VEMD2000X01 ， VEMD2020X01
威世半导体
硅PIN光电二极管
特点
封装类型：表面贴装
包装方式：毛重， RGW
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.3× 2.3× 2.8
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
高灵敏度辐射
用830纳米的日光阻断滤波器匹配
950纳米的红外线发射器
快速的响应时间
角半灵敏度：
= ± 15°
与红外发射器系列套餐匹配
VSMB2000X01
地板寿命： 4周， MSL 2A ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
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要求在：
www.vishay.com/applications
21568-1
VEMD2020X01
VEMD2000X01
描述
VEMD2000X01和VEMD2020X01是高速和
在一个微型的表面高灵敏度PIN光电二极管安装
封装（ SMD）与圆顶透镜和日光阻断滤波器。
过滤器匹配的红外发射器工作在波长
830纳米到950纳米。芯片的光敏区域是
0.23 mm
2
.
应用
高速光电检测器
红外遥控器
红外数据传输
光遮断器
轴编码器
（度）
± 15
± 15
λ
0.5
（纳米）
750 1050
750 1050
产品概述
部件
VEMD2000X01
VEMD2020X01
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ra
(A)
12
12
订购信息
订购代码
VEMD2000X01
VEMD2020X01
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
最小起订量： 6000件， 6000件/卷
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
绝对最大额定值
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
文档编号： 81962
修订版1.1 ， 23 09年7月
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
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1
命中率。回流焊接温度曲线图。 7
命中率。 J- STD- 051
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
250
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
VEMD2000X01 ， VEMD2020X01
威世半导体
硅PIN光电二极管
基本特征
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
我的温度系数
k
反向光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
上升时间
下降时间
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA ， E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 5 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1
E
e
= 1
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
TK
Ik
I
ra
λ
p
λ
0.5
t
r
t
f
5
32
1
4
1.3
350
- 2.6
11
0.1
12
± 15
940
750 1050
100
100
10
分钟。
典型值。
1
马克斯。
单位
V
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
A
%/K
A
度
nm
nm
ns
ns
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
R
= 5 V
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
RA，相对
- 相对反向光电流
1000
1.4
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.2
100
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1.0
10
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.8
0.6
0
20
40
60
80
100
94
8427
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8416
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
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2
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文档编号： 81962
修订版1.1 ， 23 09年7月
VEMD2000X01 ， VEMD2020X01
硅PIN光电二极管
威世半导体
0°
10°
20°
30°
100
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
S
REL
- 相对灵敏度
10
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
1.0
V
CE
= 5
V
λ
= 950 nm的
0.1
0.01
16055
0.1
1
10
94
8248
0.6
0.4
0.2
0
E
e
- 辐射（毫瓦/平方厘米）
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对辐射强度对比角位移
8
C
D
- 二极管电容（pF ）
6
E=0
F = 1 MHz的
4
2
0
0.1
94
8430
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 4 - 二极管电容与反向电压
1.2
S (λ)
REL
- 相对光谱灵敏度
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
600
700
800
900
1000
1100
21554
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 相对光谱灵敏度与波长
文档编号： 81962
修订版1.1 ， 23 09年7月
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3
- 角位移
VEMD2000X01 ， VEMD2020X01
威世半导体
回流焊接温度曲线
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
硅PIN光电二极管
DryPack
装置被装在防潮袋（MBB ），以
防止产品吸湿时
运输和储存。每袋含有干燥剂。
地板寿命
车间寿命（焊接和拆卸MBB之间的时间）
不得超过MBB标签上注明的时间：
车间寿命4周
条件：T已
AMB
< 30 ℃，相对湿度< 60％的
潮湿敏感度等级2A， ACC 。以J- STD- 020 。
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
最大。舷梯
up
3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
烘干
如遇水分吸收装置应该出炉
前焊接。条件看J- STD- 020或标签。
在录音盘干燥设备使用条件推荐
在40℃ （ ±5 ℃） ，相对湿度< 5％的192小时。
19841
时间（s）
图。 7 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020D
包装尺寸
以毫米为单位：
VEMD2000
0.4
1.8
± 0.1
0.05 ± 0.1
Z
2.77 ± 0.2
1.6
2.2
2.2
5.8 ± 0.2
2.3 ± 0.2
露铜
0.3
0.19
Z 20:1
1.1 ± 0.1
0.5
2.3 ± 0.2
0.4
阴极
销标识
阳极
1.7
0.75
焊盘建议
ACC 。 IPC 7351
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
不
表示公差±0.1
2.3 ± 0.1
6.7
水彩编号： 6.544-5391.02-4
问题： 1 ; 08年9月26日
21517
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4
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文档编号： 81962
修订版1.1 ， 23 09年7月
0.254
VEMD2000X01 ， VEMD2020X01
硅PIN光电二极管
威世半导体
包装尺寸
以毫米为单位：
VEMD2020
0.4
1.8
2.77 ± 0.2
X
1.6
0.05
2.2
0.19
2.2
4.2 ± 0.2
露铜
0.3
X 20:1
2.3 ± 0.2
0.5
2.3 ± 0.2
0.4
0.6
阴极
销标识
阳极
0.75
焊盘建议
ACC 。 IPC 7351
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
不
表示公差±0.1
2.45
5.15
水彩编号： 6.544-5383.02-4
问题： 3 ; 08年9月26日
21488
0.254
文档编号： 81962
修订版1.1 ， 23 09年7月
如有技术问题，请联系：
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5
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