VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
特点
封装类型：表面贴装
包装形式： PLCC - 2
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
高灵敏度辐射
快速的响应时间
用870纳米的日光阻断滤波器匹配
950纳米发射器
角半灵敏度：
= ± 60°
包装缺口表明收藏家
与红外发射器系列VSML3710包匹配
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
19032
描述
VEMT3700F是高速硅NPN外延平面
光电晶体管的微型PLCC -2封装。该
集成日光阻断滤波器匹配到950纳米
IR发射器。
应用
产品概述
部件
VEMT3700F
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ca
（MA ）
0.5
（度）
± 60
λ
0.5
（纳米）
850到1050
订购信息
订购代码
VEMT3700F-GS08
VEMT3700F-GS18
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
命中率。回流焊接温度曲线图。 10
焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
t
p
/T
≤
0.1, t
p
≤
10 s
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
400
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
www.vishay.com
526
如有技术问题，请联系： detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81584
修订版1.5 ， 04 09月08
VEMT3700F
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
125
P
V
- 功耗限制（MW ）
R
thJA
= 400 K / W
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20376
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
集电极电流LIGTH
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
λ
p
λ
0.5
V
CESAT
t
r
/t
f
t
r
/t
f
f
c
0.25
分钟。
70
1
3
0.5
± 60
940
850到1050
0.15
6
2
180
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
V
s
s
千赫
上升时间，下降时间
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 1 kΩ
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
截止频率
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
CA REL
- 相对集电极电流
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
94
8239
10
3
V
CE
= 20
V
10
2
V
CE
= 5
V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
10
1
10
94
8304
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
文档编号： 81584
修订版1.5 ， 04 09月08
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
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VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
10
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
8
V
CE
= 5
V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
1
6
0.1
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
4
t
关闭
2
t
on
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0.01
0.001
0.01
94
8316
0.1
1
10
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
94
8293
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 导通/关断时间与集电极电流
10
S ( )
REL
- 相对光谱灵敏度
100
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
λ
= 950 nm的
1
E
e
= 1毫瓦/平方厘米
0.5毫瓦/平方厘米
0.2毫瓦/平方厘米
0.1
0.1
94
8317
1
10
850
950
1050
1150
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
94
8408
-
波长
（纳米）
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
图。 8 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
10
F = 1 MHz的
S
REL
- 相对灵敏度
0°
10°
20°
30°
- 角位移
8
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94
8318
0.6
0.4
0.2
0
94
8294
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 6 - 集电极发射极电容集电极与发射极电压
图。 9 - 相对辐射灵敏度与角位移
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修订版1.5 ， 04 09月08
VEMT3700F
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位
贴装焊盘布局
1.2
覆盖区域
同
阻焊
2.6 (2.8)
4
1.6 (1.9)
20873
焊接温度曲线
DryPack
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
时间（s）
19841
图。 10 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
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4
VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管，符合RoHS
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
120°
10.0
9.0
4.5
3.5
2.5
1.5
13.00
12.75
63.5
60.5
胶带
吸塑带
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
180
178
14.4最大。
94
8665
图。 14 - 卷轴- GS08的尺寸
部件腔
94
8670
图。 11 - 吸塑带
120°
3.5
3.1
2.2
2.0
10.4
8.4
4.5
3.5
2.5
1.5
4.0
3.6
13.00
12.75
62.5
60.0
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
8.3
7.7
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
94
8668
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
321
329
14.4最大。
18857
图。 12 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
图。 15 - 卷轴- GS18的尺寸
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
德缫丝方向
94
8158
盖带去除力
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 13 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。该
磁带引出可包括载带，只要盖
磁带未连接到载体带。最少
组件之后是载带拖车用至少75
空隔间，并与盖带密封。
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文档编号： 81584
修订版1.5 ， 04 09月08
VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管
特点
封装类型：表面贴装
包装形式： PLCC - 2
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 3.5× 2.8× 1.75
高灵敏度辐射
快速的响应时间
用870纳米的日光阻断滤波器匹配
950纳米发射器
角半灵敏度：
= ± 60°
包装缺口表明收藏家
与红外发射器系列VSML3710包匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
19032
描述
VEMT3700F是高速硅NPN外延平面
光电晶体管的微型PLCC -2封装。该
集成日光阻断滤波器匹配到950纳米
IR发射器。
应用
产品概述
部件
VEMT3700F
I
ca
（MA ）
0.5
（度）
± 60
λ
0.5
（纳米）
870到1050
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
VEMT3700F-GS08
VEMT3700F-GS18
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 7500件， 1500件/卷
最小起订量： 8000件， 8000件/卷
包装形式
PLCC-2
PLCC-2
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
命中率。回流焊接温度曲线图。 10
热阻结/环境焊接在PCB板焊盘尺寸为4mm ×4mm的
t
p
/T
≤
0.1, t
p
≤
10 μs
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
70
5
50
100
100
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
400
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81584
修订版1.6 ， 14 10年7月
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www.vishay.com
1
VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管
125
P
V
- 功耗限制（MW ）
R
thJA
= 400 K / W
100
75
50
25
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
20376
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极发射极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
集电极电流LIGTH
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
I
C
- 0.1毫安
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 1 kΩ
V
S
= 5 V，I
C
= 1毫安，
λ
= 950纳米，
R
L
= 100
Ω
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
测试条件
I
C
= 1毫安
V
CE
= 20 V ， E = 0
V
CE
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
λ
p
λ
0.5
V
CESAT
t
r
/t
f
t
r
/t
f
f
c
0.25
分钟。
70
1
3
0.5
± 60
940
870到1050
0.15
6
2
180
0.3
200
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
V
μs
μs
千赫
上升时间，下降时间
截止频率
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10
4
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
10
3
V
CE
= 20 V
10
2
10
1
10
94 8304
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94 8239
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 3 - 相对集电极电流与环境温度
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2
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81584
修订版1.6 ， 14 10年7月
VEMT3700F
硅NPN光电晶体管
威世半导体
10
8
t
on
/t
关闭
- 导通/关断时间（μs ）
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
1
6
V
CE
= 5 V
R
L
= 100
Ω
λ
= 950 nm的
0.1
4
0.01
V
CE
= 5 V
λ
= 950 nm的
t
关闭
2
t
on
0
0.001
0.01
94 8316
0.1
1
10
94 8293
0
2
4
6
8
10
12
14
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
I
C
- 集电极电流（毫安）
图。 4 - 集电极光电流与光强
图。 7 - 导通/关断时间与集电极电流
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
100
10
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
750
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
λ
= 950 nm的
1
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
0.1
0.1
1
10
850
950
1050
1150
94 8317
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
94 8408
λ
- 波长（nm ）
图。 5 - 集电极光电流与集电极发射极电压
图。 8 - 相对光谱灵敏度与波长
C
首席执行官
- 集电极发射极电容（pF ）
10
F = 1 MHz的
0°
10°
20°
30°
S
REL
- 相对灵敏度
8
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
6
4
2
0
0.1
1
10
100
94 8318
0.6
0.4
0.2
0
94 8294
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图。 6 - 集电极发射极电容集电极与发射极电压
图。 9 - 相对辐射灵敏度与角位移
文档编号： 81584
修订版1.6 ， 14 10年7月
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
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3
- 角位移
VEMT3700F
威世半导体
硅NPN光电晶体管
包装尺寸
以毫米为单位
贴装焊盘布局
1.2
区域覆盖
阻焊
2.6 (2.8)
4
1.6 (1.9)
20873
焊接温度曲线
DryPack
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
地板寿命： 168
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级3 ， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
时间（s）
19841
图。 10 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
磁带和卷轴
PLCC-2封装的组件都装在防静电吸塑带
（ DIN IEC （ CO） 564 ），自动元件插入。
泡罩带的空腔都覆盖着胶带。
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如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
文档编号： 81584
修订版1.6 ， 14 10年7月
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VEMT3700F
硅NPN光电晶体管
威世半导体
胶带
120°
10.0
9.0
吸塑带
4.5
3.5
2.5
1.5
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
13.00
12.75
63.5
60.5
部件腔
94 8670
图。 11 - 吸塑带
180
178
14.4最大。
94 8665
3.5
3.1
2.2
2.0
图。 14 - 卷轴- GS08的尺寸
4.0
3.6
5.75
5.25
3.6
3.4
1.85
1.65
8.3
7.7
120°
10.4
8.4
1.6
1.4
4.1
3.9
2.05
1.95
4.1
3.9
0.25
4.5
3.5
2.5
1.5
13.00
12.75
62.5
60.0
94 8668
图。 12 - 磁带尺寸（mm）的PLCC- 2
MISSING器件
最多每分量的总数的0.5％的
盘可能会丢失，在完全缺少的组件
开始，并在卷轴的端部。最多三个
连续的组件可能会丢失，只要这种差距
后面是六个连续的组件。
鉴定
标签：
日前，Vishay
TYPE
组
胶带典
生产
CODE
QUANTITY
321
329
14.4最大。
18857
图。 15 - 卷轴- GS18的尺寸
德缫丝方向
盖带去除力
94 8158
去除力在于n的0.1 N和1.0在去除
速度为5毫米/秒。为了防止部件从
飞出的水泡，盖带必须拉断
在180 °相对于进给方向的角度。
> 160毫米
40空
车厢
分钟。 75空
车厢
磁带首
运营商的领导者
载拖车
图。 13 - 开始与卷筒结束
磁带引出是在至少160毫米，后面是
载带的领导者，至少40空隔间。
磁带引出可包括载带，只要
盖带未连接到载体带。最少
组件之后是载带挂车与至少
75空隔间，并与盖带密封。
文档编号： 81584
修订版1.6 ， 14 10年7月
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