【订购数量： ENA0656VEC2612三洋半导体数据表VEC2612特点N沟道和P沟道MOSFET】,IC型号VEC2612,VEC2612 PDF资料,VEC2612经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA0656

VEC2612

三洋半导体

数据表

VEC2612

特点

N沟道和P沟道MOSFET的硅

通用开关设备

应用

最好适合于逆变器的应用程序。

该VEC2612集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET，具有低的导通电阻，

从而实现高密度安装。

4V的驱动器。

安装高度0.75毫米。

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

PT

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷基板

(900mm

2

0.8mm)1unit

(900mm

2

0.8mm)

条件

N沟道

30

±20

3

12

0.9

1.0

150

--55到150

P沟道

-

-30

±20

--3

-

-12

单位

V

A

W

°C

电气特性

在TA = 25℃

参数

[ N沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

ID = 1mA时， VGS = 0V

VDS = 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = 10V ，ID = 1毫安

VDS = 10V ，ID = 1.5A

ID = 1.5A ， VGS = 10V

ID = 1A ， VGS = 4V

VDS = 10V ， F = 1MHz的

30

1

±10

1.2

1.8

3.0

73

115

180

42

25

95

161

2.6

V

A

V

S

m

pF

符号

条件

评级

民

典型值

最大

单位

标记： CR

接下页。

描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品

能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，

该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致

严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表

用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你

应用程序。

三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任

AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件

在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）

本文描述或包含的产品。

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

12407PE TI IM TC- 00000407号A0656-1 / 6

VEC2612

从接下页。

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

[ P沟道]

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 30V ， VGS = 0V

VGS = ± 16V ， VDS = 0V

VDS = - 10V ，ID = -

-1mA

VDS = - 10V ，ID = -

-1.5A

ID = - 1.5A ， VGS = -

-10V

ID = - 1A ， VGS = - 4V

VDS = - 10V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 3A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 3A

VDS = - 10V ， VGS = -

-10V ， ID = - 3A

IS = - 3A ， VGS = 0V

--30

--1

±10

--1.0

2.0

3.4

65

117

510

115

78

11

17

53

35

11

2.4

1.7

--0.87

--1.2

86

168

--2.4

V

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

符号

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

VSD

条件

见指定的测试电路。

VDS = 10V ， VGS = 10V ， ID = 3A

IS = 3A ， VGS = 0V

评级

民

典型值

7

2.8

18.5

4.4

4.9

0.93

0.85

1.2

最大

单位

ns

nC

V

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7012-002

电气连接

8

0.25

7

6

5

0.3

0.15

8

7

6 5

0.25

1

2

2.9

3

0.65

4

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

1

2

3

4

2.8

2.3

顶视图

0.75

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

三洋： VEC8

0.07

第A0656-2 / 6

VEC2612

开关时间测试电路

[ N沟道]

VIN

10V

0V

VIN

ID=1.5A

RL=10

VOUT

VDD=15V

0V

--10V

VIN

ID = --1.5A

RL=10

VOUT

[ P沟道]

VIN

VDD = --15V

D

PW=10s

D.C.≤1%

D

PW=10s

D.C.≤1%

G

VEC2612

P.G

50

G

S

P.G

50

VEC2612

S

4.0

ID - VDS

5.0V

4.0

V

[ N沟道]

--4.0

ID - VDS

--5.

0V

[ P沟道]

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0

漏极电流ID -

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

--10

--8.0V

V

3.

0V

漏极电流ID -

V

--6.

0V

3.2

8.0V

6.0V

--4

.0

3.6

V

10.0

VGS =

--2.5V

VGS=2.5V

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

漏极至源极电压VDS - V

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

IT02942

ID - VGS

漏极至源极电压VDS - V

--5

IT07767

[ N沟道]

25

°

C

ID - VGS

[ P沟道]

TA

--

2

5

°

C

VDS=10V

--4

VDS =

--10V

75

°

C

漏极电流ID -

--3

--2

Ta=7

5

°

C

--25

°

C

1.0

0.5

0

0.5

1.0

1.5

TA

7

0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--1

5

°

C

25

°

C

0

3.0

3.5

4.0

4.5

--2.5

--3.0

IT07768

IT02943

2.0

2.5

栅极 - 源极电压VGS - V

250

RDS （ ON） - VGS

栅极 - 源极电压VGS - V

220

[ N沟道]

Ta=25

°

C

RDS （ ON） - VGS

25

°

C

[ P沟道]

Ta=25°C

--10

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

180

160

150

1.5A

ID=1.0A

ID = --1.5A

140

--1.0A

120

100

80

60

40

100

50

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

0

--2

--4

--6

--8

--25

°

C

--12

IT11980

栅极 - 源极电压VGS - V

IT11979

栅极 - 源极电压VGS - V

第A0656-3 / 6

VEC2612

250

RDS （ ON） - TA

[ N沟道]

220

RDS （ ON） - TA

[ P沟道]

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

--75

--50

--25

0

25

50

75

100

125

150

175

150

=4V

， VGS

1.0A

I D =

0V

V S = 1时

= 1.5A ，G

ID

0

--1.

I D =

A,

4V

=

--

V GS

100

I D =

=

--10

，V GS

--1.5A

V

50

0

--60

--40

--20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°

C

10

IT11981

环境温度，钽 -

°C

10

IT11982

y

fs - ID

[ N沟道]

正向转移导纳，

y

fs - S

y

fs - ID

[ P沟道]

VDS =

--10V

正向转移导纳，

y

fs - S

7

5

3

2

VDS=10V

7

5

C

25

°

3

2

1.0

7

5

3

2

=

Ta

--2

C

5

°

C

75

°

--

TA

C

25

°

C

25

°

C

75

°

1.0

7

5

3

--0.1

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

7

0.1

0.01

2

3

5

7 0.1

2

3

5

7 1.0

2

3

5

漏极电流ID -

10

7

5

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

0.01

0.2

0.3

0.4

IT02946

IS - VSD

漏极电流ID -

--10

7

5

3

2

IT07771

[ N沟道]

VGS=0V

IS - VSD

[ P沟道]

源出电流，是 - 个

--0.1

7

5

3

2

--0.01

7

5

3

2

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--1.1

°

C

Ta=7

5

--25

°

C

25

°

C

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

--0.001

--0.3

二极管的正向电压， VSD - V

100

7

IT02947

SW时间 - ID

二极管的正向电压， VSD - V

2

100

TA

75

°

C

25

°

C

--25

°

C

--1.0

7

5

3

2

IT07772

[ N沟道]

SW时间 - ID

TD （关闭）

tf

[ P沟道]

切换时间， SW时间 - NS

5

3

2

VDD=15V

VGS=10V

VDD = --15V

VGS = --10V

7

5

3

2

TD （关闭）

10

7

5

3

2

TD （上）

tf

TD （上）

10

7

5

3

2

1.0

--0.1

tr

1.0

0.1

2

3

5

7

1.0

2

3

5

漏极电流ID -

10

IT02948

7

2

3

5

7

--1.0

2

3

5

7

漏极电流ID -

IT07773

第A0656-4 / 6

VEC2612

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

[ N沟道]

f=1MHz

1000

7

5

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

[ P沟道]

f=1MHz

西塞，科斯，的Crss - pF的

3

2

西塞

3

2

100

7

5

100

7

5

3

科斯

3

2

10

0

5

10

15

20

25

30

IT02949

CRSS

2

0

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT07774

漏极至源极电压VDS - V

10

9

VGS - 的Qg

VDS=10V

ID=3A

漏极至源极电压VDS - V

--10

--9

[ N沟道]

VDS = --10V

ID = --3A

VGS - 的Qg

[ P沟道]

栅极 - 源极电压VGS - V

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

IT02950

栅极 - 源极电压VGS - V

--8

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

0

2

4

6

8

10

12

14

IT07775

总栅极电荷QG - 数控

3

2

10

7

5

总栅极电荷QG - 数控

3

2

--10

7

5

ASO

IDP=12A

[ N沟道]

≤10s

1m

ASO

IDP =

--12A

ID ↓

--3A

[ P沟道]

≤10s

10

s

漏极电流ID -

3

2

1.0

7

5

3

2

0.1

7

5

3

2

漏极电流ID -

ID=3A

0

10

ms

s

3

2

--1.0

7

5

3

2

--0.1

7

5

3

2

10

1m

0

s

10

ms

s

DC

o

pe

10

0

RAT

ms

DC

o

pe

离子

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

（大

=

RAT

离子

10

0m

s

25

°

C

)

操作在此

区域由的RDS（on ）的限制。

（大

=2

5

°

C

)

0.01

0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

2

3

5

7 1.0

2

3

5

7 10

2

3

5

--0.01

--0.1

Ta=25°C

单脉冲

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

1unit

2

3

5

7 --1.0

2

3

5

7 --10

2

3

5

1.2

漏极至源极电压VDS - V

IT11983

PD - TA

[ N沟道/ P沟道]

漏极至源极电压VDS - V

IT11984

安装在陶瓷板（ 900毫米

2

0.8mm)

允许功耗， PD - 含

1.0

0.9

0.8

To

t

0.6

al

1u

0.4

di

NIT

ss

ip

ATI

o

n

0.2

0

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT11985

第A0656-5 / 6