【VCUT03B1-DD1威世半导体双向对称（ BiSy ）单线ESD保护二极管在LLP1006-2M】,IC型号VCUT03B1-DD1,VCUT03B1-DD1 PDF资料,VCUT03B1-DD1经销商,ic,电子元器件-51电子网

VCUT03B1-DD1

威世半导体

双向对称（ BiSy ）单线ESD保护二极管

在LLP1006-2M

特点

超小型封装LLP1006-2M

低封装高度< 0.4毫米

ESD保护1线

工作范围± 3.5 V

低漏电流< 0.1 μA

低负载电容CD = 12.5 pF的

20855

21129

记号

（例如只）

ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2

± 18 kV接触放电

± 20 kV空气放电

焊接可通过标准的视觉检查进行检查。

没有必要的透视

引脚电镀镍钯金（ E4 ）无晶须生长

21121

巴= 1脚打标

X =日期代码

Y =类型代码（见下表）

符合RoHS指令2002/95 / EC

根据WEEE指令2002/96 / EC

和

订购信息

设备名称

VCUT03B1-DD1

订购代码

VCUT03B1-DD1

每卷胶带单位

（8毫米磁带ON 7" REEL ）

8000

最小起订量

8000

包数据

设备名称

VCUT03B1-DD1

包

名字

LLP1006-2M

TYPE

CODE

重量

0.72毫克

模塑料

可燃性等级

符合UL 94 V -0

湿气

灵敏度级别

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

参数

峰值脉冲电流

峰值脉冲功率

静电放电抗扰度

工作温度

储存温度

测试条件

ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨

= 8/20微秒;单发

引脚1到引脚2

ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨

= 8/20微秒;单发

接触放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲

空气放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲

结温

符号

PPM

ESD

英镑

价值

3.5

± 18

± 20

- 40至+ 125

- 55至+ 150

单位

°C

**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：

www.vishay.com/doc?99902

文档编号： 81148

修订版1.3 ， 13 10年7月

如有技术问题，请联系：

ESDprotection@vishay.com

www.vishay.com

VCUT03B1-DD1

威世半导体

双向对称（ BiSy ）

单线路ESD保护二极管

LLP1006-2M

切割与VCUT03B1 - DD1尖峰

该VCUT03B1 - DD1是一个双向对称（ BiSy ） ESD保护装置，夹子正面和负面的

过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间的VCUT03B1 - DD1提供了一个高

隔离（低漏电流，低电容）将指定的工作范围内。由于短引线和小封装

微小LLP1006-2M包线电感的大小是非常低的，因此像静电击快速瞬变可夹紧

以最小的高估或下冲。

电气特性

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

保护路径

相反的立场-O FF电压

反向电流

反向击穿电压

反向钳位电压

电容

测试条件/备注

行数可被保护的

在我

= 0.1 A

在V = 3.5

在I = 1毫安

在我

= 1 A

在我

= I

PPM

= 3.5 A

在V = 0 V ; F = 1 MHz的

在V = 2.5 V ; F = 1 MHz的

符号

线

RWM

分钟。

3.5

5.8

6.7

7.8

9.5

12.5

11.5

典型值。

马克斯。

0.1

7.5

11.5

单位

线

典型特征

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

120 %

上升时间= 0.7 ns至1纳秒

F = 1 MHz的

放电电流I

ESD

100 %

60 %

53 %

（PF ）

40 %

27 %

20 %

- 10 0 10 20 30 40 50 60 70

90 100

20557

时间（纳秒）

21787

(V)

图。 1 - 静电放电电流波形

ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330

/150

pF的）

图。 3 - 典型的电容C

与反向电压V

100 %

60 %

70％的

40 %

20 %

20548

8 s

到100％

(V)

PPM

21788

-2

-1

时间（μs ）

(A)

图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形

ACC 。 IEC 61000-4-5

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图。 4 - 典型正向电流I

与正向电压V

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文档编号： 81148

修订版1.3 ， 13 10年7月

VCUT03B1-DD1

双向对称（ BiSy ）

威世半导体

单线路ESD保护二极管

LLP1006-2M

(V)

测得的累计。 IEC 61000-4-5

(8/20

WAVE

表）

21789

(A)

图。 5 - 典型的反向电压V

与反向电流I

命中率。 IEC 61000-4-2

接触放电

C- ESD

(V)

- 10

- 20

- 30

- 10 0 10 20 30 40 50 60 70

21790

T（ NS ）

图。 6 - 典型的峰值钳位电压V

与

峰值脉冲电流I

160

140

120

命中率。 IEC 61000-4-2

接触放电

C- ESD

(V)

100

C- ESD

21791

ESD

（千伏）

图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能

接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）

文档编号： 81148

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VCUT03B1-DD1

威世半导体

双向对称（ BiSy ）

单线路ESD保护二极管

LLP1006-2M

包装尺寸

以毫米（英寸）：

LLP1006-2M

0.3 (0.012)

0.2 (0.008)

0.55 (0.022)

0.45 (0.018)

0.35 (0.014)

0.25 (0.010)

0.15 (0.006)

0.65 (0.026)

0.55 (0.022)

定向Identi科幻阳离子

1.05 (0.041)

0.95 (0.037)

0.125 （ 0.005 ）参考。

0.40 (0.016)

0.33 (0.013)

0.05 (0.002)

0 (0.000)

0.6 (0.024)

0.5 (0.020)

0.2 (0.008)

足迹推荐：

1 (0.039)

SOLDER

抗蚀掩膜

焊盘

0.05 (0.002)

0.5 (0.020)

文件编号： S8 -V - 3906.04-019 （ 4 ）

创建 - 日期： 24.June.2009

21798

0.25 (0.010)

阻焊开幕± 0.03

包的测量中间

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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明

关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的

产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数

数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有

工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证

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文档编号： 91000

修订： 11 -MAR- 11