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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符V型号页 > 首字符V的型号第215页 > VB40120C-E3/4W
V40120C ， VB40120C & VI40120C
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.423 V ，在我
F
= 5 A
TO-220AB
K
TO-262AA
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
2
V40120C
销1
3脚
销2
例
3
1
VI40120C
销1
3脚
销2
K
2
3
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
浸焊260 ℃，40秒（对于TO- 220 &
TO- 262封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
1
TO-263AB
K
2
1
VB40120C
销1
销2
K
散热器
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管的ORing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， TO- 262AA & TO263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
j
马克斯。
2× 20 A
120 V
250 A
0.630 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40120C
VB40120C
120
40
20
250
1.0
10000
- 20至+ 150
VI40120C
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号88937
22-Aug-06
www.vishay.com
1
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安牛逼
j
= 25 °C
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
在V
R
= 90 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(1)
T
j
= 25 °C
V
F
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
0.423
0.518
0.630
11
10
I
R
31
22
-
-
0.68
-
-
500
40
A
mA
A
mA
符号
V
（ BR ）
典型值。
120 （最小）
0.494
0.584
0.768
马克斯。
-
-
-
0.84
V
单位
V
每个二极管的正向电压
(1)
吨= 25°C
在V
R
= 120 V
j
T
j
= 125 °C
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40120C
VB40120C
2.0
VI40120C
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40120C-E3/45
VB40120C-E3/4W
VB40120C-E3/8W
VI40120C-E3/4W
单位重量（g ）
2.248
1.39
1.39
1.458
封装代码
45
4W
8W
4W
基地数量
50/Tube
50/Tube
800/Reel
50/Tube
配送方式
管
管
磁带&卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
正向平均整流电流（ A）
50
负载电阻或电感
18
16
D = 0.5
D = 0.3
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
4
8
12
16
20
24
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
V(B,I)40120C
30
20
平均功耗（ W）
40
T
10
D = TP / T
tp
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
文档编号88937
22-Aug-06
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
300
10000
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
结电容（pF ）
250
150
100
1000
50
0
0
10
100
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
100
图6.典型结电容每二极管
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
j
= 150 °C
结到外壳
1
10
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
0.1
1
0.01
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型正向特性每二极管
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
1000
瞬时反向电流（mA ）
100
10
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向特性每二极管
文档编号88937
22-Aug-06
www.vishay.com
3
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务- 220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
TO-262AA
0.411 (10.45)
马克斯。
30 ° （典型值）
（ REF ）
0.250 (6.35)
分钟。
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
K
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
销1
3脚
销2
散热器
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.41 (10.45)
1
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42
分钟。
(10.66)
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.33
(8.38)
分钟。
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.15
(3.81)
分钟。
0.08
分钟。
(2.032)
0.105 (2.67)
(0.095) (2.41)
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4
文档编号88937
22-Aug-06
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
V40120C ， VB40120C & VI40120C
新产品
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.423 V ，在我
F
= 5 A
TO-220AB
K
TO-262AA
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功率损耗
高效率运行
2
V40120C
销1
3脚
销2
例
3
1
VI40120C
销1
3脚
销2
K
2
3
低热阻
符合MSL等级1 ，符合per J - STD-020C标准， LF最大峰值
245 ° C（用于TO- 263AB封装）
浸焊260 ℃，40秒（对于TO- 220 &
TO- 262封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
1
TO-263AB
K
2
1
VB40120C
销1
销2
K
散热器
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管的ORing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， TO- 262AA & TO263AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要额定值及特点
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
j
马克斯。
2× 20 A
120 V
250 A
0.630 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（参见图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
每个器件
每二极管
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V40120C
VB40120C
120
40
20
250
1.0
10000
- 20至+ 150
VI40120C
单位
V
A
A
A
V / μs的
°C
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
文档编号88937
22-Aug-06
www.vishay.com
1
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
在我
R
= 1.0毫安牛逼
j
= 25 °C
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
在我
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
在V
R
= 90 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(1)
T
j
= 25 °C
V
F
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
0.423
0.518
0.630
11
10
I
R
31
22
-
-
0.68
-
-
500
40
A
mA
A
mA
符号
V
（ BR ）
典型值。
120 （最小）
0.494
0.584
0.768
马克斯。
-
-
-
0.84
V
单位
V
每个二极管的正向电压
(1)
吨= 25°C
在V
R
= 120 V
j
T
j
= 125 °C
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40120C
VB40120C
2.0
VI40120C
单位
° C / W
订购信息
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40120C-E3/45
VB40120C-E3/4W
VB40120C-E3/8W
VI40120C-E3/4W
单位重量（g ）
2.248
1.39
1.39
1.458
封装代码
45
4W
8W
4W
基地数量
50/Tube
50/Tube
800/Reel
50/Tube
配送方式
管
管
磁带&卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
正向平均整流电流（ A）
50
负载电阻或电感
18
16
D = 0.5
D = 0.3
14
12
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
4
8
12
16
20
24
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
D = 0.8
V(B,I)40120C
30
20
平均功耗（ W）
40
T
10
D = TP / T
tp
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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2
文档编号88937
22-Aug-06
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
300
10000
T
j
= T
j
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
j
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
200
结电容（pF ）
250
150
100
1000
50
0
0
10
100
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌电流
每二极管
100
图6.典型结电容每二极管
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
j
= 150 °C
结到外壳
1
10
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
0.1
1
0.01
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型正向特性每二极管
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
1000
瞬时反向电流（mA ）
100
10
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
1
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向特性每二极管
文档编号88937
22-Aug-06
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3
V40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务- 220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
TO-262AA
0.411 (10.45)
马克斯。
30 ° （典型值）
（ REF ）
0.250 (6.35)
分钟。
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
K
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
3
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
销1
3脚
销2
散热器
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.41 (10.45)
1
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42
分钟。
(10.66)
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.33
(8.38)
分钟。
0-0.01 (0-0.254)
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.15
(3.81)
分钟。
0.08
分钟。
(2.032)
0.105 (2.67)
(0.095) (2.41)
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22-Aug-06
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日前，Vishay
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文档编号： 91000
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新产品
V40120C ， VF40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.43 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
V40120C
销1
3脚
销2
例
3
1
VF40120C
销1
3脚
销2
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
1
TO-263AB
K
K
TO-262AA
2
1
1
VB40120C
销1
销2
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
VI40120C
销1
3脚
销2
K
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
2× 20 A
120 V
250 A
0.63 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流
（图1）的
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V40120C
VF40120C
VB40120C
VI40120C
单位
V
A
A
V
°C
120
40
20
250
1500
- 40 + 150
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在每个二极管的额定负载
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
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新产品
V40120C ， VF40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 20 A
V
R
= 90 V
反向电流每二极管
(2)
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
符号
V
BR
典型值。
120
（最小）
0.50
0.60
0.78
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
0.43
0.53
0.63
19
10
I
R
-
22
马克斯。
-
-
-
0.88
V
-
-
0.71
-
-
500
45
A
mA
A
mA
单位
V
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V40120C
1.8
VF40120C
4.0
VB40120C
1.8
VI40120C
1.8
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V40120C-E3/4W
VF40120C-E3/4W
VB40120C-E3/4W
VB40120C-E3/8W
VI40120C-E3/4W
单位重量（g ）
1.88
1.76
1.39
1.39
1.46
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
50
18
负载电阻或电感
V(B,I)40120C
16
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.8
正向平均整流电流（ A）
平均功耗（ W）
40
14
12
10
D = 0.1
8
6
4
2
0
4
8
12
D =吨
p
/T
0
16
t
p
20
24
T
D = 0.2
30
VF40120C
D = 1.0
20
10
安装在专用散热器
0
0
25
50
75
100
125
150
175
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.最大正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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新产品
V40120C ， VF40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
T
A
= 150 °C
结到外壳
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
V(B,I)40120C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性每二极管
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
结到外壳
1
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
VF40120C
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
结电容（pF ）
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容每二极管
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新产品
V40120C ， VF40120C ， VB40120C & VI40120C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0 195 (4 95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.41 (10.45)
1
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42
分钟。
(10.66)
0.624 (15.85)
0.591(15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.33
(8.38)
分钟。
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.15
(3.81)
分钟。
0.08
分钟。
(2.032)
0.105 (2.67)
(0.095) (2.41)
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VSSC520S
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VS9AUF
VS9ARH
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V23072-C1061-A303
VHB50-D12-S2R5
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VWS100ZG
V68RA8
VI-2NY-CW
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