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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第171页 > VB60100C-E3/8W
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.36 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
TO-263AB
K
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
2
2
V60100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VB60100C
销1
销2
K
散热器
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
1
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
2× 30 A
100 V
320 A
0.66 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀为商业级，符合JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V60100C
100
60
30
A
320
- 40 + 150
°C
VB60100C
单位
V
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
V
R
= 80 V
反向电流在额定V
RM
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2 ）脉冲测试： 10毫秒脉冲宽度
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100（最低）
0.45
0.52
0.58
0.63
0.73
V
F
T
A
= 125 °C
0.36
0.45
0.53
0.58
0.66
24
13
I
R
65
30
马克斯。
-
-
-
0.63
-
0.79
-
-
0.58
-
0.70
500
20
1000
-
A
mA
A
mA
单位
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V60100C
2.5
VB60100C
2.5
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
V60100C-E3/4W
VB60100C-E3/4W
VB60100C-E3/8W
单位重量（g ）
1.89
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
70
负载电阻或电感
60
30
D = 0.8
25
D = 0.5
D = 0.3
20
D = 1.0
D = 0.2
15
D = 0.1
T
10
平均正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
平均功耗（ W）
5
D =吨
p
/T
t
p
0
0
5
10
15
20
25
30
35
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
www.vishay.com
2
图2.正向功率损耗特性每二极管
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
100
10000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
1000
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
10
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
0.1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
60
70
80
90
100
瞬时反向电流（mA ）
1
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
0.0001
10
20
30
40
50
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
www.vishay.com
4
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
www.vishay.com
1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.36 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
TO-263AB
K
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
V60100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VB60100C
销1
销2
K
散热器
1
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
2× 30 A
100 V
320 A
0.66 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V60100C
100
60
30
A
320
- 40 + 150
°C
VB60100C
单位
V
文档编号： 88942
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
V
R
= 80 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100（最低）
0.45
0.52
0.58
0.63
0.73
V
F
T
A
= 125 °C
0.36
0.45
0.53
0.58
0.66
24
13
I
R
65
30
马克斯。
-
-
-
0.63
-
0.79
-
-
0.58
-
0.70
500
20
1000
-
A
mA
A
mA
单位
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V60100C
2.5
VB60100C
2.5
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
V60100C-E3/4W
VB60100C-E3/4W
VB60100C-E3/8W
单位重量（g ）
1.89
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
70
负载电阻或电感
60
30
D = 0.8
25
D = 0.5
D = 0.3
20
D = 1.0
D = 0.2
15
D = 0.1
T
10
平均正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
平均功耗（ W）
5
D =吨
p
/T
t
p
0
0
5
10
15
20
25
30
35
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
文档编号： 88942
修订： 19 08年5月
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
100
10 000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
1000
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
1000
10
100
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
60
70
80
90
100
瞬时反向电流（mA ）
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88942
修订： 19 08年5月
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3
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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日前，Vishay
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日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
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修订： 18 -JUL- 08
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1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.36 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
TO-263AB
K
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB ）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
对于高频转换器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 263AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
2
V60100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VB60100C
销1
销2
K
散热器
1
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
2× 30 A
100 V
320 A
0.66 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加每个二极管的额定载荷
非重复性雪崩能量
在T
J
= 25 ° C，L = 140元二极管毫亨
在t重复峰值反向电流
p
= 2微秒， 1 kHz时，
T
J
= 38 ° C± 2°C的每二极管
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V60100C
100
60
30
320
450
1.0
10 000
- 40 + 150
VB60100C
单位
V
A
A
mJ
A
V / μs的
°C
文档编号： 88942
修订： 24军09
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1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
V
R
= 80 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100（最低）
0.45
0.52
0.58
0.63
0.73
V
F
T
A
= 125 °C
0.36
0.45
0.53
0.58
0.66
24
13
I
R
65
30
马克斯。
-
-
-
0.63
-
0.79
-
-
0.58
-
0.70
500
20
1000
-
A
mA
A
mA
单位
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V60100C
2.5
VB60100C
2.5
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
V60100C-E3/4W
VB60100C-E3/4W
VB60100C-E3/8W
单位重量（g ）
1.89
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
70
负载电阻或电感
60
30
D = 0.8
25
D = 0.5
D = 0.3
20
D = 1.0
D = 0.2
15
D = 0.1
T
10
平均正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
平均功耗（ W）
5
D =吨
p
/T
t
p
0
0
5
10
15
20
25
30
35
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
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修订： 24军09
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
100
10 000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
1000
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
1000
10
100
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
10
1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
60
70
80
90
100
瞬时反向电流（mA ）
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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3
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 （ 10.66 ） MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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全部产品，产品规格及数据如有更改，恕不另行通知，以改善
可靠性，功能，设计或其他原因。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理商和雇员，和所有代表及其或其各自的（统称个人，
“威世” ） ，包含在任何数据或任何其他的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前，Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证，声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内， Vishay不承担（ i）任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用， （ ii）任何及所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失，及（iii）任何和所有的暗示担保，包括适销性和针对特定担保
目的，非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明，否则Vishay产品不用于医疗，救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前，Vishay Intertechnology，Inc.是在此证明，所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制，根据安理会的指令，欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
（EEE ） - 重铸，除非另外指定为不符合要求的。
请注意，某些日前，Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认，
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订： 12 -MAR- 12
1
文档编号： 91000
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.36 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
TO-263AB
K
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
低热阻
2
2
V60100C
销1
3脚
销2
例
3
1
VB60100C
销1
销2
K
散热器
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
1
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
2× 30 A
100 V
320 A
0.66 V
150 °C
机械数据
案例：
TO- 220AB和TO- 263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀为商业级，符合JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
V60100C
100
60
30
A
320
- 40 + 150
°C
VB60100C
单位
V
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
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1
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 15 A
I
F
= 20 A
I
F
= 30 A
V
R
= 80 V
反向电流在额定V
RM
每二极管
(2)
V
R
= 100 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（2 ）脉冲测试： 10毫秒脉冲宽度
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
100（最低）
0.45
0.52
0.58
0.63
0.73
V
F
T
A
= 125 °C
0.36
0.45
0.53
0.58
0.66
24
13
I
R
65
30
马克斯。
-
-
-
0.63
-
0.79
-
-
0.58
-
0.70
500
20
1000
-
A
mA
A
mA
单位
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V60100C
2.5
VB60100C
2.5
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
首选的P / N
V60100C-E3/4W
VB60100C-E3/4W
VB60100C-E3/8W
单位重量（g ）
1.89
1.38
1.38
封装代码
4W
4W
8W
基地数量
50/tube
50/tube
800/reel
配送方式
管
管
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
70
负载电阻或电感
60
30
D = 0.8
25
D = 0.5
D = 0.3
20
D = 1.0
D = 0.2
15
D = 0.1
T
10
平均正向电流（ A）
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
平均功耗（ W）
5
D =吨
p
/T
t
p
0
0
5
10
15
20
25
30
35
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
www.vishay.com
2
图2.正向功率损耗特性每二极管
文档编号： 88942
修订： 16 -JAN- 08
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
新产品
V60100C & VB60100C
威世通用半导体
100
10000
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
结电容（pF ）
T
A
= 100 °C
1
T
A
= 25 °C
1000
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
10
10
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
0.1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
60
70
80
90
100
瞬时反向电流（mA ）
1
0.01
T
A
= 25 °C
0.001
0.0001
10
20
30
40
50
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
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TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 （ 3.81 ）最低。
0.08 （ 2.032 ） MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 （ 8.38 ）最低。
0.190 (4.83)
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