【V62C2162048L(L)超低功耗128K ×16的CMOS SRAM特点低功耗- 活动： 65】,IC型号V62C2162048LL-45B,V62C2162048LL-45B PDF资料,V62C2162048LL-45B经销商,ic,电子元器件-51电子网

V62C2162048L(L)

超低功耗

128K ×16的CMOS SRAM

特点

低功耗

- 活动： 65毫安我

CC

在为35ns

- 待机： 10

A

（ CMOS输入/输出）

2

A

（ CMOS输入/输出， L型）

35/45/55/70/85/100 ns访问时间

平等接入和周期时间

单+ 2.2V至2.7V电源

- 三态输出

自动断电时取消

多中心的电源和接地引脚

提高抗干扰

为读取单个字节的控制和

写周期

提供44引脚TSOP II / 48引脚fpBGA

功能说明

该V62C2162048L是一款低功耗CMOS静态

RAM （16位）组织为131,072字。易

存储器扩展是通过一个低有效（CE）提供

和（ OE ）引脚。

该设备具有自动省电模式功能

取消的时候。独立的字节使能控制（ BLE

和BHE）允许访问的单个字节。 BLE

控制下位的I / O 1 - I / O8 。 BHE控制

高位I / O9 - I / O16 。

写入这些设备通过取芯片进行

使能（ CE）与写使能（ WE）和字节使能

（ BLE / BHE ）低。

从设备读通过取芯片进行

使能（ CE）与输出使能（ OE ）和字节使能

（ BLE / BHE）低，而写使能（ WE）举行

高。

逻辑框图

预充电电路

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

数据

CONT

数据

CONT

VCC

VSS

TSOPII / 48引脚fpBGA

存储阵列

1024 X 2048

I / O1 - I / O8

I / O9 - I / O16

I / O电路

列选择

A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16

WE

OE

BHE

BLE

CE

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A16

A15

A14

A13

A12

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

BHE

BLE

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

NC

行选择

1

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

茂矽V62C2162048L （ L） B

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

A

B

BLE

OE

A0

A1

A2

NC

I/O9

BHE

A3

A4

CE

I/O1

C

I/O10

I/O11

A5

A6

I/O2

I/O3

D

E

VSS

I/O12

NC

A7

I/O4

VCC

I/O13

NC

A16

I/O5

VSS

F

G

H

I/O15

I/O14

A14

A15

I/O6

I/O7

I/O16

NC

A8

A12

A9

A13

A10

WE

A11

I/O8

NC

注： NC意味着没有球。

顶视图

48球 - 9x12引脚fpBGA （超低功耗）

C

A1

包装外形DWG 。

符号

A

单位：mm

1.05+0.15

0.25+0.05

0.35+.05

0.30(TYP)

12.00+0.10

5.25

9.00+0.10

3.75

0.75TYP

0.10

A

aaa

SIDE VIEW

A1

b

c

D

D1

D

D1

E

6

e

E1

e

5

aaa

E1

4

3

2

1

A

B

C

D

E

F

G

H

底部视图

b

锡球

2

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

E

V62C2162048L(L)

绝对最大额定值*

参数

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

在偏置温度

符号

Vt

PT

TSTG

Tbias

最低

-0.5

-55

-40

最大

+4.6

1.0

+150

+85

单位

V

W

0

C

0

C

*注意：

应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定

荷兰国际集团的设备只和功能的操作，在外面那些在这个光谱的业务部门所标明这些或任何其他条件

ification是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

真值表

CE

H

L

OE

X

L

X

H

X

WE

X

H

L

H

X

BLE BHE I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16

X

高-Z

L

H

数据输出

高-Z

H

L

高-Z

数据输出

L

数据输出

L

DATA IN

L

H

DATA IN

高-Z

H

L

高-Z

DATA IN

X

高-Z

H

高-Z

动力

待机

活跃

模式

待机

低字节读

高字节读

字读

字写

低字节写入

高字节写入

输出禁用

*键：

X =无关，L =低，H =高

推荐工作条件

(T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C**)

参数

电源电压

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

民

2.2

0.0

2.2

-0.5*

典型值

2.5

0.0

-

最大

2.7

0.0

V

CC

+ 0.2

0.8

单位

V

输入电压

*

V

IL

分= -1.0V脉冲宽度小于T

RC

/2.

**对于工业级温度

3

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

直流工作特性

(V

cc

= 2.2 2.7V ， GND = 0V ，T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C)

参数

输入漏电流

输出漏

当前

工作电源

电源电流

平均开工

当前

符号

测试条件

V

cc

=最大，

V

in

= GND到V

cc

CE = V

IH

或V

cc

=最大，

V

OUT

= GND到V

cc

CE = V

IL

, V

IN

= V

IH

或V

IL

,

I

OUT

= 0

I

OUT

= 0毫安，

分周期内， 100 ％的占空

CE < 0.2V

I

OUT

= 0毫安，

CE = V

IH

CE > V

cc

- 0.2V

V

IN

＆ LT ; 0.2V或

V

IN

＆ GT ; V

cc

- 0.2V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

-55

-

1

5

50

3

-

-70

1

5

45

3

-

-85

1

5

40

3

-

-100

1

5

40

3

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值

单位

A

mA

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

I

CC2

mA

周期时间= 1μs的时间，占空比= 100 ％

备用电源

电流（ TTL电平）

备用电源

电流（ CMOS

级）

输出低电压

输出高电压

I

SB

I

SB1

-

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

mA

A

V

L

-

2.4

V

OL

V

OH

电容

（ F = 1MHz的，T

A

= 25

o

C)

参数*

输入电容

I / O容量

符号

C

in

C

I / O

测试条件

V

in

= 0V

V

in

= V

OUT

= 0V

最大

7

8

单位

pF

*这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。

AC测试条件

输入脉冲电平

0.6V至2.2V

输入上升和下降时间为5ns

输入和输出时序

参考电平

1.4V

输出负载条件

55ns/70ns/85ns

C = 30pF的+ 1TTL负荷

L

负载为100纳秒

C

L

= 100pF电容+ 1TTL负荷

C

L

*

TTL

图A.

*包括范围和夹具电容

4

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

直流工作特性

(V

cc

= 2.2 2.7V ， GND = 0V ，T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C)

参数

输入漏电流

输出漏

当前

工作电源

电源电流

平均开工

当前

符号

测试条件

-35

-45

单位

最小值最大值最小值最大值

-

1

5

65

3

-

1

5

60

3

A

mA

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

cc

=最大，

V

in

= GND到V

cc

CE = V

IH

或V

cc

=最大，

V

OUT

= GND到V

cc

CE = V

IL

, V

IN

= V

IH

或V

IL

,

I

OUT

= 0

I

OUT

= 0毫安，

分周期内， 100 ％的占空

CE < 0.2V

I

OUT

= 0毫安，

CE = V

IH

CE > V

cc

- 0.2V

V

IN

＆ LT ; 0.2V或

V

IN

＆ GT ; V

cc

- 0.2V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

mA

周期时间= 1μs的时间，占空比= 100 ％

备用电源

电流（ TTL电平）

备用电源

电流（ CMOS

级）

输出低电压

输出高电压

I

SB

I

SB1

-

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

mA

A

V

L

-

2.4

V

OL

V

OH

5

修订版1.33

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

超低功耗

128K ×16的CMOS SRAM

特点

低功耗

- 活动： 65毫安我

CC

在为35ns

- 待机： 10

A

（ CMOS输入/输出）

2

A

（ CMOS输入/输出， L型）

35/45/55/70/85/100 ns访问时间

平等接入和周期时间

单+ 2.2V至2.7V电源

- 三态输出

自动断电时取消

多中心的电源和接地引脚

提高抗干扰

为读取单个字节的控制和

写周期

提供44引脚TSOP II / 48引脚fpBGA

功能说明

该V62C2162048L是一款低功耗CMOS静态

RAM （16位）组织为131,072字。易

存储器扩展是通过一个低有效（CE）提供

和（ OE ）引脚。

该设备具有自动省电模式功能

取消的时候。独立的字节使能控制（ BLE

和BHE）允许访问的单个字节。 BLE

控制下位的I / O 1 - I / O8 。 BHE控制

高位I / O9 - I / O16 。

写入这些设备通过取芯片进行

使能（ CE）与写使能（ WE）和字节使能

（ BLE / BHE ）低。

从设备读通过取芯片进行

使能（ CE）与输出使能（ OE ）和字节使能

（ BLE / BHE）低，而写使能（ WE）举行

高。

逻辑框图

预充电电路

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

数据

CONT

数据

CONT

VCC

VSS

TSOPII / 48引脚fpBGA

存储阵列

1024 X 2048

I / O1 - I / O8

I / O9 - I / O16

I / O电路

列选择

A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16

WE

OE

BHE

BLE

CE

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

VCC

VSS

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A16

A15

A14

A13

A12

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

BHE

BLE

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

VSS

VCC

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NC

A8

A9

A10

A11

NC

行选择

1

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

茂矽V62C2162048L （ L） B

1

2

3

4

5

6

1

2

3

4

5

6

A

B

BLE

OE

A0

A1

A2

NC

I/O9

BHE

A3

A4

CE

I/O1

C

I/O10

I/O11

A5

A6

I/O2

I/O3

D

E

VSS

I/O12

NC

A7

I/O4

VCC

I/O13

NC

A16

I/O5

VSS

F

G

H

I/O15

I/O14

A14

A15

I/O6

I/O7

I/O16

NC

A8

A12

A9

A13

A10

WE

A11

I/O8

NC

注： NC意味着没有球。

顶视图

48球 - 9x12引脚fpBGA （超低功耗）

C

A1

包装外形DWG 。

符号

A

单位：mm

1.05+0.15

0.25+0.05

0.35+.05

0.30(TYP)

12.00+0.10

5.25

9.00+0.10

3.75

0.75TYP

0.10

A

aaa

SIDE VIEW

A1

b

c

D

D1

D

D1

E

6

e

E1

e

5

aaa

E1

4

3

2

1

A

B

C

D

E

F

G

H

底部视图

b

锡球

2

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

E

V62C2162048L(L)

绝对最大额定值*

参数

任何引脚相对于GND电压

功耗

存储温度（塑料）

在偏置温度

符号

Vt

PT

TSTG

Tbias

最低

-0.5

-55

-40

最大

+4.6

1.0

+150

+85

单位

V

W

0

C

0

C

*注意：

应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定

荷兰国际集团的设备只和功能的操作，在外面那些在这个光谱的业务部门所标明这些或任何其他条件

ification是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

真值表

CE

H

L

OE

X

L

X

H

X

WE

X

H

L

H

X

BLE BHE I / O1 -I / O8 I / O9 -I / O16

X

高-Z

L

H

数据输出

高-Z

H

L

高-Z

数据输出

L

数据输出

L

DATA IN

L

H

DATA IN

高-Z

H

L

高-Z

DATA IN

X

高-Z

H

高-Z

动力

待机

活跃

模式

待机

低字节读

高字节读

字读

字写

低字节写入

高字节写入

输出禁用

*键：

X =无关，L =低，H =高

推荐工作条件

(T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C**)

参数

电源电压

符号

V

CC

GND

V

IH

V

IL

民

2.2

0.0

2.2

-0.5*

典型值

2.5

0.0

-

最大

2.7

0.0

V

CC

+ 0.2

0.8

单位

V

输入电压

*

V

IL

分= -1.0V脉冲宽度小于T

RC

/2.

**对于工业级温度

3

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

直流工作特性

(V

cc

= 2.2 2.7V ， GND = 0V ，T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C)

参数

输入漏电流

输出漏

当前

工作电源

电源电流

平均开工

当前

符号

测试条件

V

cc

=最大，

V

in

= GND到V

cc

CE = V

IH

或V

cc

=最大，

V

OUT

= GND到V

cc

CE = V

IL

, V

IN

= V

IH

或V

IL

,

I

OUT

= 0

I

OUT

= 0毫安，

分周期内， 100 ％的占空

CE < 0.2V

I

OUT

= 0毫安，

CE = V

IH

CE > V

cc

- 0.2V

V

IN

＆ LT ; 0.2V或

V

IN

＆ GT ; V

cc

- 0.2V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

-55

-

1

5

50

3

-

-70

1

5

45

3

-

-85

1

5

40

3

-

-100

1

5

40

3

最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值

单位

A

mA

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

I

CC2

mA

周期时间= 1μs的时间，占空比= 100 ％

备用电源

电流（ TTL电平）

备用电源

电流（ CMOS

级）

输出低电压

输出高电压

I

SB

I

SB1

-

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

mA

A

V

L

-

2.4

V

OL

V

OH

电容

（ F = 1MHz的，T

A

= 25

o

C)

参数*

输入电容

I / O容量

符号

C

in

C

I / O

测试条件

V

in

= 0V

V

in

= V

OUT

= 0V

最大

7

8

单位

pF

*这个参数是由设备特性保证，而不是生产测试。

AC测试条件

输入脉冲电平

0.6V至2.2V

输入上升和下降时间为5ns

输入和输出时序

参考电平

1.4V

输出负载条件

55ns/70ns/85ns

C = 30pF的+ 1TTL负荷

L

负载为100纳秒

C

L

= 100pF电容+ 1TTL负荷

C

L

*

TTL

图A.

*包括范围和夹具电容

4

修订版1.3

十月

2001年V62C2162048L （ L）

V62C2162048L(L)

直流工作特性

(V

cc

= 2.2 2.7V ， GND = 0V ，T

A

= 0

0

C至+70

0

C / -40

0

C至85

0

C)

参数

输入漏电流

输出漏

当前

工作电源

电源电流

平均开工

当前

符号

测试条件

-35

-45

单位

最小值最大值最小值最大值

-

1

5

65

3

-

1

5

60

3

A

mA

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

I

CC2

V

cc

=最大，

V

in

= GND到V

cc

CE = V

IH

或V

cc

=最大，

V

OUT

= GND到V

cc

CE = V

IL

, V

IN

= V

IH

或V

IL

,

I

OUT

= 0

I

OUT

= 0毫安，

分周期内， 100 ％的占空

CE < 0.2V

I

OUT

= 0毫安，

CE = V

IH

CE > V

cc

- 0.2V

V

IN

＆ LT ; 0.2V或

V

IN

＆ GT ; V

cc

- 0.2V

I

OL

= 2毫安

I

OH

= -2毫安

mA

周期时间= 1μs的时间，占空比= 100 ％

备用电源

电流（ TTL电平）

备用电源

电流（ CMOS

级）

输出低电压

输出高电压

I

SB

I

SB1

-

0.5

10

2

0.4

-

2.4

0.5

10

2

0.4

-

mA

A

V

L

-

2.4

V

OL

V

OH

5

修订版1.33

十月

2001年V62C2162048L （ L）