茂矽
V61C51161024
64K ×16高速
静态RAM
初步
特点
s
s
s
s
s
s
高速： 10 ，12，15纳秒
所有输入和输出直接TTL兼容
三态输出
字节控制引脚
单5V
±
10 ％的电力供应
套餐
- 44引脚TSOP （标准）
- 44引脚400密耳SOJ
描述
该V61C51161024是1,048,576位静态
随机存取存储器组织为65,536
字由16位。输入和三态输出
TTL兼容，允许直接连接带
公共系统总线结构。
功能框图
A
1
ROW
解码器
存储阵列
V
CC
GND
A
7
A
8
A
9
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
15
A
0
UBE
LBE
OE
WE
CE
列I / O
列解码器
A
10
A
15
控制
电路
6151161024-01
设备使用图
操作
温度
范围
0
°C
70
°C
包装外形
T
K
10
访问时间（纳秒）
12
15
温度
标志
空白
V61C51161024 1.0版1998年7月
1
茂矽
引脚说明
A
0
–A
15
地址输入
这16个地址输入选择的64K ×16 1
位段在RAM中。
CE
芯片使能输入
CE为低电平有效。它必须是活动的读取或
写入设备。如果芯片使能是不活跃，
装置的选择取消，并处于备用电源
模式。在I / O引脚将处于高阻抗
取消选择时的状态。
OE
输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。当OE
是低配低CE和WE高，数据将被预
sented上的I / O引脚。在I / O引脚将在
高阻抗状态，当OE为高电平。
V61C51161024
UBE ， LEB字节使能
低电平有效输入。这些输入被用于使能
上或下一个数据字节。
WE
写使能输入
写使能输入为低电平有效控制
读取和写入操作。与芯片使能，
当我们为高电平， OE是低电平时，输出数据会
出席的I / O引脚;当我们为低，并
OE为高电平时，出现在我的数据输入/输出引脚会
写入到所选择的存储位置。
I / O
0
-I / O
15
数据输入和输出端口
这16个双向端口用于读取数据
从与将数据写入到RAM中。
V
CC
GND
电源
地
引脚配置（顶视图）
44引脚SOJ
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
CC
GND
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
WE
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6151161024-02
44引脚TSOP -II （标准）
A
5
A
6
A
7
OE
UBE
LBE
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
GND
V
CC
I / O
11
I / O
10
I / O
9
I / O
8
NC
A
8
A
9
A
10
A
11
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6151161024-03
A5
A6
A7
OE
UBE
LBE
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
V61C51161024 1.0版1998年7月
2
茂矽
产品编号信息
V
泽尔 - 华智
SRAM
家庭
61 = HIGH SPEED
C = CMOS工艺
51 = 5V
组织
空白=标准电源
16 = 16位
操作
电压
密度
1024K
PWR 。
10纳秒
12纳秒
15纳秒
速度
PKG
V61C51161024
61
C
51
16
1024
–
温度。
空白= 0 ° C至70℃
T = TSOP标准
K = 400万SOJ
6151161024-04
绝对最大额定值
(1)
符号
V
CC
V
IN
V
DQ
T
BIAS
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输入/输出电压的应用
在偏置温度
储存温度
广告
-0.5到+7
-0.5到+7
V
CC
+ 0.5
-10至+85
-65到+150
单位
V
V
V
°
C
°
C
注意：
1.强调高于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有与设备，在这些或以上的任何其他条件的业务部门所标明的功能操作评级
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
电容*
T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.此参数由设计保证，未经测试。
真值表
模式
待机
输出禁用
输出禁用
读
读
读
写
写
写
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
X
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
H
H
H
H
L
L
L
UBE
X
H
X
L
L
H
L
L
H
LBE
X
H
X
L
H
L
L
H
L
I / O
8-15
手术
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
高Z
I / O
0-7
手术
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
D
IN
注意：
X =无关，L =低，H =高
V61C51161024 1.0版1998年7月
3
茂矽
DC电气特性
（在所有温度范围内，V
CC
= 5V
±
10%)
-10
符号
I
IL
I
OL
I
CC
ISB
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
, V
CC
=最大，
V
OUT
= GND到V
CC
CE = V
IL
, I
OUT
= 0, f = f
最大
CE = V
IH
, f = f
最大
CE
V
CC
- 0.2V ， F = 0 ，V
IN
0.2V
或V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.2V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
—
—
马克斯。
5
5
分钟。
—
—
-12
马克斯。
5
5
V61C51161024
-15
分钟。
—
—
马克斯。
5
5
单位
m
A
m
A
mA
工作电源
当前
备用电源
电流（ TTL电平）
备用电源
电流（ CMOS电平）
输出低电压
输出高电压
—
220
—
210
—
200
—
60
—
50
—
40
mA
I
SB1
V
OL
V
OH
—
5.0
—
5.0
—
5.0
mA
—
2.4
0.4
—
—
2.4
0.4
—
—
2.4
0.4
—
V
V
注意事项：
1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
2. V
IL
（分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
3. f
最大
= 1/t
RC
.
4.最大的值。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
时序参考电平
输出负载
0至3V
3纳秒
1.5V
交流测试负载和波形
+5V
480
½
I / O引脚
见下文
255
½
C
L
= 30 pF的*
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
输出
会
稳定
会
改变
从H到L
会
改变
以L至H
更改：
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
+5V
480
½
I / O引脚
255
½
C
L
= 5pF的*
可能改变
以L至H
对于T
CLZ
, t
CHZ
, t
OLZ
, t
WHZ
, t
OW
和叔
OHZ
*包括范围和夹具电容
6151161024-05
DO NOT CARE ：
任何改变
许可
不
申请
V61C51161024 1.0版1998年7月
4
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