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V62C2802048L(L)
超低功耗
256K ×8 CMOS SRAM
特点
低功耗
- 活动: 35毫安在55ns
- 待机: 10
A
( CMOS输入/输出)
2
A
CMOS输入/输出, L型
单2.2到2.7V电源Supply_Typical
推广的电压为2.2 3.6V 。
平等接入和周期时间
55/70/85/100 ns访问时间
易于扩展内存与CE1 , CE2
和OE输入
1.0V数据保持方式
TTL兼容,三态输入/输出
自动断电时取消
可用包装: 32L TSOP ( I) / STSOP ( I)
48球CSP_BGA
功能说明
该V62C2802048L是一款低功耗CMOS静态RAM
由8位, 262,144字。容易记忆EXP-
安森由低电平有效的CE1 ,有源提供
CE2 HIGH , LOW有效OE和三态I / O的。这
设备具有自动省电模式功能时,
取消选择。
写入设备通过取芯片来实现
启用1 ( CE1 )与写使能( WE)低,且芯片
启用2 ( CE2 )高。从设备读取的per-
通过采取芯片使能1 ( CE1 )与输出形成
启用( OE )低,而写使能( WE)和芯片
启用2 ( CE2 )高。在I / O引脚被放置在一个
高阻抗状态,当设备被取消:中
输出是在写周期期间禁用。
TheV62C2802048LL配有1V数据保留FE-
ATURE和更低的待机功耗。该V62C2802048L是
avalable在一个32引脚8 ×20mm的TSOP1 / STSOP 8x13.4毫米
和CSP型48 - fpBGA封装。
逻辑框图
32引脚TSOP1 / STSOP
( CSP_BGA见下页)
A
11
A
9
A
8
输入缓冲器
行解码器
SENSE AMP
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A9
A
13
WE
CE
2
I/O8
电池阵列
A
15
VCC
A17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
I/O1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
控制
电路
OE
WE
CE1
CE2
1
修订版1.2
五月
2001年V62C2802048L ( L)
V62C2802048L(L)
茂矽
1
2
3
4
V62C2802048L(L)B
5
6
1
2
3
4
5
6
A
B
A0
A1
CS2
A3
A6
A8
I/O5
A2
WE
A4
A7
I/O1
C
I/O6
NC
NC
A5
NC
I/O2
D
E
VSS
NC
NC
NC
NC
VCC
VCC
NC
NC
NC
NC
VSS
F
G
H
I/O7
NC
NC
A17
NC
I/O3
I/O8
A9
OE
A10
CS1
A11
A16
A12
A15
A13
I/O4
A14
注: NC意味着没有球。
顶视图
顶视图
48球 - 9x12引脚fpBGA (超低功耗)
C
A1
包装外形DWG 。
符号
A
单位:mm
1.05+0.15
0.25+0.05
0.35+.05
0.30(TYP)
12.00+0.10
5.25
9.00+0.10
3.75
0.75TYP
0.10
A
aaa
SIDE VIEW
A1
b
c
D
D1
D
D1
E
6
e
E1
e
5
aaa
E1
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
H
底部视图
b
锡球
2
修订版1.2
五月
2001年V62C2802048L ( L)
E
V62C2802048L(L)
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度(塑料)
在偏置温度
符号
Vt
P
T
TSTG
Tbias
最低
-0.5
-55
-40
最大
3.6
1.0
+150
+85
单位
V
W
0
C
0
C
*注意:
应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何条件
化,是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
L
H
X
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
待机
待机
主动,阅读
模式
主动,输出禁止
活跃的,写
*键:
X =无关,L =低,H =高
推荐工作条件
(T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C
**
)
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
2.2
0.0
2.0
-0.5*
典型值
2.5
0.0
-
-
最大
2.7
0.0
V
CC
+ 0.2
0.6
单位
V
V
V
V
输入电压
*
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
**
工业温度
3
修订版1.2
五月
2001年V62C2802048L ( L)
V62C2802048L(L)
直流工作特性
(V
cc
= 2.2 2.7V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C)
参数
输入漏电流
输出漏
当前
工作电源
电源电流
平均开工
当前
符号
测试条件
V
cc
=最大,
V
in
= GND到V
cc
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
cc
=最大,V
OUT
= GND到V
cc
CE1 = V
IL
, CE2 = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
, I
OUT
= 0毫安
CE1 = V
IL
, CE2 = V
IH
I
OUT
= 0毫安,
分周期内, 100 %的占空
CE1 = 0.2V ,
CE2 = V
cc
- 0.2V
I
OUT
= 0毫安,
-55
-
-
-
-
1
1
3
35
-
-
-
-
-70
1
1
3
30
-
-
-
-
-85
1
1
3
25
-
-
-
-
-100
1
1
3
20
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
A
A
mA
I
I
LI
I
I
I
LO
I
I
CC
I
CC1
mA
I
CC2
-
3
-
3
-
3
-
3
mA
周期时间= 1μs的时间, 100 %占空比
备用电源
电流( TTL电平)
备用电源
电流( CMOS
级)
输出低电压
输出高电压
I
SB
I
SB1
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
CE1 > V
cc
- 0.2V或
CE2 < 0.2V , F = 0
V
IN
& LT ; 0.2V或
V
IN
& GT ; V
cc
- 0.2V
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -2毫安
-
-
0.5
10
2
0.4
-
-
-
-
-
2.0
0.5
10
2
0.4
-
-
-
-
-
2.0
0.5
10
2
0.4
-
-
-
-
-
2.0
0.5
10
2
0.4
-
mA
A
A
V
V
L
-
-
2.0
V
OL
V
OH
电容
( F = 1MHz的,T
A
= 25
0
C)
参数*
符号
输入电容
I / O容量
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
7
8
单位
pF
pF
C
in
C
I / O
*这个参数是由设备特性保证,而不是生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
0.6V至2.2V
5ns
TTL
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
C
L
*
1.4V
输出负载条件
为70ns / 85纳秒
C
L
图A.
*包括范围和夹具电容
= 30pF的+ 1TTL负荷
负载为100ns / 120纳秒
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负荷
4
修订版1.2
五月
2001年V62C2802048L ( L)
V62C2802048L(L)
读周期
(3,9)
(V
cc
= 2.2 2.7V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能,以在低Z输出
输出禁用输出高阻
开机时间
掉电时
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
55
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-55
-
55
55
35
-
-
25
-
25
-
55
70
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-70
-
70
70
40
-
-
30
-
25
-
70
85
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-85
-
85
85
40
-
-
35
-
30
-
85
-100
100
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-
100
100
50
-
-
40
-
35
-
100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
4,5
4,5
4,5
4,5
5
5
写周期
(3,11)
(V
cc
= 2.2 2.7V , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
55
45
45
0
45
0
25
0
-
5
-55
-70
-85
-100
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
40
-
4,5
4,5
5
修订版1.2
五月
2001年V62C2802048L ( L)
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    电话:18922805453
    联系人:连
    地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    V62C2802048LL-100T
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
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