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新产品
V30100S , VF30100S , VB30100S & VI30100S
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.39 V ,在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降,低功耗
损失
高效率运行
低热阻
2
V30100S
销1
销2
3
1
VF30100S
销1
销2
2
3
1
符合MSL等级1 ,符合per J -STD- 020 , LF最大
245 ° C(用于TO- 263AB封装)峰
浸焊260 ° C, 40秒(对于TO- 220AB , ITO - 220AB ,
和TO- 262AA封装)
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用,开关电源
用品,续流二极管, OR- ing二极管,直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例:
TO- 220AB , ITO - 220AB ,
TO-262AA
3脚
3脚
TO-263AB
K
K
TO-262AA
A
NC
1
VB30100S
NC
A
K
散热器
2
3
VI30100S
销1
销2
K
3脚
TO-263AB
主要特征
I
F( AV )
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
30 A
100 V
250 A
0.69 V
150 °C
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端:
雾锡镀线索,每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次,满足JESD 201级
1A晶须试验
极性:
由于标
安装扭矩:
最大10磅
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流(图1)
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
隔离电压( ITO - 220AB只)
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
V
AC
T
J
, T
英镑
V30100S
VF30100S
VB30100S
VI30100S
单位
V
A
A
V
°C
100
30
250
1500
- 40 + 150
文档编号: 88941
修订: 31 -JUL- 08
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
PDD-Americas@vishay.com , PDD-Asia@vishay.com , PDD-Europe@vishay.com
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1
新产品
V30100S , VF30100S , VB30100S & VI30100S
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 10毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
I
F
= 30 A
V
R
= 70 V
反向电流
(2)
V
R
= 100 V
注意事项:
(1 )脉冲测试: 300微秒的脉冲宽度, 1 %的占空比
( 2 )脉冲测试:脉冲宽度
40毫秒
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
BR
典型值。
105 (最低)
0.47
0.55
0.80
0.39
0.49
0.69
27
11
I
R
70
23
马克斯。
-
-
-
0.91
V
-
-
0.78
-
-
1000
45
A
mA
A
mA
单位
V
正向电压
(1)
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
典型热阻
符号
R
θJC
V30100S
2.0
VF30100S
4.0
VB30100S
2.0
VI30100S
2.0
单位
° C / W
订购信息
(例)
TO-220AB
ITO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
TO-262AA
首选的P / N
V30100S-E3/45
VF30100S-E3/45
VB30100S-E3/4W
VB30100S-E3/8W
VI30100S-E3/4W
单位重量(g )
1.875
1.805
1.380
1.380
1.455
封装代码
45
45
4W
8W
4W
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
800/reel
50/tube
配送方式
磁带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
35
负载电阻或电感
30
25
VF30100S
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
安装在专用散热器
VI(B)30100S
32
D = 0.5
28
D = 0.3
D = 0.2
24
D = 0.1
20
16
12
8
4
0
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
D =吨
p
/T
t
p
T
D = 1.0
D = 0.8
平均正向电流( A)
平均功耗( W)
外壳温度( ° C)
平均正向电流( A)
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性
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2
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新产品
V30100S , VF30100S , VB30100S & VI30100S
威世通用半导体
100
10
瞬态热阻抗( ℃/ W)
正向电流(A )
结到外壳
T
A
= 150 °C
1
10
T
A
= 125 °C
0.1
T
A
= 25 °C
1
0.01
V(B,I)30100S
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图3.典型正向特性
图6.典型的瞬态热阻抗
1000
10
瞬态热阻抗( ℃/ W)
瞬时反向电流(mA )
结到外壳
100
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
VF30100S
1
0.01
0.1
1
10
100
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图4.典型的反向特性
图7.典型的瞬态热阻抗
10 000
结电容(pF )
1000
100
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.典型结电容
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新产品
V30100S , VF30100S , VB30100S & VI30100S
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
TO-220AB
0.415 ( 10.54 ) MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
45 ° REF 。
0.404 (10.26)
0.384 (9.75)
0.076 ( 1.93 ) REF 。
0.076 ( 1.93 ) REF 。
7 ° REF 。
0.140 ( 3.56 ) DIA 。
0.125 ( 3.17 ) DIA 。
0.135 ( 3.43 ) DIA 。
0.122 ( 3.08 ) DIA 。
ITO-220AB
0.190 (4.83)
0.170 (4.32)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.600 (15.24)
0.580 (14.73)
0.671 (17.04)
0.651 (16.54)
7 ° REF 。
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
2
1
2
3
7 ° REF 。
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.025 (0.64)
0.015 (0.38)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.191 (4.85)
0.171 (4.35)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.035 (0.89)
0.025 (0.64)
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.028 (0.71)
0.020 (0.51)
TO-262AA
0.411 ( 10.45 ) MAX 。
0.250 ( 6.35 )最低。
K
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
30Ω (典型值)。
( REF )。
0.950 (24.13)
0.920 (23.37)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
2
0.510 (12.95)
0.470 (11.94)
3
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
0.401 (10.19)
0.381 (9.68)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.35)
TO-263AB
0.411 (10.45)
0.380 (9.65)
0.245 (6.22)
分钟。
K
0.360 (9.14)
0.320 (8.13)
NC
K
A
0.055 (1.40)
0.047 (1.19)
0.670 (17.02)
0.591 (15.00)
0.15 ( 3.81 )最低。
0.08 ( 2.032 ) MIN 。
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.33 ( 8.38 )最低。
0.190 (4.83)
0.160 (4.06)
0.055 (1.40)
0.045 (1.14)
贴装焊盘布局
0.42 ( 10.66 ) MIN 。
0.624 (15.85)
0.591 (15.00)
0.037 (0.940)
0.027 (0.686)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0 0.01 ( 0 0.254 )
0.110 (2.79)
0.090 (2.29)
0.021 (0.53)
0.014 (0.36)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.140 (3.56)
0.110 (2.79)
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修订: 31 -JUL- 08
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日前,Vishay
放弃
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    VB30100S-E3/8W
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
VB30100S-E3/8W
VISHAY
20+
6000
TO263
百分之百原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
VB30100S-E3/8W
Vishay
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
VB30100S-E3/8W
VISHAY
1922+
9852
TO-263
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
VB30100S-E3/8W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
10000
TO-263AB(D2PAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
VB30100S-E3/8W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
48094
TO-263AB(D2PAK)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
VB30100S-E3/8W
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
24+
22000
945¥/片,原装正品假一赔百!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97877805 复制

电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
VB30100S-E3/8W
VISHAY
24+
3675
TO-263
17¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:17元
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
VB30100S-E3/8W
VISHAY
2023+
700000
TO-263AB
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
VB30100S-E3/8W
Vishay(威世)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
VB30100S-E3/8W
VISHAY(威世)
21+
16200
TSO-263AB
全新原装正品/质量有保证
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