VBPW34FAS ， VBPW34FASR
威世半导体
硅PIN光电二极管
特点
封装类型：表面贴装
包装方式：毛重， RGW
外形尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 6.4× 3.9× 1.2
辐射敏感区（单位：mm
2
): 7.5
高灵敏度辐射
VBPW34FAS
日光阻断滤波器， 870纳米到匹配
950纳米发射器
快速的响应时间
角半灵敏度：
= ± 65°
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ） -free回流焊
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
VBPW34FASR
和
in
21726
应用
红外辐射高速探测器
=红外
远程
控制
和
免费
空气
数据
transmissionsystems ，如与TSFFxxxx组合
系列IR发射器
描述
VBPW34FAS和VBPW34FASR是高速和高
敏感的PIN光电二极管。它是一个表面安装器件
（SMD） ，包括带有7.5毫米芯片
2
敏感区和
与IR匹配的日光阻断滤波器发射器的工作
在波长870纳米或950纳米。
产品概述
部件
VBPW34FAS
VBPW34FASR
记
测试条件见附表“基本特征”
I
ra
(A)
55
55
（度）
± 65
± 65
λ
0.5
（纳米）
780到1050
780到1050
订购信息
订购代码
VBPW34FAS
VBPW34FASR
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
包装形式
鸥翼
相反的鸥翼式
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
命中率。回流焊sloder曲线图。 8
T
AMB
≤
25 °C
测试条件
符号
V
R
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
60
215
100
- 40至+ 100
- 40至+ 100
260
350
单位
V
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
文档编号： 81127
修订版1.1 ， 20 -APR- 10
如有技术问题，请联系：
detectortechsupport@vishay.com
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1
VBPW34FAS ， VBPW34FASR
威世半导体
硅PIN光电二极管
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
V温度COEF网络cient
o
短路电流
我的温度系数
k
反向光电流
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
噪声等效功率
上升时间
下降时间
V
R
= 10 V,
λ
= 950 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
V
R
= 10 V ，R
L
= 1 kΩ,
λ
= 820 nm的
测试条件
I
F
= 50毫安
I
R
= 100 μA ， E = 0
V
R
= 10 V ， E = 0
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
V
R
= 3 V ， F = 1MHz时， E = 0
E
e
= 1
E
e
= 1
E
e
= 1
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
毫瓦/平方厘米
2
,
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
λ
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950 nm的
符号
V
F
V
（ BR ）
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
TK
Ik
I
ra
λ
p
λ
0.5
NEP
t
r
t
f
45
60
2
70
25
350
- 2.6
50
0.1
55
± 65
950
780到1050
4x
10
-14
40
30
分钟。
典型值。
1
马克斯。
1.3
单位
V
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
A
%/K
A
度
nm
nm
W / √Hz的
ns
ns
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 950纳米，
V
R
= 5 V
100
100
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流（ NA）
1.4
1.2
100
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1.0
10
0.8
V
R
= 10
V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
20
40
60
80
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8403
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
94
8409
图。 1 - 反向暗电流与环境温度
图。 2 - 相对反向光电流与环境温度
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文档编号： 81127
修订版1.1 ， 20 -APR- 10
VBPW34FAS ， VBPW34FASR
硅PIN光电二极管
威世半导体
S(λ)
φ
,
REL
- 相对光谱灵敏度
10
1000
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
600
700
800
900
1000
λ
-
波长
（纳米）
1100
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
100
10
V
R
= 5
V
λ
= 950 nm的
1
0.1
0.01
12787
0.1
1
E
e
- 辐射
（毫瓦/平方厘米
2
)
21743
图。 3 - 反向光电流与光强
图。 6 - 相对光谱灵敏度与波长
100
0°
10°
20°
30°
S
REL
- 相对辐射灵敏度
I
ra
- 反向光电流（ μA ）
1毫瓦/厘米
2
0.5毫瓦/平方厘米
2
0.2毫瓦/平方厘米
2
10
0.1毫瓦/平方厘米
2
0.05毫瓦/平方厘米
2
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
1
0.1
12788
λ
= 950 nm的
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
94
8406
图。 4 - 反向光电流与反向电压
图。 7 - 相对辐射灵敏度与角位移
80
C
D
- 二极管电容（pF ）
60
E=0
F = 1 MHz的
40
20
0
0.1
948407
1
10
100
V
R
- 反向
电压
(V)
图。 5 - 二极管电容与反向电压
文档编号： 81127
修订版1.1 ， 20 -APR- 10
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3
- 角位移
VBPW34FAS ， VBPW34FASR
威世半导体
硅PIN光电二极管
封装尺寸为VBPW34FAS
以毫米为单位
0.75 ± 0.05
1.2 ± 0.1
0.15 ± 0.02
0.1 -0.1
平坦的地方0.3分。
4.4 ± 0.1
2.2
0.18 ± 0.2
芯片尺寸
3x3
1.6 ± 0.1
0.8 ± 0.1
1 ± 0.15
6.4 ± 0.3
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
推荐焊盘
8.9
5.4
水彩编号： 6.541-5086.01-4
问题： 1 ; 10年4月15日
22105
1.8
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4
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文档编号： 81127
修订版1.1 ， 20 -APR- 10
3.9 ± 0.1
阳极
阴极
1.95
（0.47参考）
VBPW34FAS ， VBPW34FASR
硅PIN光电二极管
威世半导体
封装尺寸为VBPW34FASR
以毫米为单位
平坦的地方0.3分
0.1分钟。
1.2 ± 0.1
0.15 ± 0.02
0.75 ± 0.05
4.4 ± 0.1
2.2
0.18 ± 0.2
芯片尺寸
3x3
1.6 ± 0.1
1.95
0.8 ± 0.1
（0.47参考）
6.4 ± 0.3
8.9
5.4
3.9 ± 0.1
阳极
阴极
1 ± 0.3
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
推荐焊盘
水彩编号： 6.541-5085.01-4
问题： 1 ; 10年4月15日
22104
1.8
文档编号： 81127
修订版1.1 ， 20 -APR- 10
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5
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