VESD03A1C-02Z
威世半导体
ESD保护二极管SOD923
特点
单线ESD保护器件
静电放电抗扰度ACC 。 IEC 61000-4-2
> 30 kV接触放电
> 30 kV空气放电
微型SOD923封装
封装高度= 0.4毫米
典型。电容46 pF的
(V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz）的
泄漏电流< 0.5 μA （V
R
= 3.3 V)
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
1
2
20278
20516
2
记号
（例如只）
XY
订购信息
设备名称
VESD03A1C-02Z
20279
巴=正极标志
X =日期代码
Y =类型代码（见下表）
订购代码
VESD03A1C-02Z-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
8000
最小起订量
8000
包数据
设备名称
VESD03A1C-02Z
包
名字
SOD923
TYPE
CODE
C
重量
0.45毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿度敏感度等级
焊接条件
MSL等级1 （根据J- STD- 020 ）， 260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
等级
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
P
= 8/20微秒/单次
ACC 。 IEC 61000-4-5 ，T
P
= 8/20微秒/单次
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
9.5
95
± 30
± 30
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
*请参阅文件“日前，Vishay绿色无卤定义（ 5-2008 ） ” http://www.vishay.com/doc?99902
文档编号81690
修订版1.3 ， 22月， 08
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
www.vishay.com
1
VESD03A1C-02Z
威世半导体
偏置模式（双向不对称保护模式）
与
VESD03A1C-02Z
1信号 - 或数据线（L1 ）可以被保护免受电压瞬变。同
销1连接到地和销2连接到一个信号 - 或数据线具有被保护。只要
上的数据或信号线的电压电平为0V （地电平）和指定的间
最大反向
工作电压
(V
RWM
的）数据线和接地之间的保护二极管提供了一个高隔离的接地
线。保护装置的行为就像打开的开关。
只要任何积极的瞬态电压信号超过通过保护电压等级的突破
二极管，该二极管导通并短路过渡电流接地。现在，保护装置
表现得像一个闭合的开关。该
钳位电压
(V
C
）被定义
击穿电压
(V
BR
）水平
加在保护装置的串联阻抗（电阻和电感）的电压降。
任何负瞬态信号将相应地夹紧。负瞬态电流流过
保护二极管的正向方向。低
正向电压
(V
F
）夹负瞬态接近
地电平。
由于不同的钳位电平在正向和反向方向上的
VESD03A1C-02Z
夹紧行为
is
双向
和
不对称
（ BIAS ） 。
L1
2
1
20280
电气特性
在25℃时的收视率，环境温度，除非另有说明
VESD03A1C-02Z
偏置模式（在引脚1和2 ）
参数
保护路径
反向关断电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
在我
PP
= I
PPM
= 9.5 A
在我
PP
= 0.2 A
正向电压钳位
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 9.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
电容
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
C
D
46
pF
V
C
V
F
V
F
V
F
C
D
8.5
0.9
1.1
2.5
78
85
10
1.2
V
V
V
V
pF
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 0.5 A
在V
R
= 3.3 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
5
3.3
0.06
6
6.4
1
6.6
7.5
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
线
V
A
V
V
www.vishay.com
2
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
文档编号81690
修订版1.3 ， 22月， 08
VESD03A1C-02Z
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25
°C,
除非另有说明
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80
%
60 %
53 %
100
放电电流I
ESD
10
I
F
（MA ）
1
0.1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0.01
0.001
0.5
20697
0.6
0.7
0.8
0.9
时间（纳秒）
V
F
(V)
图1. ESD放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图4.典型正向电流I
F
与
正向电压V
F
7
100 %
80
%
60 %
8 s
到100％
6
5
20
s
70％的
40 %
V
R
(V)
40
4
3
2
I
PPM
20 %
1
0%
0
20548
10
20
30
0
0.01
20698
0.1
1
10
100
1000 10000
时间（μs ）
I
R
(A)
图2. 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图5.典型的反向电压V
R
与
反向电流I
R
10
90
F = 1 MHz的
80
70
60
8
6
正浪涌
V
C
(V)
C
D
（PF ）
50
40
30
4实测
ACC 。 IEC 61000-4-5
2 (8/20
s
-
WAVE
表）
0
V
C
20
10
0
0
20969
-2
负浪涌
-4
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
20699
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
V
R
(V)
图3.典型电容C
D
与
反向电压V
R
I
PP
(A)
图6.典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
文档编号81690
修订版1.3 ， 22月， 08
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
www.vishay.com
3
VESD03A1C-02Z
威世半导体
60
50
40
30
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
20
10
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
20700
T（ NS ）
图7.典型钳位性能，在+ 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
40
30
20
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
10
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
20701
T（ NS ）
图8.典型钳位性能 - 8千伏
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
200
150
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
100正放
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
- 100负排放
- 150
- 200
0
5
10
15
20
25
30
35
V
C- ESD
20702
V
ESD
（千伏）
图9.典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
www.vishay.com
4
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
文档编号81690
修订版1.3 ， 22月， 08
VESD03A1C-02Z
威世半导体
包装尺寸
以毫米（英寸）：
SOD923
0.13 [0.005]
0.07 [0.003]
5度的裁判
最大。 0.05 [ 0.002 ]
0.3 [0.012]
0.25 [0.010]
0.15 [0.006]
[0.026]
0.75
[0.030]
0.65
0.55
[0.022]
0.85
[0.033]
足迹推荐：
1.1 [0.043]
0.9 [0.035]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
文件编号： S8 -V - 3880.05-001 （ 4 ）
启1 - 日期： 05.July.2006
20096
文档编号81690
修订版1.3 ， 22月， 08
最大。 0.41 [ 0.016 ]
www.vishay.com
5
0.39 [0.015]
如需技术支持，请联系： ESD-Protection@vishay.com
0.37 [0.015]
QQ：2881677436 复制
