VEMT4700
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
特点
封装类型：表面贴装
封装形式： PLCC - 3
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
高感光度照片
高辐射敏感性
适用于可见光和近红外辐射
快速的响应时间
94
8554
半灵敏度角度：
= ± 60°
基本的终端连接
包缺口表明收藏家
包装与红外发射器系列VSML3710匹配
描述
VEMT4700是高速硅NPN外延平面
光电晶体管的微型PLCC -3封装的表面
安装在印刷电路板。该装置是对可见光敏感
和近红外辐射。
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
应用
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
- 光传感器
产品概述
部件
VEMT4700
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ca
（MA ）
0.5
（度）
± 60
λ
0.1
（纳米）
450 1080
订购信息
订购代码
VEMT4700-GS08
VEMT4700-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-3
PLCC-3
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
t
p
/T
≤
0.1, t
p
≤
10 s
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
价值
70
5
50
100
100
单位
V
V
mA
mA
mW
文档编号： 81501
修订版1.3 ， 04 09月08
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硅NPN光电晶体管，符合RoHS
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。回流焊接温度曲线图。 10
焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
400
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
125
P
V
- 功耗限制（MW ）
R
thJA
= 400 K / W
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20376
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
收藏家光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，V
CE
= 5 V
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
λ
p
λ
0.1
V
CESAT
t
r
/t
f
t
r
/t
f
f
c
0.25
分钟。
70
1
3
0.5
± 60
850
450 1080
0.15
6
2
180
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
V
s
s
千赫
上升时间，下降时间
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 1 kΩ
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
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基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
10
3
V
CE
= 20
V
10
2
λ
= 950 nm的
1
E
e
= 1毫瓦/平方厘米
0.5毫瓦/平方厘米
0.2毫瓦/平方厘米
10
1
10
94
8304
0.1
20
40
60
80
100
94
8317
0.1
1
10
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5
V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
2.0
10
F = 1 MHz的
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94
8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8294
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
图。 6 - 集电极发射极电容集电极与发射极电压
10
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
1
6
0.1
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.01
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.001
0.01
94
8316
0.1
1
10
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
94
8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 导通/关断时间与集电极电流
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0°
10°
20°
30°
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
600
800
1000
94
8318
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
94
8348
λ
-
波长
（纳米）
图。 8 - 相对光谱灵敏度与波长
图。 9 - 相对辐射灵敏度与角位移
包装尺寸
以毫米为单位
贴装焊盘布局
2.6 (2.8)
1.2
覆盖区域
同
阻焊
4
1.6 (1.9)
尺寸： IR和
Vaporphase
（波峰焊）
21439
4
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- 角位移
S
REL
- 相对灵敏度
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焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
5.75
5.25
4.0
3.6
8.3
7.7
3.5
3.1
2.2
2.0
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
1.6
1.4
3.6
3.4
1.85
1.65
最大。 100秒
4.1
3.9
2.05
1.95
50
0
0
19841
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
4.1
3.9
0.25
94
8668
50
100
150
200
250
300
时间（s）
图。 12 - 磁带尺寸（mm）为PLCC- 3
图。 10 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线
ACC 。 J- STD- 020D
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
94
8158
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 13 - 开始与卷筒结束
磁带和卷轴
PLCC - 3的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带拖车用至少75
空隔间，并与盖带密封。
胶带
吸塑带
部件腔
94
8670
图。 11 - 吸塑带
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