.1
8
12
2.5
15
分钟。
典型值。
马克斯。
4
单位
线
V
A
V
V
V
pF
如果需要更高的浪涌电流或峰值脉冲电流（I
PP
）是需要的，一些保护二极管在
VESD05A4A-HS4
也可以使用并联以"multiply"性能。
如果两个二极管同时切换你
双浪涌功率=双峰值脉冲电流（ 2 ×1
PPM
)
半年线电感=降低钳位电压
半年线阻力=降低钳位电压
双线路电容（ 2乘C
D
)
双反向漏电流（ 2 ×1
R
)
5
L1
6
4
L2
1
2
3
20900
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3
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威世半导体
BiSy模式（ 3-线双向对称保护模式）
如果双极对称的保护装置是必要的
VESD05A4A-HS4
也可以使用作为三线
保护装置。因此三个引脚（例如：销1 ，图3和5）具有被连接到所述信号 - 数据 - 或
线（ L1到L3 ）和引脚3接地。针脚2和6不能连接！
正和负的电压瞬变将被钳位以相同的方式。从一个数据夹紧电流
通过线
VESD05A4A-HS4
向地面传递在前进方向上的一个二极管和在另一个
相反的方向。该
钳位电压
(V
C
）被定义
击穿电压
(V
BR
一个二极管）的水平
加上其他二极管的正向电压加在串联的阻抗上的电压降（电阻和
保护装置的电感） 。
由于相同的钳位电平在正和负方向上的
VESD05A4A-HS4
电压钳位
行为也是
双向
和
对称
（ BiSy ） 。
L1
5
6
4
L3
1
L2
2
3
20901
电气特性
在25℃ ，环境温度，除非另有说明的评分
VESD05A4A-HS4
BiSy模式：每个输入端（引脚1，3， 4或5）的任何其他的输入管脚连接到地;针脚2和6未连接
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电流
反向击穿电压
钳位电压
电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
C
D
5
7
pF
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= V
RWM
= 5.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 2.5 A ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
C
D
6.5
11.5
6
5.5
＆ LT ; 0.01
0.1
8.7
13
8
分钟。
典型值。
马克斯。
3
单位
线
V
A
V
V
pF
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4
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威世半导体
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
20548
8 s
到100％
10
I
F
（MA ）
1
I
PPM
0.1
0.01
10
20
30
40
0.001
0.5
20889
0.6
0.7
0.8
0.9
1
时间（μs ）
V
F
(V)
图1. 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图4.典型正向电流I
F
与正向电压V
F
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
8
7
6
放电电流I
ESD
100 %
80
%
5
V
R
(V)
60 %
53 %
4
3
2
1
0
0.01
0.1
1
10
100
1000 10000
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
20890
时间（纳秒）
I
R
(A)
图2. ESD放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图5.典型的反向电压V
R
与
反向电流I
R
14
F = 1 MHz的
12
偏置模式
10
15
10
正浪涌
5
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
负浪涌
- 10
- 15
0
1
2
3
4
5
6
20891
C
D
（PF ）
V
C
(V)
8
6
4
2
0
BiSy模式
V
C
0
-5
BiSy模式
0
1
2
3
20888
V
R
(V)
I
PP
(A)
图3.典型电容C
D
与反向电压V
R
图6.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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