新产品
V30120SG ， VF30120SG ， VB30120SG & VI30120SG
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.47 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
2
V30120SG
销1
销2
例
3
1
VF30120SG
销1
销2
2
3
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
浸焊260 ° C， 40秒（对于TO- 220AB ， ITO - 220AB
和TO- 262AA封装）
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
1
3脚
3脚
TO-263AB
K
K
TO-262AA
A
NC
1
VB30120SG
NC
A
K
散热器
2
3
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
VI30120SG
销1
销2
K
3脚
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
30 A
120 V
220 A
0.81 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V30120SG
VF30120SG VB30120SG
120
30
220
1500
- 40 + 150
VI30120SG
单位
V
A
A
V
°C
文档编号： 89011
修订： 19 08年5月
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新产品
V30120SG ， VF30120SG ， VB30120SG & VI30120SG
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
V
R
= 90 V
反向电流
(2)
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
120 （最小）
0.54
0.80
1.16
0.47
0.66
0.81
13
13
I
R
-
23
马克斯。
-
-
-
1.28
V
-
-
0.90
-
-
500
55
A
mA
A
mA
单位
V
正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V30120SG
1.6
VF30120SG
4.0
VB30120SG
1.6
VI30120SG
1.6
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V30120SG-E3/4W
VF30120SG-E3/4W
VB30120SG-E3/4W
VB30120SG-E3/8W
VI30120SG-E3/4W
单位重量（g ）
1.88
1.75
1.39
1.39
1.45
封装代码
4W
4W
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
管
管
管
磁带和卷轴
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
35
负载电阻或电感
V(B,I)30120SG
50
D = 0.5
45
D = 0.3
D = 0.2
D = 1.0
D = 0.1
D = 0.8
平均正向电流（ A）
30
25
20
VF30120SG
15
10
5
安装在专用散热器
0
0
25
50
75
100
125
150
平均功耗（ W）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
4
T
D =吨
p
/T
8
12
16
20
24
28
t
p
32
36
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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新产品
V30120SG ， VF30120SG ， VB30120SG & VI30120SG
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
T
A
= 100 °C
1
1
T
A
= 25 °C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
T
A
= 100 °C
结到外壳
1
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
VF30120SG
0.1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
10 000
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
1000
结电容（pF ）
100
10
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容
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新产品
V30120SG ， VF30120SG ， VB30120SG & VI30120SG
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 （ 1.93 ） REF 。
0.076 （ 1.93 ） REF 。
7 ° REF 。
0.140 （ 3.56 ） DIA 。
0.125 （ 3.17 ） DIA 。
0.135 （ 3.43 ） DIA 。
0.122 （ 3.08 ） DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
针
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0 095 (2 41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 （ 10.45 ） MAX 。
0.250 （ 6.35 ）最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω （典型值）。
（ REF ）。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
针
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
销1
3脚
销2
散热器
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.41 (10.45)
1
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
民
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
1
K
2
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42
分钟。
(10.66)
0.624 (15.85)
0.591(15.00)
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.33
(8.38)
分钟。
0 0.01 （ 0 0.254 ）
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.15
(3.81)
分钟。
0.08
分钟。
(2.032)
0.105 (2.67)
(0.095) (2.41)
www.vishay.com
4
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文档编号： 89011
修订： 19 08年5月
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产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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