VBUS05A1-SD0
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威世半导体
低电容双向对称（ BiSy ）单线
ESD保护二极管的硅封装
特点
超小型CLP0603封装
低封装高度< 0.3毫米
0.27
ESD保护1线
工作范围± 5.5 V
低漏电流< 0.1 μA
低负载电容C
D
< 0.8 pF的
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 13 kV接触discharge
± 13 kV空气放电
铅电镀：金（ E4 ）
铅材料： TiNiAg
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
22543
22544
0.3
0.6
记号
（例如只）
1
XY
22454
1 =年code
空心圆=月的代码和引脚1
XY =型号代码
订购信息
设备名称
VBUS05A1-SD0
订购代码
VBUS05A1-SD0-G4-08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
15 000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VBUS05A1-SD0
包
名字
CLP0603
TYPE
CODE
5A
重量
0.12毫克
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接条件
260 ℃/ 10秒，在终端
再溢流焊接
根据JEDEC STD- 020
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ， 8/20微秒/单次
引脚1到引脚2
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
2.5
45
± 13
± 13
- 55至+ 150
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
°C
°C
1.0版， 09 -JUL- 13
文档编号： 85245
1
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VBUS05A1-SD0
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ESD保护高速信号或数据线
该VBUS05A1 - SD0是一个双向对称（ BiSy ） ESD保护装置，夹子正面和负面的
过压瞬态接地。连接在信号或数据线和地面之间的VBUS05A1 - SD0提供了一个高
隔离（低漏电流，低电容）将指定的工作范围内。由于短引线和小封装
微小CLP0603包线电感的大小是非常低的，因此像快速瞬变和ESD击可夹紧
以最小的高估或下冲。由于非常低的电容的VBUS05A1 - SD0 ，可用于高速数据接口的
像HDMI ， USB 3.0或Thunderbold 。
威世半导体
电气特性“。
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
马克斯。反向工作电压
在我
R
= 0.1 μA
在V
RWM
= 5.5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 2.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 3.3 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
V
R
I
R
V
BR
V
C
V
C
C
D
C
D
分钟。
-
-
5.5
-
6.0
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
8.8
12.5
16
0.55
0.55
马克斯。
1
5.5
-
0.1
10
14
18
0.8
-
单位
线
V
V
μA
V
V
V
pF
pF
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
60 %
53 %
0.8
F = 1MHz的
0.7
0.6
0.5
引脚1-2或2-1脚
放电电流I
ESD
C
D
（PF ）
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
20557
时间（纳秒）
22702
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
10
100 %
80 %
60 %
8 μs至100 ％
9
8
7
引脚1-2或2-1脚
V
R
(V)
6
5
4
3
2
1
I
PPM
20微秒到50 ％
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
40
0
0.01
22703
0.1
1
10
100
1000 10 000
20548
时间（μs ）
I
R
在μA
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
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图。 4 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
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威世半导体
0分贝
18
16
14
12
引脚1-2或2-1脚
1分贝
引脚1-2或2-1脚
-5 V < V
R
< +5 V
V
C
(V)
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
测得的累计。符合IEC 61000-4-5
（ 8/20微秒 - 波形）
V
C
/S11/
-2分贝
-3分贝
-4分贝
-5分贝
1.0E+07
22707
1.0E+08
1.0E+09
22704
I
PP
(A)
F（赫）
图。 5 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
图。 8 - 典型衰减了50
System
140
120
10
100 000
引脚1-2或2-1脚
命中率。 IEC 61000-4-2
8千伏+ 8K
接触放电
10 000
引脚1-2或2-1脚
-5 V < V
R
< +5 V
阻抗（ Ω ）
V
C- ESD
(V)
80
60
40
20
0
-20
-10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
1000
100
10
1
1.0E+07
22708
1.0E+08
1.0E+09
22705
T（ NS ）
F（赫）
图。 6 - 8 kV接触放电典型钳位性能
（符合IEC 61000-4-2 ）
图。 9 - 典型二极管的阻抗与频率的关系
70
引脚1-2或2-1脚
60
50
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
40
30
20
10
0
0
5
10
15
V
C- ESD
30纳秒
22706
V
ESD
（千伏）
图。 7 - 在ESD接触放电典型钳位性能
（符合IEC 61000-4-2 ）在30纳秒
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包装尺寸
以毫米为单位（密耳） ：
CLP0603-2L
L
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在mm封装=芯片尺寸
e1
b
D
e
MILLIMETERS
分钟。
A
E
A1
A
密尔
马克斯。
0.30
0.02
分钟。
9.44
喃。
10.63
马克斯。
11.81
0.79
8.66
10.62
22.44
9.84
11.81
23.62
15.75
9.84
0.18
4.72
5.91
7.09
11.02
12.99
24.80
喃。
0.27
0.24
A1
b
D
E
e
e1
L
0.12
0.22
0.27
0.57
0.25
0.30
0.60
0.40
0.25
0.15
0.28
0.33
0.63
足迹推荐：
0.75
0.05
0.05
焊接
面膜
开盘
0.3
SOLDER
PAD
0.28
0.28
22606
2终端无引线封装（ CLP0603-2L ）
文件编号：
S8-V-3906.04-023
(4)
创建 - 日期： 2010年十一月22
订正 - 日期： 14 。
九月
2011
1.0版， 09 -JUL- 13
文档编号： 85245
4
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载带
以毫米为单位：
CLP0603
威世半导体
2
± 0.05
1.55
± 0.05
A-A
1.75
± 0.1
部分
0.2
± 0.02
A
4
± 0.1
3.5
± 0.05
0.2
± 0.05
8
- 0.1
+ 0.3
0.67
±0.03
A
B
B-B
B
部分
5°
0.33
± 0.03
0.37
± 0.03
10累积式公差
链
孔为+/- 0.2毫米
22591
TM
载带
SiPack
0603
文档编号
S8-V-3906.04-0025
(4)
创建 - 日期： 2010年十一月22
定向载波CLP0603
退绕方向
细节A
50:1
销1
A
CLP0603
顶视图
22607
定位于载带（ CLP0603 ）
S8-V-3906.04-026
(4)
22.10.2010
1.0版， 09 -JUL- 13
文档编号： 85245
5
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