TPS5410-EP
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SLVS910 - 2009年9月
1 ,宽输入范围降压SWIFT 转换器
检查样品:
TPS5410-EP
1
特点
宽输入电压范围: 5.5 V至36 V
截至1 -A连拍( 1.2 A峰值)输出
当前
效率高达95 %的110 mΩ的启用
集成的MOSFET开关
宽输出电压范围:可调低至
1.22 V ,1.5 %的初始精度
内部补偿最大限度地减小外部
件数
固定的500 kHz开关频率小
滤镜尺寸
改进的线性调整率和瞬态
响应由输入电压前馈
通过系统的过电流限制保护,
过电压保护和热
关闭
-55 ° C至125°C的工作结
温度范围
可在小型8引脚SOIC封装
对于SWIFT文档,应用笔记
和设计软件,请参见TI网站
www.ti.com/swift
应用
消费者:机顶盒, DVD , LCD显示器
工业和汽车音响电源
电池充电器,大功率LED电源
12 -V / 24 -V分布式电源系统
2
描述
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
调节器,所述TPS5410是一个高输出的电流
PWM转换器集成了低电阻高
侧的N沟道MOSFET 。包括在衬底上
与上市的特点是高性能电压
误差放大器,实现了严格的电压调节
准确性
下
短暂
条件;
an
欠压锁定电路,以防止启动直到
输入电压达到5.5伏;内部设置
慢启动电路,以限制浪涌电流;和一个电压
前馈电路,以改善瞬态
反应。使用ENA引脚,关断电源
电流减少到18
μA
典型的。其他特点
包括高电平有效使能,过流限制,
过压保护和热关断。对
降低设计复杂性和外部组件
算,在TPS5410反馈回路是内部
补偿。
该TPS5410器件提供了一个易于使用
8引脚SOIC封装。 TI提供评估模块
和软件工具,快速有助于实现
高性能电源设计,以满足
积极的设备开发周期。
支持国防,航天,
和医疗应用
(1)
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用( -55°C / 125°C )
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
额外的温度范围可供选择 - 联系工厂
1
2
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT是德州仪器的商标。
版权所有 2009年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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简化的原理图
100
VIN
VIN
PH
VOUT
EF网络效率与输出电流
TPS5410
95
效率 - %
NC
NC
BOOT
90
ENA VSENSE
GND
85
V
I
= 20 V
V
O
= 12 V
f
s
= 500千赫
o
T
A
= 25 C
80
75
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2
I
O
-
输出电流
-
A
1.4
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中,以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-55 ° C至125°C
(1)
输入电压
5.5 V至36 V
输出电压
可调至1.22 V
包
SOIC ( D)
(1)
产品型号
TPS5410MDREP
对于最新的封装和订购信息,请参阅
封装选项附录
在这个文件的末尾,或见TI
网站:
www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
VIN
BOOT
PH (稳态)
V
I
输入电压范围
EN
VSENSE
BOOT -PH
PH值(瞬时< 10纳秒)
I
O
I
LKG
T
J
T
英镑
(1)
(2)
(3)
源出电流
漏电流
储存温度
PH
PH
(1) (2)
价值
-0.3 40
(3)
-0.3 50
-0.6至40
(3)
-0.3 7
-0.3 3
10
–1.2
内部限制
10
-55到150
-65到150
单位
V
μA
°C
°C
经营虚拟结温范围
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件,仅及功能操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值都是相对于网络的接地端子。
接近绝对最大额定值为VIN引脚可能对PH引脚上的电压超过绝对最大额定值。
2
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耗散额定值
(1)
8针D
(1)
(2)
(2)
包
(3)
热阻抗
结到环境
75°C/W
(3)
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
额定功率在特定的环境温度T
A
应为125 ℃的结温来确定。这是点
失真开始大幅增加。最终PCB的热管理应努力保持结温达到或
低于125 ℃,以获得最佳性能和长期的可靠性。看
热计算
本数据表中的应用更加节
信息。
测试板条件:
( a)约3 ×3× , 2层,厚度: 0.062英寸。
(二) 2盎司铜迹线位于所述印刷电路板的顶部和底部。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围, VIN
工作结温
5.5
–55
喃
最大
36
125
单位
V
°C
电气特性
T
J
= -55 ° C至125°C , VIN = 5.5 V至36 V (除非另有说明)
参数
电源电压( VIN引脚)
I
Q
静态电流
VSENSE = 2 V ,不切换, PH引脚
开放
关机, ENA = 0 V
欠压锁定( UVLO )
启动阈值电压时, UVLO
滞后电压, UVLO
参考电压
参考电压精度
振荡器
内部设置自由运行频率
最小可控时间
最大占空比
ENABLE ( ENA PIN)
启动阈值电压, ENA
停止阈值电压, ENA
滞后电压, ENA
内部慢启动时间(0 100%)
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
热关断
热关断触发点
热关断迟滞
输出MOSFET
r
DS ( ON)
高侧功率MOSFET开关
VIN = 5.5 V
VIN = 10 V - 36 V
150
110
m
135
162
14
°C
°C
T
J
= 25°C
T
J
=全系列
1.2
0.45
13
16
1.5
1.8
4.6
22.5
A
ms
5.35
0.5
450
8
10
1.3
V
V
mV
ms
87%
T
J
= 25°C
T
J
=全系列
400
380
150
89%
500
600
600
210
千赫
ns
T
J
= 25°C
I
O
= 0 A – 1 A
1.202
1.192
1.221
1.221
1.239
1.245
V
5.3
330
V
mV
3
18
4.4
50
mA
μA
测试条件
民
典型值
最大
单位
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引脚分配
包
( TOP VIEW )
BOOT
NC
NC
VSENSE
1
2
3
4
8
7
6
5
PH
VIN
GND
ENA
终端功能
终奌站
名字
BOOT
NC
VSENSE
ENA
GND
VIN
PH
号
1
2, 3
4
5
6
7
8
没有内部连接。
反馈电压稳压器。连接到输出电压分压器。
开/关控制。低于0.5 V时,器件停止开关。浮针来使能。
地面上。
输入电源电压。旁路VIN引脚连接到GND引脚靠近器件封装具有高品质,低ESR的陶瓷
电容。
源高侧功率MOSFET的。连接到外部电感和二极管。
描述
升压电容为高侧FET的栅极驱动器。连接0.01
μF
低ESR电容从BOOT引脚到引脚的PH值。
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典型特征
振荡器频率
vs
结温
530
520
I
Q
- 工作静态电流 - 毫安
工作静态电流
vs
结温
3.5
V
I
= 12 V
最小可控时间
vs
结温
180
170
3.25
的F - 振荡器频率 - 千赫
510
最小可控导通时间 - NS
-50
-25
0
25
50
75
o
160
500
490
480
3
150
140
2.75
470
460
-50
130
2.5
-25
0
25
50
75
o
100
125
100
125
120
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
T
J
- 结温 - C
T
J
- 结温 - C
T
J
- 结温 - C
图1 。
参考电压
vs
结温
1.23
图2中。
导通状态电阻
vs
结温
180
170
V
I
= 12 V
网络连接gure 3 。
内部慢速启动时间
vs
结温
9
r
DS ( ON)
- 导通状态电阻 - 米
W
V
REF
- 参考电压 - V
160
150
140
130
120
110
100
90
1.225
t
SS
- 内部慢启动时间 - 毫秒
-50
-25
0
25
50
75
o
8.5
1.22
8
1.215
7.5
1.21
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
80
100
125
T
J
- 结温 - C
7
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
T
J
- 结温 - C
T
J
- 结温 - C
图4中。
关机静态电流
vs
输入电压
25
ENA = 0 V
图5中。
图6 。
最小可控占空比
vs
结温
8
I
SD
- 关断电流 -
m
A
15
TJ = 27
o
C
最小负荷比 - %
15
20
25
30
35
40
20
TJ = 125℃
o
7.5
7.5
10
TJ = -40℃
o
7.25
5
7
0
5
10
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
V
I
- 输入电压 - V
T
J
- 结温 - C
图7 。
网络连接gure 8 。
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