VCUT05D1-SD0
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威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线ESD保护二极管
在硅封装
特点
超小型CLP0603封装
低封装高度< 0.3毫米
0.27
ESD保护1线
工作范围± 5.5 V
低漏电流< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 10 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 30 kV接触放电
± 30 kV空气放电
铅电镀：金（ E4 ）
铅材料： TiNiAg
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
22543
22544
0.3
0.6
记号
（例如只）
1
XY
22454
1 =年份代码
空心圆=月的代码和引脚1
XY =型号代码
记
**
请参阅文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
订购信息
设备名称
VCUT05D1-SD0
订购代码
VCUT05D1-SD0-G4-08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
15 000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VCUT05D1-SD0
包
名字
CLP0603
TYPE
模塑料
重量
CODE
可燃性等级
D1
0.12毫克
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
再溢流焊接
根据JEDEC STD- 020
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次
引脚1到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
6
78
± 30
± 30
- 55至+ 145
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
°C
°C
1.0版， 01月， 11
文档编号： 83443
1
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ESDprotection@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VCUT05D1-SD0
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切割与VCUT05D1 - SD0尖峰
该VCUT05D1 - SD0是一个双向对称（ BiSy ） ESD保护装置，夹子正面和负面的
过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间的VCUT05D1 - SD0提供了一个高
隔离（低漏电流，低电容）将指定的工作范围内。由于短引线和小封装
微小CLP0603包线电感的大小是非常低的，因此像快速瞬变和ESD击可夹紧
以最小的高估或下冲。
威世半导体
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
在I = 0.1 μA
在V = 5.5 V
在I = 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 6 A
在V = 0 V ; F = 1 MHz的
在V = 2.5 V ; F = 1 MHz的
测试条件/备注
行数可被保护的
符号
N
通道
V
RWM
V
R
I
R
V
BR
V
C
V
C
C
D
C
D
分钟。
-
-
5.5
-
6.5
-
-
-
-
典型值。
-
-
7.5
-
8
8.8
11
10
8.5
马克斯。
1
5.5
8.5
0.1
9
10
13
13
-
单位
线
V
V
μA
V
V
V
pF
pF
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
12
F = 1 MHz的
10
8
放电电流I
ESD
100 %
80 %
C
D
（PF ）
60 %
53 %
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间（纳秒）
22546
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
9
100 %
80 %
60 %
20微秒到50 ％
40 %
3
20 %
0%
0
20548
8 μs至100 ％
8
7
6
V
R
(V)
40
22547
I
PPM
5
4
2
1
10
20
30
0
10
-2
10
-1
1
10
1
10
2
10
3
10
4
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
1.0版， 01月， 11
图。 4 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
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2
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30
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
20
10
12
10
8
V
C- ESD
(V)
V
C
（V）中
6
0
- 10
- 20
V
C
4
2
0
0
V
C- ESD
30纳秒
测得的累计。符合IEC 61000-4-5
（ 8微秒/ 12微秒 - 波形）
1
2
3
4
5
6
7
- 30
0
22571
5
10
15
20
25
30
22548
I
PP
（a）中
V
ESD
（千伏）
图。 5 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 8 - 8 kV接触放电典型钳位性能
命中率。 IEC 61000-4-2
10
5
0
-5
- 10
- 15
- 20
- 25
- 30
- 35
- 40
- 45
- 10 0
22569
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
10 20 30 40 50 60 70 80 90
T（ NS ）
图。 6 - 8 kV接触放电典型钳位性能
命中率。 IEC 61000-4-2
40
35
30
25
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
20
15
10
5
0
-5
- 10
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
22570
T（ NS ）
图。 7 - 8 kV接触放电典型钳位性能
命中率。 IEC 61000-4-2
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包装尺寸
以毫米为单位（密耳） ：
CLP0603-2L
L
e1
在mm封装=芯片尺寸
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b
D
e
A
E
MILLIMETERS
分钟。
A
A1
b
D
E
e
e1
L
0.12
0.22
0.27
0.57
0.25
0.30
0.60
0.40
0.25
0.15
0.18
4.72
0.24
喃。
0.27
马克斯。
0.30
0.02
0.28
0.33
0.63
8.66
10.62
22.44
分钟。
9.44
密尔
喃。
10.63
马克斯。
11.81
0.79
9.84
11.81
23.62
15.75
9.84
5.91
7.09
11.02
12.99
24.80
足迹推荐：
SOLDER
0.75
抗蚀掩膜
0.02
0.02
0.3
22590
2航站楼
硅
封装（ Si0603 ）
文件编号：
S8-V-3906.04-023
(4)
创建 - 日期： 2010年十一月22
Rev.2号 - 日期： 2011年03八月
SOLDER
PAD
0.28
0.28
1.0版， 01月， 11
文档编号： 83443
4
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A1
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载带
以毫米为单位：
CLP0603
威世半导体
2
± 0.05
1.55
± 0.05
A-A
1.75
± 0.1
部分
0.2
± 0.02
A
4
± 0.1
3.5
± 0.05
0.2
± 0.05
8
- 0.1
+ 0.3
0.67
±0.03
最大
. 2°
A
B
B-B
B
部分
5°
0.33
± 0.03
0.37
± 0.03
10累积式公差
链
孔为+/- 0.2毫米
22591
载带
Si0603
文档编号
S8-V-3906.04-0025
(4)
创建 - 日期： 2010年十一月22
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文档编号： 83443
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