V62C1802048L(L)
超低功耗
256K ×8 CMOS SRAM
特点
低功耗
- 活动： 25毫安在为70ns
- 待机： 10
A
（ CMOS输入/输出）
2
A
CMOS输入/输出， L型
单+ 1.8V至2.2V电源
平等接入和周期时间
70/85/100/150 ns访问时间
易于扩展内存与CE1 ， CE2
和OE输入
1.0V数据保持方式
TTL兼容，三态输入/输出
自动断电时取消
可用封装： 32 TSOP1 / STSOP
功能说明
该V62C1802048L是一款低功耗CMOS静态RAM奥尔加
8位认列之为262,144字。简单的内存扩展是P-
由低电平有效CE1 ，高电平有效CE2 ，一来做事规定外
香港专业教育学院LOW OE和三态I / O的。该设备具有自动
取消当MATIC掉电模式功能。
写入设备通过取芯片实现E-
nable 1 （ CE1 ）与写使能（ WE）低，而芯片恩
能2 （ CE2 ）高。从设备中读取执行
通过采取芯片使能1 （ CE1 ）与输出使能
（ OE ）低，而写使能（ WE）和芯片使能2
（ CE2 ）为高电平。的I / O引脚被放置在一个高阻抗
输出是：当设备被取消ANCE状态
在写周期期间禁用。
该V62C1802048LL配有1V数据保留功能
和更低的待机功耗。该V62C1802048L是可用
采用32引脚8× 13.4 & 8 ×20mm的TSOP1 / STSOP包。
逻辑框图
32引脚TSOP1 / STSOP
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CE
2
A
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A
10
CE1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
GND
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
输入缓冲器
A
0
行解码器
SENSE AMP
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A9
I/O8
VCC
A17
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
电池阵列
I/O1
A
5
A
4
列解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
控制
电路
OE
WE
CE1
CE2
1
修订版1.2
五月
2001年V62C1802048L （ L）
V62C1802048L(L)
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于GND电压
功耗
存储温度（塑料）
在偏置温度
符号
Vt
P
T
TSTG
Tbias
最低
-0.5
-55
-40
最大
4.6
1.0
+150
+85
单位
V
W
0
C
0
C
*注意：
应力大于上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在这些或以外的本规范的业务部门所标明的任何条件
化，是不是暗示。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
真值表
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
L
H
X
数据
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
DATA IN
待机
待机
主动，阅读
模式
主动，输出禁止
活跃的，写
*键：
X =无关，L =低，H =高
推荐工作条件
(T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C
**
)
参数
电源电压
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
民
1.8
0.0
1.6
-0.5*
典型值
2.0
0.0
-
-
最大
2.2
0.0
V
CC
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
输入电压
*
V
IL
分= -1.0V脉冲宽度小于T
RC
/2.
**
对于工业级温度。
2
修订版1.2
五月
2001年V62C1802048L （ L）
V62C1802048L(L)
读周期
(3,9)
(V
cc
= 1.8 to2.2V ， GND = 0V ，T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
开机时间
掉电时
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
OH
t
CLZ
t
CHZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PU
t
PD
70
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-70
-
70
70
40
-
-
30
-
25
-
70
85
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-85
-
85
85
40
-
-
35
-
30
-
85
-100
100
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-
100
100
50
-
-
40
-
35
-
100
-150
150
-
-
-
10
10
-
5
-
0
-
-
150
150
70
-
-
50
-
40
-
150
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
4,5
4,5
4,5
4,5
5
5
写周期
(3,11)
(V
cc
= 1.8 2.2V ， GND = 0V ，T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至+ 85
0
C)
参数
写周期时间
芯片使能写到底
地址设置写到底
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
有效的数据写入结束
数据保持时间
写使能在高阻输出
从输出的写端活跃
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
WZ
t
OW
70
60
60
0
50
0
30
0
-
5
-70
-85
-100
-150
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
-
-
-
-
-
-
-
-
30
-
85
70
70
0
60
0
35
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
100
80
80
0
70
0
40
0
-
5
-
-
-
-
-
-
-
-
40
-
150
120
120
0
100
0
60
0
-
5
4,5
4,5
4
修订版1.2
五月
2001年V62C1802048L （ L）
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