VEMT2000X01 ， VEMT2020X01
威世半导体
硅NPN光电晶体管
特点
封装类型：表面贴装
包装形式： GW ， RGW
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.3× 2.3× 2.8
AEC- Q101标准
高辐射敏感性
日光阻断滤波器， 830 nm的匹配
以950纳米的红外线发射器
快速的响应时间
21568
VEMT2020X01
VEMT2000X01
半灵敏度角度：
= ± 15°
包装与红外发射器系列VSMB2000X01匹配
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb） -free回流焊
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
描述
VEMT2000X01系列硅NPN外延平面
光电晶体管与日光阻断滤波器中的一个缩影，
黑色圆顶透镜封装的表面安装。过滤器
带宽匹配与830纳米到950纳米的红外线发射器。
应用
检测器在汽车应用
光遮断器
微型开关
计数器
编码器
位置传感器
产品概述
部件
VEMT2000X01
VEMT2020X01
记
测试条件见表“基本特征”
I
ca
（MA ）
6
6
（度）
± 15
± 15
0.5
（纳米）
790到970
790到970
订购信息
订购代码
VEMT2000X01
VEMT2020X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
电源功耗
结温
工作温度范围
T
AMB
75 °C
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
V
T
j
T
AMB
价值
20
7
50
100
100
- 40至+ 100
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
文档编号： 81595
修订版1.2 ， 21 -FEB- 11
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
VEMT2000X01 ， VEMT2020X01
威世半导体
硅NPN光电晶体管
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
命中率。回流焊温度曲线图。 8
命中率。 J- STD- 051
测试条件
符号
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
- 40至+ 100
260
250
单位
°C
°C
K / W
120
P
V
- 功耗（MW ）
100
80
60
R
thJA
= 250 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21619
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极发射极击穿电压
集电极暗电流
集电极 - 发射极电容
收藏家光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
集电极 - 发射极饱和电压
我的温度系数
ca
I
C
= 0.05毫安
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
测试条件
I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 5 V ， E = 0
V
CE
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
= 950纳米，
V
CE
= 5 V
符号
V
首席执行官
I
首席执行官
C
首席执行官
I
ca
p
0.5
V
CESAT
Tk
ICA
1.1
3
分钟。
20
1
25
6
± 15
860
790到970
0.4
9
100
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
pF
mA
度
nm
nm
V
%/K
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文档编号： 81595
修订版1.2 ， 21 -FEB- 11
VEMT2000X01 ， VEMT2020X01
硅NPN光电晶体管
威世半导体
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
10 000
1
S(λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
60
70
80
90 100
21574
I
CE0
- 集电极暗电流（ NA）
I
F
= 0
1000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
100
V
CE
= 5 V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
600 650 700 750 800 850 900 950 1000 1050 1100
10
1
0
20594
10
20
30
40
50
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
λ
- 波长（nm ）
图。 2 - 集电极暗电流与环境温度
图。 5 - 相对光谱灵敏度与波长
0°
10°
20°
30°
100
I
ca
- 集电极灯电流（mA ）
10
S
REL
- 相对灵敏度
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
1
V
CE
= 5 V,
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
0.01
21573
0.1
1
10
94 8248
0.6
0.4
0.2
0
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 3 - 集电极光电流与光强
图。 6 - 相对辐射灵敏度与角位移
100
2.0
I
CA REL
- 相对集电极电流
90
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V
CE
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
λ
= 950 nm的
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
R
L
= 100
Ω
0
94 8239
20
40
60
80
100
20599
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 上升/下降时间与集电极电流
图。 7 - 相对集电极电流与环境温度
文档编号： 81595
修订版1.2 ， 21 -FEB- 11
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3
- 角位移
VEMT2000X01 ， VEMT2020X01
威世半导体
回流焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
硅NPN光电晶体管
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
最大。 30秒
温度（℃）
200
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 8 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
包装尺寸VEMT2000X01
以毫米为单位
0.4
1.8
± 0.1
± 0.1
2.77
± 0.2
1.6
0.05
2.2
2.2
5.8
± 0.2
0.3
0. 19
露铜
2.3
± 0.2
Z 20:1
1.1
± 0.1
0.5
± 0.2
0.4
2.3
集热器
销标识
辐射源
1.7
0.75
焊盘建议
ACC 。 IPC 7351
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
没有跟
2.3
6.7
± 0.1
lerances ±0.1
水彩编号： 6.544-5391.01-4
问题： 1 ; 08年9月26日
21570
0.254
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4
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文档编号： 81595
修订版1.2 ， 21 -FEB- 11
VEMT2000X01 ， VEMT2020X01
硅NPN光电晶体管
威世半导体
包装尺寸VEMT2020X01
以毫米为单位
0.4
1.8
2.77 ± 0.2
1.6
2.2
4.2 ± 0.2
0 .1 9
0.05
2.2
露铜
2.3 ± 0.2
0.5
2.3 ± 0.2
0.4
0.3
0.6
集热器
销标识
辐射源
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
0.75
焊盘建议
ACC 。 IPC 7351
未标明公差±0.1
2.45
5.15
水彩编号： 6.544-5383.01-4
问题： 4 ; 09年1月28日
21569
0.254
文档编号： 81595
修订版1.2 ， 21 -FEB- 11
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5
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