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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第197页 > VCUT0505B-HD1-GS08
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线ESD保护二极管
在LLP1006-2L
特点
超小型封装LLP1006-2L
低封装轮廓< 0.4毫米
ESD保护1线
工作范围为± 5 V
低漏电流I
R
< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 18 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 20 kV接触放电
± 25 kV空气放电
焊接可以通过标准视力检查被检查;
没有必要的透视
引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1
2
21129
20855
记号
（例如只）
XY
21121
巴=销1marking
X =日期代码
Y =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VCUT0505B-HD1
订购代码
VCUT0505B-HD1-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
8000
最小起订量
8000
包数据
设备名称
VCUT0505B-HD1
包
名字
LLP1006-2L
TYPE
CODE
L
重量
0.72毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
引脚1到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3.5
56
± 20
± 25
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
C
C
D
C
D
分钟。
-
5
-
7
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
18
14.5
马克斯。
1
-
0.1
-
12
16
20
-
单位
线
V
A
V
V
V
V
pF
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
1
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线
ESD保护二极管LLP1006-2L
切割与VCUT0505B -HD1尖峰：
该
VCUT0505B-HD1
是
双向
和
对称
该夹具正负（ BiSy ） ESD保护器件
过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间
VCUT0505B-HD1
提供了一个高
隔离（低漏电流，低电容）将指定的工作范围内。由于短引线和小封装
微小LLP1006-2L包线电感的大小是非常低的，因此像静电击快速瞬变可夹紧
以最小的高估或下冲。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
20
18
16
14
F = 1 MHz的
放电电流I
ESD
100 %
80
%
C
D
（PF ）
12
10
8
6
4
2
60 %
53 %
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0
0
21122
1
2
3
4
5
6
时间（纳秒）
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
10
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
20548
8 s
到100％
8
6
4
针1 2
V
R
(V)
40
2
0
-2
-4
-6
-
8
I
PPM
10
20
30
- 10
0.01
21123
0.1
1
10
100
1000 10 000
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 4 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
www.vishay.com
2
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
VCUT0505B-HD1
双向对称（ BiSy ）单线
威世半导体
ESD保护二极管LLP1006-2L
10
8
6
4
引脚2比1
40
引脚2比1
20
0
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
V
R
(V)
2
0
-2
-4
-6
-
8
- 10
0.01
0.1
1
10
100 1000 10 000
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
- 60
-
80
-10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
21124
I
R
(A)
21127
T（ NS ）
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
20
引脚2比1
15
10
正浪涌
200
引脚2比1
150
100
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
正放
V
C
(V)
5
0
-5
- 10
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
- 100
负
放电
命中率。 IEC 61000-4-2接触放电
- 200
V
C- ESD
V
C
负
浪涌
- 15
0
21125
- 150
4
21128
1
2
3
0
5
10
15
20
25
I
PP
(A)
V
ESD
（千伏）
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 9 - 典型的峰值。钳位电压ESD在接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
80
70
60
50
引脚2比1
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
40
30
20
10
0
- 10
- 20
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
21126
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
3
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线
ESD保护二极管LLP1006-2L
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP1006-2L
0.3 (0.012)
0.2 (0.008)
0.25 (0.010)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.15 (0.006)
0.55 (0.022)
0.45 (0.018)
0.65 (0.026)
0.55 (0.022)
0.33 (0.013)
0.05 (0.002)
0.4 (0.016)
0 (0.000)
定向Identi科幻阳离子
1.05 (0.041)
0.95 (0.037)
0.125 （ 0.005 ）参考。
足迹推荐：
0.2 (0.008)
1 (0.039)
SOLDER
抗蚀掩膜
0.6 (0.024)
0.5 [0.020]
焊盘
0.05 (0.002)
创建 - 日期： 13七月。 2007年
第4版 - 日期： 2008年12九月
文件编号： S8 -V - 3906.04-005 （ 4 ）
20812
0.5 (0.020)
0.25 (0.010)
阻焊开幕± 0.03
包的测量中间
www.vishay.com
4
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
法律免责声明
日前，Vishay
放弃
全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线ESD保护二极管
在LLP1006-2L
特点
超小型封装LLP1006-2L
低封装轮廓< 0.4毫米
ESD保护1线
工作范围为± 5 V
低漏电流I
R
< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 18 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 20 kV接触放电
± 25 kV空气放电
焊接可以通过标准视力检查被检查;
没有必要的透视
引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
1
2
21129
20855
记号
（例如只）
XY
21121
巴=销1marking
X =日期代码
Y =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VCUT0505B-HD1
订购代码
VCUT0505B-HD1-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
8000
最小起订量
8000
包数据
设备名称
VCUT0505B-HD1
包
名字
LLP1006-2L
TYPE
CODE
L
重量
0.72毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
引脚1到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3.5
56
± 20
± 25
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 2.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
线
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
C
C
D
C
D
分钟。
-
5
-
7
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
18
14.5
马克斯。
1
-
0.1
-
12
16
20
-
单位
线
V
A
V
V
V
V
pF
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
1
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线
ESD保护二极管LLP1006-2L
切割与VCUT0505B -HD1尖峰：
该
VCUT0505B-HD1
是
双向
和
对称
该夹具正负（ BiSy ） ESD保护器件
过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间
VCUT0505B-HD1
提供了一个高
隔离（低漏电流，低电容）将指定的工作范围内。由于短引线和小封装
微小LLP1006-2L包线电感的大小是非常低的，因此像静电击快速瞬变可夹紧
以最小的高估或下冲。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
20
18
16
14
F = 1 MHz的
放电电流I
ESD
100 %
80
%
C
D
（PF ）
12
10
8
6
4
2
60 %
53 %
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0
0
21122
1
2
3
4
5
6
时间（纳秒）
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
10
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0%
0
20548
8 s
到100％
8
6
4
针1 2
V
R
(V)
40
2
0
-2
-4
-6
-
8
I
PPM
10
20
30
- 10
0.01
21123
0.1
1
10
100
1000 10 000
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 4 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
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2
如有技术问题，请联系：
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文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
VCUT0505B-HD1
双向对称（ BiSy ）单线
威世半导体
ESD保护二极管LLP1006-2L
10
8
6
4
引脚2比1
40
引脚2比1
20
0
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
V
R
(V)
2
0
-2
-4
-6
-
8
- 10
0.01
0.1
1
10
100 1000 10 000
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
- 60
-
80
-10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
21124
I
R
(A)
21127
T（ NS ）
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
20
引脚2比1
15
10
正浪涌
200
引脚2比1
150
100
测
ACC 。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
正放
V
C
(V)
5
0
-5
- 10
V
C- ESD
(V)
50
0
- 50
- 100
负
放电
命中率。 IEC 61000-4-2接触放电
- 200
V
C- ESD
V
C
负
浪涌
- 15
0
21125
- 150
4
21128
1
2
3
0
5
10
15
20
25
I
PP
(A)
V
ESD
（千伏）
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 9 - 典型的峰值。钳位电压ESD在接触放电
（符合IEC 61000-4-2 ）
80
70
60
50
引脚2比1
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
40
30
20
10
0
- 10
- 20
- 10 0
10 20 30 40 50 60 70
80
90
21126
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
如有技术问题，请联系：
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www.vishay.com
3
VCUT0505B-HD1
威世半导体
双向对称（ BiSy ）单线
ESD保护二极管LLP1006-2L
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP1006-2L
0.3 (0.012)
0.2 (0.008)
0.25 (0.010)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.15 (0.006)
0.55 (0.022)
0.45 (0.018)
0.65 (0.026)
0.55 (0.022)
0.33 (0.013)
0.05 (0.002)
0.4 (0.016)
0 (0.000)
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1.05 (0.041)
0.95 (0.037)
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抗蚀掩膜
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创建 - 日期： 13七月。 2007年
第4版 - 日期： 2008年12九月
文件编号： S8 -V - 3906.04-005 （ 4 ）
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文档编号： 81852
修订版1.6 ， 10月26日10
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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