VBUS053AZ-HAF
威世半导体
USB -OTG总线端口的ESD保护V
公共汽车
= 12 V
特点
超小型封装LLP75-7L
6
5
4
低封装高度< 0.6毫米
USB ESD保护，最大3线。
工作范围= 5.5 V
7
V
公共汽车
- 保护， 12 V工作范围
21102
1
2
3
低漏电流
低负载电容C
D
= 0.7 pF的
20517
1
ESD保护符合IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
浪涌电流ACC 。 IEC 61000-4-5我
PP
> [3] A
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
记号
（例如只）
XX
YY
21001
点= 1脚打标
XX =日期代码
YY =类型代码（见下表）
订购信息
设备名称
VBUS053AZ-HAF
订购代码
VBUS053AZ-HAF-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
15 000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
VBUS053AZ-HAF
包
名字
LLP75-7L
TYPE
CODE
U9
重量
4.2毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
V
公共汽车
： 6脚对地（引脚7 ）
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
ACC 。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20微秒/单次
ACC 。 IEC 61000-4-5 ; TP = 8/20微秒/单次
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
I
PPM
P
PP
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
8
240
± 30
± 30
- 40至+ 125
- 55至+ 150
A
W
kV
kV
°C
°C
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
p
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
V
ESD
价值
3
36
± 15
± 15
单位
A
W
kV
kV
数据线D +，D-的ID ：引脚1,2和3至地面（引脚7）
**请参见文件“日前，Vishay材质分类政策” ：
www.vishay.com/doc?99902
文档编号： 81845
修订版1.4 ， 16日-12月10
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ESDprotection@vishay.com
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1
VBUS053AZ-HAF
威世半导体
USB -OTG总线端口ESD保护
对于V
公共汽车
= 12 V
电气特性
所有的输入（引脚1，2，和3）接地（引脚7）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
正向电压
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
线路电容
线对称
线间电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 0.1 A
在V
R
= V
RWM
= 3.3 V ;中T = 65℃
在V
R
= V
RWM
= 5.5 V
在我
F
= 15毫安
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 ; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
PP
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
F
= 3 A; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V测试引脚
R
= 0 V;
在V任何其他I / O引脚
R
= 3.3 V ， F = 1兆赫
线电容的差
间销1,2和3
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
I
R
V
F
V
BR
V
C
V
C
V
F
C
D
dC
D
C
DD
分钟。
-
5.5
-
-
0.7
6.5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
10
15
3.4
0.7
-
0.35
马克斯。
3
-
0.085
1
1.2
10
12
18
4.1
1
0.1
0.5
单位
线
V
A
A
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
记
环境温度Tamb = - 40 ° C至85°C ，除非另有说明
电气特性
V
公共汽车
（引脚6）接地（引脚7）
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
正向电压
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
线路电容
测试条件/备注
线的数目可被保护的
在我
R
= 100 nA的
在V
R
= V
RWM
= 12 V
在我
F
= 10毫安
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 ; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
PP
= 8 A; ACC 。 IEC 61000-4-5 ;中T = 25℃
在我
F
= 8 A; ACC 。 IEC 61000-4-5
在V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
F
V
BR
V
C
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
12
-
0.6
15
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.75
-
17.5
25
-
70
马克斯。
1
-
100
0.9
18
20
30
2.2
85
单位
LINE
V
nA
V
V
V
V
V
pF
记
环境温度Tamb = - 40 ° C至85°C ，除非另有说明
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文档编号： 81845
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VBUS053AZ-HAF
USB -OTG总线端口ESD保护
威世半导体
对于V
公共汽车
= 12 V
应用说明
该VBUS053AZ - HAF的目的是作为一个ESD保护和瞬态电压抑制器一个USB -OTG端口。
该LLP75-7L包中包含两个单独的管芯被安装在一个共同的接地平面（引脚7）。高速数据
线D-， D +和标识，被连接到任何引脚没有。为13 ，只要在数据线上的信号电压之间的
地面和5伏的工作范围时，低电容的PN二极管提供了一个非常高的隔离接地和其它数据线。
但只要任何瞬态信号一样的ESD信号，超过了5V电压在正或负方向上该工作范围内，
该PN二极管中的一个进入正向模式和夹紧瞬态或者接地，或者通过水平雪崩中断。
一个额外的雪崩二极管（单管芯）钳位电源线的电压（V
公共汽车
在引脚6）上述12 V工作范围到地
（引脚7 ） 。
由于“两片建设”的V
公共汽车
线具有非常高的隔离到数据线。在发生破坏性的瞬态信号，
即从一个充电器来，数据线也不会受到影响。
V
公共汽车
6
（钉顶部
VIEW ）
5
4
NC 。 NC 。
6
7
GND
7
1
2
3
5
4
1
D-
2
D+
3
ID
21103
备注：
输入引脚没有。 1 ， 2和3是对称的。各数据信号D-， D +和ID可以被连接到针的1 ， 2或3 。
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
80
F = 1 MHz的
70
60
80
%
60 %
53 %
6引脚到引脚7
放电电流I
ESD
100 %
C
D
（PF ）
50
40
30
20
10
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0
21468
0
5
10
15
时间（纳秒）
V
R
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
0.8
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
0.1
0%
0
20548
8 s
到100％
F = 1MHz时，一个I / O为3.3引脚
V
0.7
0.6
C
D
（PF ）
0.5
0.4
0.3
引脚1 ， 2或3针7
0.2
I
PPM
0
10
20
30
40
21469
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
时间（μs ）
V
R
(V)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形Formacc 。 IEC 61000-4-5
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图。 4 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
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对于V
公共汽车
= 12 V
100
30
测得的累计。 IEC 61000-4-5
(8/20
s
-
WAVE
表）
10
6引脚到引脚7
25
P 6为p 7
20
I
F
（MA ）
V
C
(V)
1
引脚1 ， 2或3针7
0.1
15
10
V
C
0.01
5
P 7为p 6
0
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
21473
0.001
0.5
21470
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11
V
F
(V)
I
PP
(A)
图。 5 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
图。 8 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
20
18
16
14
6引脚到引脚7
V
R
(V)
12
10
8
6
4
2
0
0.01
0.1
1
10
100
1000 10 000
引脚1 ， 2或3针7
21471
I
R
(A)
图。 6 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
18
测得的累计。 IEC 61000-4-5 （ 8/20
s
-
WAVE
表）
16
14
12
P 1 ， 2 O R 3至P 7
V
C
(V)
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
P在7至P 1 ， 2 O R 3
V
F
21472
I
PP
(A)
图。 7 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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USB -OTG总线端口ESD保护
威世半导体
对于V
公共汽车
= 12 V
包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP75-7L
1.05 (0.041)
0.95 (0.037)
散热器
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.2 (0.008)
0.3 (0.012)
0.3 (0.012)
0.45 (0.018)
0.55 (0.022)
1 (0.039)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
0.6 (0.024)
1.65 (0.065)
引脚1标记
1.55 (0.061)
1.65 (0.065)
足迹推荐：
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.15 (0.006)
0.25 (0.010)
1 (0.039)
0.5 (0.020)
1 (0.039)
1.55 (0.061)
0.54 (0.021)
0.05 (0.002)
0 (0.000)
0.2 (0.008)
阻焊掩膜
文件编号： S8 -V - 3906.02-014 （ 4 ）
创建 - 日期： 2006年04月
20500
焊盘
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