VESD03A1B-HD1
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威世半导体
ESD保护二极管LLP1006-2L
特点
超小型封装LLP1006-2L
2
1
低封装高度< 0.4毫米
ESD保护1线
低漏电流< 0.5 μA
低负载电容C
D
= 15 pF的
(V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz）的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
高浪涌电流累计。 IEC61000-4-5我
PP
> 3.5 A
焊接可通过标准的视觉检查进行检查。
没有必要的透视
引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
20856
20855
记号
（例如只）
XY
21121
巴=正极标志
X =日期代码
Y =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VESD03A1B-HD1
订购代码
VESD03A1B-HD1-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
8000
最小起订量
8000
包数据
设备名称
VESD03A1B-HD1
包
名字
LLP1006-2L
TYPE
CODE
J
重量
0.72毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3.5
31
± 30
± 30
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
修订版1.5 ， 20军， 12
文档编号： 81851
1
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电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
测试条件/备注
行数可被保护的
马克斯。反向工作电压
在我
R
= 0.5 μA
在V
R
= 3.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在我
PP
= 0.2 A
正向电压钳位
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
电容
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
V
R
I
R
V
BR
V
C
V
C
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
分钟。
-
-
3.3
-
5
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.04
6
6.2
7.6
0.9
1.25
1.8
25
15
马克斯。
1
3.3
-
0.5
6.6
7.5
9
1.2
-
-
28
-
单位
线
V
V
μA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
偏置模式
（双向非对称保护模式）
与VESD03A1B -HD1 1信号 - 或数据线（L1 ）可以被保护免受电压瞬变。与引脚1连接到
地面和引脚2连接于信号 - 或数据线具有被保护。只要在数据或电压电平
信号线之间0V（地电平）和指定的最大反向工作电压（V
RWM
）保护二极管
数据线和地线之间提供了一个高隔离的接地线。保护装置的行为就像打开的开关。
只要任何积极的瞬态电压信号超过通过保护二极管的电压等级的突破，二极管
变为导通和短路过渡电流接地。现在，保护装置的作用类似于闭合的开关。该
钳位电压（V
C
）由击穿电压（所限定的V
BR
）电平加在串联阻抗上的电压降
保护装置的（电阻和电感） 。
任何负瞬态信号将相应地夹紧。负瞬态电流流动的正向方向
保护二极管。低正向电压（V
F
）钳位负瞬态接近地电平。
由于不同的钳位电平在正向和反向方向上的VESD03A1B -HD1夹紧行为是双向
和非对称（ BIAS ） 。
L1
2
BIAS
地
1
20925
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
60 %
53 %
100
放电电流I
ESD
10
I
F
（MA ）
1
0.1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.01
0.001
0.5
21115
0.6
0.7
0.8
0.9
1
20557
时间（纳秒）
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
V
F
(V)
图。 4 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
7
100 %
80 %
60 %
8 μs至100 ％
6
5
I
PPM
20微秒到50 ％
40 %
V
R
(V)
4
3
2
20 %
1
0%
0
20548
10
20
30
40
0
0.01
21116
0.1
1
10
100
1000 10000
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与
反向电流I
R
30
F = 1 MHz的
25
20
10
8
6
正浪涌
C
D
（PF ）
V
C
(V)
4
2
0
-2
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
（ 8/20微秒 - 波形）
V
C
负浪涌
-4
0
21117
1
2
3
4
21114
V
R
(V)
I
PP
(A)
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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60
50
40
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
30
20
10
0
- 10
- 20
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
21118
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
40
30
20
10
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
21119
T（ NS ）
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
250
200
150
100
正放
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
0
5
10
15
负排放
V
C- ESD
命中率。 IEC 61000-4-2接触放电
20
25
30
35
21120
V
ESD
（千伏）
图。 9 - 典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP1006-2L
0.3 [0.012]
0.2 [0.008]
0.25 [0.010]
0.15 [0.006]
威世半导体
0.55 [0.022]
0.45 [0.018]
0.45 [0.018]
0.35 [0.014]
0.65 [0.026]
0.55 [0.022]
0.4 [0.016]
0.33 [0.013]
定向Identi科幻阳离子
1.05 [0.041]
0.95 [0.037]
足迹推荐：
0.6 [0.024]
0.5 [0.020]
SOLDER
抗蚀掩膜
1 [0.039]
0.2 [0.008]
0.125 [ 0.005 ]参考。
0.05 [0.002]
0 [0.000]
SOLDER
PAD
创建 - 日期： 13七月。 2007年
启5 - 日期： 2010年4月21日
文件编号： S8 -V - 3906.04-005 （ 4 ）
20812
0.05 [0.002]
0.25 [0.010]
0.5 [0.020]
厚
开放± 0.03
包的测量中间
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5
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