K4S643232C
修订历史
版本1.1 （ 1999年11月17日）
在订购信息第3页更正错字
CMOS SDRAM
版本1.0 （ 1999年10月）
从KM432S2030CT -G /女改变部分号码K4S643232C -TC按照/ TL重新组织系统的代码
-2-
REV 。 1.1十一月'99
K4S643232C
512K X 32位×4银行同步DRAM
特点
3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS周期与解决关键程序
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有的输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟
突发读取单位写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
15.6us刷新占空比
CMOS SDRAM
概述
该K4S643232C为67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 524,288字32位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每
时钟周期。工作频率范围，可编程
突发长度和可编程延迟允许在同一设备
要为各种高带宽，高性能有用
存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S643232C-TC/L55
K4S643232C-TC/L60
K4S643232C-TC/L70
K4S643232C-TC/L80
K4S643232C-TC/L10
最大频率。
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
100MHz
接口
包
LVTTL
86
TSOP （II）的
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
512K ×32
512K ×32
512K ×32
512K ×32
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
SENSE AMP
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留权利
改变产品或规格不
通知。
-3-
REV 。 1.1十一月'99
K4S643232C
引脚功能说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
CMOS SDRAM
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器掉电模式。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA
0
RA
10
，列地址： CA
0
CA
7
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的噪音
免疫力。
该引脚建议留在设备上的连接。
CKE
时钟使能
A
0
~ A
10
BA0,1
RAS
CAS
WE
DQM0 3
DQ
0
~
31
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
电容
时钟
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
针
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
民
2.5
2.5
2.5
4.0
最大
4
4.5
4.5
6.5
单位
pF
pF
pF
pF
RAS ， CAS，WE ， CS ， CKE ， DQM
地址
DQ
0
？ DQ
31
-5-
REV 。 1.1十一月'99
茂矽
V62C5181024
128K ×8静态RAM
初步
特点
s
高速： 35 ， 70纳秒
s
5mA的超低直流工作电流（最大值）
TTL待机： 5毫安（最大）
CMOS待机： 60
A（ MAX 。 ）
s
全静态操作
s
所有的输入和直接兼容输出
s
三态输出
s
超低数据保持电流（V
CC
= 2V)
s
单5V
±
10 ％的电力供应
s
套餐
- 32引脚TSOP （标准）
- 32引脚600密耳PDIP
- 32引脚440密耳SOP （ 525万引脚对引脚）
描述
该V62C5181024是1,048,576位静态
随机存取存储器组织为131,072
字由8位。它是建立与茂矽公司
高性能的CMOS工艺。输入
三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。
功能框图
A
0
ROW
解码器
1024 x 1024
存储阵列
V
CC
GND
A
9
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
A
10
CE
1
CE
2
OE
WE
列I / O
列解码器
A
16
控制
电路
5181024 01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
W
P
访问时间（纳秒）
35
70
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C5181024 2.2版2000年2月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
16
地址输入
这17个地址输入选择的128K ×8 1
位段在RAM中。
CE
1
，CE
2
芯片使能输入
CE
1
为低电平有效和CE
2
为高电平有效。两
芯片使必须是活动的，从读取或写入到
该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则
装置的选择取消，并处于备用电源
模式。在I / O引脚将处于高阻抗
取消选择时的状态。
输出使能输入
OE
输出使能输入为低电平有效。当OE
是低配低CE和WE高，数据
选择的存储位置将是可利用的
I / O引脚。当OE为高电平时， I / O引脚将在
高阻抗状态。
V62C5181024
WE
写使能输入
一个低电平的输入，我们输入控件和读取
写操作。当CE和WE的投入都
低，存在于我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
0
-I / O
7
数据输入和输出端口
这些8个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
32引脚DIP / SOP
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
5181024 02
32引脚TSOP （标准）
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
5181024 03
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
V62C5181024 2.2版2000年2月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
制成的
V62C5181024
62
C
51
8
1024
–
温度。
SRAM
家庭
操作
电压
密度
PWR 。
1024K
速度
35纳秒
70纳秒
PKG
空白= 0 ° C至70℃
I = -40 ° C至+ 85°C
62 =标准
C = CMOS工艺
51 = 5V
T = TSOP标准
P = 600万PDIP
W = 440万SOP （ 525万引脚对引脚）
组织
8 = 8位
L =低功耗
LL = LOW低功耗
5181024 05
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
N
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-10到+125
-55到+125
产业
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-65到+135
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O
手术
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
注意：
1.此参数是保证，而不是测试。
注意：
X =无关，L =低，H =高
V62C5181024 2.2版2000年2月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 5V
±
10%)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V62C5181024
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.5
2.2
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.8
6
5
5
0.4
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE
1
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1mA
-5
-5
—
2.4
符号
I
CC
参数
工作电源电流，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
,
输出开路，V
CC
=最大值， F = 0
读
动力
L
LL
写
L
LL
COM 。
(4)
4
3
30
25
80
75
IND 。
(4)
6
5
35
30
90
85
6
5
80
60
单位
mA
I
CC1
平均工作电流， CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
，输出开路，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
TTL待机电流
CE
1
≥
V
IH
，CE
2
≤
V
IL
, V
CC
=最大。
CMOS待机电流， CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V, V
CC
=最大。
35ns
70ns
L
LL
L
LL
mA
I
SB
4
3
60
50
mA
I
SB1
A
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3. f
最大
= 1/t
RC
.
4.最大的值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至3V
5纳秒
1.5V
见下文
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
+5V
1800
I / O引脚
990
C
L
= 30 pF的*
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
可能改变
以L至H
*包括范围和夹具电容
5181024 06
V62C5181024 2.2版2000年2月
4
茂矽
V62C5181024
128K ×8静态RAM
初步
特点
s
高速： 35 ， 70纳秒
s
5mA的超低直流工作电流（最大值）
TTL待机： 5毫安（最大）
CMOS待机： 60
A（ MAX 。 ）
s
全静态操作
s
所有的输入和直接兼容输出
s
三态输出
s
超低数据保持电流（V
CC
= 2V)
s
单5V
±
10 ％的电力供应
s
套餐
- 32引脚TSOP （标准）
- 32引脚600密耳PDIP
- 32引脚440密耳SOP （ 525万引脚对引脚）
描述
该V62C5181024是1,048,576位静态
随机存取存储器组织为131,072
字由8位。它是建立与茂矽公司
高性能的CMOS工艺。输入
三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线
结构。
功能框图
A
0
ROW
解码器
1024 x 1024
存储阵列
V
CC
GND
A
9
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
A
10
CE
1
CE
2
OE
WE
列I / O
列解码器
A
16
控制
电路
5181024 01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°
C至70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
包装外形
T
W
P
访问时间（纳秒）
35
70
L
动力
LL
温度
标志
空白
I
V62C5181024 2.2版2000年2月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
16
地址输入
这17个地址输入选择的128K ×8 1
位段在RAM中。
CE
1
，CE
2
芯片使能输入
CE
1
为低电平有效和CE
2
为高电平有效。两
芯片使必须是活动的，从读取或写入到
该设备。如果任一芯片使能是不活动的，则
装置的选择取消，并处于备用电源
模式。在I / O引脚将处于高阻抗
取消选择时的状态。
输出使能输入
OE
输出使能输入为低电平有效。当OE
是低配低CE和WE高，数据
选择的存储位置将是可利用的
I / O引脚。当OE为高电平时， I / O引脚将在
高阻抗状态。
V62C5181024
WE
写使能输入
一个低电平的输入，我们输入控件和读取
写操作。当CE和WE的投入都
低，存在于我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
0
-I / O
7
数据输入和输出端口
这些8个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
32引脚DIP / SOP
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
5181024 02
32引脚TSOP （标准）
V
CC
A
15
CE
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A11
A9
A8
A13
WE
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
5181024 03
OE
A10
CE1
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
V62C5181024 2.2版2000年2月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
制成的
V62C5181024
62
C
51
8
1024
–
温度。
SRAM
家庭
操作
电压
密度
PWR 。
1024K
速度
35纳秒
70纳秒
PKG
空白= 0 ° C至70℃
I = -40 ° C至+ 85°C
62 =标准
C = CMOS工艺
51 = 5V
T = TSOP标准
P = 600万PDIP
W = 440万SOP （ 525万引脚对引脚）
组织
8 = 8位
L =低功耗
LL = LOW低功耗
5181024 05
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
N
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-10到+125
-55到+125
产业
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-65到+135
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
CE
1
H
X
L
L
L
CE
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O
手术
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
注意：
1.此参数是保证，而不是测试。
注意：
X =无关，L =低，H =高
V62C5181024 2.2版2000年2月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 5V
±
10%)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
OL
V
OL
V
OH
V62C5181024
参数
输入低电压
(1,2)
输入高电压
(1)
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
分钟。
-0.5
2.2
典型值。
—
—
—
—
—
—
马克斯。
0.8
6
5
5
0.4
—
单位
V
V
A
A
V
V
V
CC
=最大，V
IN
= 0V至V
CC
V
CC
=最大，CE
1
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
V
CC
=最小，我
OL
= 2.1毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -1mA
-5
-5
—
2.4
符号
I
CC
参数
工作电源电流，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
,
输出开路，V
CC
=最大值， F = 0
读
动力
L
LL
写
L
LL
COM 。
(4)
4
3
30
25
80
75
IND 。
(4)
6
5
35
30
90
85
6
5
80
60
单位
mA
I
CC1
平均工作电流， CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
，输出开路，
V
CC
=最大值，女= F
MAX(3)
TTL待机电流
CE
1
≥
V
IH
，CE
2
≤
V
IL
, V
CC
=最大。
CMOS待机电流， CE
1
≥
V
CC
- 0.2V ，CE
2
≤
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或V
IN
≤
0.2V, V
CC
=最大。
35ns
70ns
L
LL
L
LL
mA
I
SB
4
3
60
50
mA
I
SB1
A
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3. f
最大
= 1/t
RC
.
4.最大的值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至3V
5纳秒
1.5V
见下文
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
+5V
1800
I / O引脚
990
C
L
= 30 pF的*
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
可能改变
以L至H
*包括范围和夹具电容
5181024 06
V62C5181024 2.2版2000年2月
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