【VCUT0714A-02Z威世半导体双向非对称（ BIAS ）单线路ESD保护二极管SOD923特点】,IC型号VCUT0714A-02Z-GS08,VCUT0714A-02Z-GS08 PDF资料,VCUT0714A-02Z-GS08经销商,ic,电子元器件-51电子网

VCUT0714A-02Z

威世半导体

双向非对称（ BIAS ）单线路ESD保护

二极管SOD923

特点

微型SOD- 923封装

封装高度< 0.4毫米

工作范围 - 7 V至+ 14 V或 - 14 V至

+7V

低漏电流I

< 0.1 μA

20516-1

20503

低电容典型的C

= 8 pF的

ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2

± 25 kV接触放电

± 30 kV空气放电

工作电压范围V

RWM

= 5 V

记号

（例如只）

巴= 1脚打标

Y =类型代码（见下表）

X =日期代码

20279

E3 - 锡

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

订购信息

设备名称

VCUT0714A-02Z

订购代码

VCUT0714A-02Z-GS08

每卷胶带单位

（8毫米磁带ON 7" REEL ）

8000

最小起订量

8000

包数据

设备名称

VCUT0714A-02Z

包

名字

SOD-923

TYPE

CODE

重量

0.45毫克

模塑料

可燃性等级

符合UL 94 V -0

湿气

灵敏度级别

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值VCUT0714A - 02Z

参数

测试条件

引脚1到引脚2

ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次

引脚2到引脚1

ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次

引脚1到引脚2

ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次

引脚2到引脚1

ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次

接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲

空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲

结温

符号

价值

PPM

ESD

英镑

± 25

± 30

- 40至+ 125

- 55至+ 150

°C

单位

峰值脉冲电流

峰值脉冲功率

静电放电抗扰度

工作温度

储存温度

**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：

www.vishay.com/doc?99902

文档编号： 81627

修订版1.8 ， 09 - 8 - 09

如有技术问题，请联系：

ESDprotection@vishay.com

www.vishay.com

VCUT0714A-02Z

威世半导体

双向非对称（ BIAS ）单

线路ESD保护二极管SOD923

切割与VCUT0714A - 02Z尖峰

该VCUT0714A - 02Z是钳位正，负双向的，但不对称（ BIAS ） ESD保护器件

过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间的VCUT0714A - 02Z提供了一个高

隔离性（低泄漏电流，小电容）的指定工作范围内 - 7 V至+ 14 V或 - 14 V和+ 7 V.由于

以短引线和微型SOD- 923封装的线路电感很低的小尺寸封装，从而使快速瞬变

像ESD击可夹紧用最少的高估或下冲。

- 7 V ≤ V

≤ + 14 V

- 14 V ≤ V

≤ + 7 V

地

22288

地

电气特性VCUT0714A - 02Z

参数

保护路径

反向工作电压

反向电流

反向击穿电压

反向钳位电压

电容

测试条件/备注

行数可被保护的

在I = 1 μA

在V = 14 V

在I = 1毫安

在我

= 1 A

在我

= I

PPM

= 2 A

在V = 0 V ; F = 1 MHz的

在V = 7伏; F = 1 MHz的

符号

通道

RWM

分钟。

14.5

典型值。

马克斯。

0.1

8.5

单位

线

μA

记

在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。测量从引脚2到引脚1 。

电气特性VCUT0714A - 02Z

参数

保护路径

反向工作电压

反向电流

反向击穿电压

反向钳位电压

电容

测试条件/备注

行数可被保护的

在I = 1 μA

在V = 7V的

在I = 1毫安

在我

= 1 A

在我

= I

PPM

= 5 A

在V = 0 V ; F = 1 MHz的

在V = 3.5 V ; F = 1 MHz的

符号

通道

RWM

分钟。

7.3

典型值。

6.4

马克斯。

0.1

8.5

单位

线

μA

记

在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。从测量引脚1到引脚2 。

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如有技术问题，请联系：

ESDprotection@vishay.com

文档编号： 81627

修订版1.8 ， 09 - 8 - 09

VCUT0714A-02Z

双向非对称（ BIAS ）单

线路ESD保护二极管SOD923

典型特征

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

威世半导体

120 %

上升时间= 0.7 ns至1纳秒

引脚2比1

放电电流I

ESD

100 %

80 %

60 %

53 %

(V)

40 %

27 %

针1 2

20 %

- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

20557

0.01

20577

0.1

时间（纳秒）

(A)

100 1000 10 000

图。 1 - 静电放电电流波形

ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330

Ω/150

pF的）

图。 4 - 典型的反向电压V

与反向电流I

100 %

80 %

60 %

20微秒到50 ％

40 %

20 %

20548

8 μs至100 ％

引脚2比1

(V)

PPM

针1 2

20578

测得的累计。 IEC 61000-4-5

（ 8/20微秒 - 波形）

时间（μs ）

(A)

图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形

ACC 。 IEC 61000-4-5

图。 5 - 典型的峰值钳位电压V

与

峰值脉冲电流I

F = 1 MHz的

针1 2

命中率。 IEC 61000-4-2

+ 8千伏

接触放电

C- ESD

(V)

针1 2

（PF ）

引脚2比1

- 10

- 10 0

20579

10 20 30 40 50 60 70 80 90

20576

(V)

T（ NS ）

图。 3 - 典型的电容C

与反向电压V

图。 6 - 在+ 8 kV的典型钳位性能

接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）

文档编号： 81627

修订版1.8 ， 09 - 8 - 09

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VCUT0714A-02Z

威世半导体

双向非对称（ BIAS ）单

线路ESD保护二极管SOD923

- 10

- 20

命中率。 IEC 61000-4-2

- 8千伏

接触放电

180

160

140

120

命中率。 IEC 61000-4-2

接触放电

引脚2比1

C- ESD

(V)

- 30

- 40

- 50

- 60

- 70

- 80

- 10 0

10 20 30 40 50 60 70 80 90

针1 2

C- ESD

(V)

100

C- ESD

针1 2

20580

T（ NS ）

20575

ESD

（千伏）

图。 7 - 8千伏 - 在典型钳位性能

接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）

图。 8 - 典型的峰值钳位电压ESD时

接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）

包装尺寸

以毫米（英寸）：

SOD-923

5 °参考。

0.13 (0.005)

0.07 (0.003)

0.39 (0.015)

0.37 (0.015)

最大。 0.05 （ 0.002 ）

0.25 (0.010)

0.15 (0.006)

0.85 (0.033)

0.75 (0.030)

0.65 (0.026)

0.55 (0.022)

足迹推荐：

1.1 (0.043)

0.9 (0.035)

文件编号： S8 -V - 3880.05-001 （ 4 ）

启1 - 日期： 05.July.2006

20096

0.35 (0.014)

0.3 (0.012)

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文档编号： 81627

修订版1.8 ， 09 - 8 - 09

最大。 0.41 （ 0.016 ）

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11