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茂矽
V62C518256
32K x 8静态RAM
初步
特点
s
高速： 35 ， 70纳秒
s
5mA的超低直流工作电流（最大值）
s
低功耗：
- TTL待机：3 MA（最大）
- CMOS待机： 20
A（ MAX 。 ）
s
全静态操作
s
所有的输入和直接兼容输出
s
三态输出
s
超低数据保持电流（V
CC
= 2V)
s
单5V
±
10 ％的电力供应
s
套餐
- 28引脚TSOP （标准）
- 28引脚600密耳PDIP
- 28引脚330密耳SOP （ 450万引脚对引脚）
描述
该V62C518256是262,144位静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。它是建立与茂矽高
高性能CMOS工艺。输入和三
状态输出为TTL兼容，并允许
直接连接常见的系统总线
结构。
功能框图
A
0
ROW
解码器
512 x 512
存储阵列
V
CC
GND
A
8
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
A
9
CE
OE
WE
列I / O
列解码器
A
14
控制
电路
518256-01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
P
F
访问时间（纳秒）
35
70
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C518256修订版2.3 1998年11月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
14
地址输入
这15个地址输入选择32,768 x的1
8位段中的RAM中。
CE
芯片使能输入
CE为低电平有效输入。芯片使能必须
从低读取或写入设备时。
当高电平时，该设备处于待机模式，与输入/输出
引脚处于高阻抗状态。
OE
输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。当OE
是低配低CE和WE高，数据
选择的存储位置将是可利用的
I / O引脚。当OE为高电平时， I / O引脚将在
高阻抗状态。
V62C518256
WE
写使能输入
一个低电平的输入，我们输入控件和读取
写操作。当CE和WE的投入都
低，存在于我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
0
-I / O
7
数据输入和输出端口
这些8个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
28引脚DIP / SOP
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
518256-01
28引脚TSOP （标准）
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
518256-03
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
V62C518256修订版2.3 1998年11月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
制成的
V62C518256
62
C
51
8
256
–
温度。
SRAM
家庭
操作
电压
密度
256K
速度
PKG
空白= 0 ° C至70℃
I = -40 ° C至+ 85°C
T = TSOP标准
P = 600万PDIP
F = 330万SOP （ 450万引脚至引脚）
62 =标准
C = CMOS工艺
51 = 5V
组织
8 = 8位
PWR 。
35纳秒
70纳秒
L =低功耗
LL =双低功耗
518256-05
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
N
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-10到+125
-65到+150
产业
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-65到+135
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
真值表
模式
待机
读
读
写
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
I / O
手术
高Z
D
OUT
高Z
D
IN
注意：
*此参数是保证，而不是测试。
注意：
X =无关，L =低，H =高
V62C518256修订版2.3 1998年11月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 5V
±
10%)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V62C518256
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.5
2.2
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.8
6
2
2
0.4
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE = V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1mA
-2
-2
—
2.4
符号
I
CC
参数
工作电源电流，CE = V
IL
输出开路，V
CC
=最大值， F = 0
平均工作电流， CE
≤
V
IL
输出开路，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
TTL待机电流
CE
≥
V
IH
, V
CC
=最大。
CMOS待机电流， CE
≥
V
CC
– 0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V, V
CC
=最大。
读
写
动力融为一体。
(4)
IND 。
(4)
5
40
60
6
50
70
单位
mA
I
CC1
I
SB
mA
L
LL
L
LL
4
3
60
20
5
4
70
30
mA
I
SB1
A
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3. f
最大
= 1/t
RC
.
4.最大的值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至3V
5纳秒
1.5V
见下文
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
+5V
1800
I / O引脚
990
C
L
= 30 pF的*
可能改变
以L至H
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
*包括范围和夹具电容
518256-06
V62C518256修订版2.3 1998年11月
4
茂矽
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR
V62C518256
参数
V
CC
数据保留
CE
≥
V
CC
– 0.2V
Com'l
动力
分钟。
2.0
典型值。
(2)
—
0.5
0.5
—
—
—
—
马克斯。
5.5
50
15
70
20
—
—
单位
V
A
数据保持电流
V
DR
= 3.0V ，CE
≥
V
DR
– 0.2V
L
LL
—
—
—
—
0
t
RC(1)
IND 。
L
LL
t
CDR
t
R
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间（见保留波形）
ns
ns
注意事项：
1. t
RC
=读周期时间
2. T
A
= +25
°
C.
低V
CC
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
2.2V
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
DR
≥
2V
t
R
2.2V
518256-07
4.5V
V62C518256修订版2.3 1998年11月
5
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V62C3161024L-70T
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    V62C518256LL-70P
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