VBUS052CD-FAH
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威世半导体
2线总线端口的ESD保护 - 流经设计
特点
NC
6
NC
5
GND
4
紧凑LLP1713-7L包
低封装高度< 0.6毫米
ESD保护的2线
低漏电流I
R
< 0.1 μA
低负载电容C
D
= 0.8 pF的
适用于如高速数据线
- HDMI ， DisplayPort的，个eSATA
- USB ， 1394 /火线
ESD保护ACC 。 IEC 61000-4-2
± 15 kV接触放电
± 15 kV空气放电
焊接可通过标准的视觉检查进行检查。
没有必要的透视
20719
7
1
21325
2
D-
3
GND
D+
21323
记号
（例如只）
YXX
点= 1脚打标
Y =类型代码（见下表）
XX =日期代码
e4的 - 贵金属（如银，金， NIPD ，镍钯金）（无Sn）的
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
订购信息
设备名称
VBUS052CD-FAH
订购代码
VBUS052CD-FAH-GS08
每卷胶带单位
（8毫米磁带ON 7" REEL ）
3000
最小起订量
15 000
包数据
设备名称
包
名字
TYPE
CODE
G
重量
3.7毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气
灵敏度级别
MSL等级1
（根据J- STD- 020 ）
焊接
条件
260 ℃/ 10秒，在终端
VBUS052CD - FAH LLP1713-7L
绝对最大额定值
参数
峰值脉冲电流
峰值脉冲功率
静电放电抗扰度
工作温度
储存温度
测试条件
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
ACC 。 IEC 61000-4-5 ;吨
P
= 8/20微秒;单发
接触放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
空气放电ACC 。 IEC 61000-4-2 ; 10个脉冲
结温
符号
I
PPM
P
PP
V
ESD
V
ESD
T
J
T
英镑
价值
3.5
63
± 15
± 15
- 40至+ 125
- 55至+ 150
单位
A
W
kV
kV
°C
°C
修订版1.3 ， 5月31日 - 12
文档编号： 81881
1
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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电气特性
（引脚1或2到3脚， 4或7 ）
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
保护路径
相反的立场-O FF电压
反向电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
线的数目可被保护的
马克斯。反向工作电压
在我
R
= 0.1 μA
在V
RWM
= 5 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在我
F
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
V
R
I
R
V
BR
V
C
V
C
V
F
V
F
C
D
分钟。
-
-
5
-
6.9
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
＆ LT ; 0.01
7.9
10
15
1.9
4
0.8
马克斯。
2
5
-
0.1
8.7
12
18
2.4
5
1
单位
线
V
V
μA
V
V
V
V
V
pF
应用说明
该
VBUS052CD-FAH
是两线的ESD保护器件与稳压二极管具有高的抗ESD能力的特性和
非常低的电容，这使得它可用于高频应用，如USB2.0或HDMI 。
与
VBUS052CD-FAH
2高速数据线可被保护，防止像的ESD瞬态电压信号（静电
放电） 。连接到数据线（引脚1和2），接地（引脚3 ）负瞬态进行钳位收盘跌破
而积极的瞬变将收盘价高于5 V工作范围夹紧地面。的夹紧行为
VBUS052CD-FAH
是双向的，但不对称（ BIAS ） ，所以它提供了应用程序的运行速度高达5 V.最好的保护
引脚CON组fi guration ：
引脚3,4和7的内部短路，并连接到接地
引脚1和2的输入，数据线D
+
和D
-
引脚5和6没有内部连接
NC
6
NC
5
GND
4
USB / HDMI接口
D+
一对匹配
5
D-
7
1
21325
2
D-
3
GND
6
4
7
D+
1
2
3
D+
21327
D -
GND
I / O端口连接器
流以设计
现代数字传输线可以主频高达480兆比特/秒（ USB2.0 ）或1.65 Gbit / s的（ HDMI ） 。
在这样高的数据速率的传输线，如电缆或PCB上的线迹必须要对非常均匀
其特性阻抗。这就要求其必须被计算定义良好的跟踪尺寸迹宽度和距离
取决于所需的特性阻抗（例如50
)
和PCB材料和层的尺寸。连接任何设备
到数据线 - 像ESD保护器件 - 不得不与这些迹线的尺寸最小的变化，并进行连接
距离。
与封装在所谓的“流通过设计” ，这是可能的。这些行沿印刷电路板，而直行
VBUS052CD-FAH
被放置在顶部没有任何通路或回路。
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典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100 %
80 %
60 %
53 %
威世半导体
100
放电电流I
ESD
10
I
F
（MA ）
1
0.1
引脚3到引脚1和2
0.01
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0.001
0.5
21478
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
20557
时间（纳秒）
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
/150
pF的）
V
F
(V)
图。 4 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
9
100 %
80 %
60 %
8 μs至100 ％
8
7
6
引脚1或2至3针
V
R
(V)
40
5
4
3
2
1
I
PPM
20微秒到50 ％
40 %
20 %
0%
0
10
20
30
0
0.01
21479
0.1
1
10
100
1000 10 000
20548
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与
反向电流I
R
1.0
0.9
0.8
0.7
F = 1 MHz的
2脚为0V
18
16
14
2脚，3 V时
12
测得的累计。 IEC 61000-4-5
（ 8 / 20μS - 波形）
引脚1或2至3针
C
D
（PF ）
V
C
(V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
2脚在5 V
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
引脚3到引脚1和2
V
C
21480
V
R
在引脚1 （ V）
21481
I
PP
(A)
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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120
100
80
命中率。 IEC 61000-4-2
+ 8千伏
接触放电
V
C- ESD
(V)
60
40
20
0
- 20
- 40
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
21528
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
20
0
- 20
- 40
V
C- ESD
(V)
- 60
- 80
- 100
- 120
- 140
- 160
- 180
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
命中率。 IEC 61000-4-2
- 8千伏
接触放电
21529
T（ NS ）
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
200
150
100
50
正放
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
0
- 50
- 100
- 150
- 200
- 250
- 300
0
5
10
15
20
负排放
V
C- ESD
21530
V
ESD
（千伏）
图。 9 - 典型的峰值钳位电压ESD时
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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包装尺寸
以毫米（英寸）：
LLP1713-7L
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0.5 （ 0.020 ） BSC
0.28 (0.011)
0.22 (0.009)
0.25 (0.010)
0.19 (0.007)
1 （ 0.039 ）参考。
1.4 (0.055)
1.3 (0.051)
0.05 (0.002)
0 (0.000)
0.152 （ 0.006 ）参考。
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
1 (0.039)
1.75 (0.069)
1.65 (0.065)
引脚1标记
足迹推荐：
0.5 (0.020)
0.25 (0.010)
0.5 (0.020)
0.4 (0.016)
0.15 (0.006)
0.22 (0.009)
SOLDER
抗蚀掩膜
文件编号： S8 -V - 3906.04-008 （ 4 ）
创建 - 日期： 2008年15月
第2版 - 日期： 2008年9月09
21329
0.37 (0.015)
焊盘
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