新产品
V60120C
威世通用半导体
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.41 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
低热阻
2
1
3
TO-220AB
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
机械数据
案例：
TO-220AB
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
销1
3脚
销2
例
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 30 A
T
J
马克斯。
2× 30 A
120 V
300 A
0.71 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流为10ms单半
正弦波叠加每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
每个器件
每二极管
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V60120C
120
60
30
300
1.0
10 000
- 40 + 150
V / μs的
°C
A
单位
V
文档编号： 88976
修订： 19 08年5月
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
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V60120C
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
击穿电压
测试条件
I
R
= 1.0毫安
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
I
F
= 5 A
I
F
= 15 A
I
F
= 30 A
V
R
= 90 V
反向电流在额定V
R
每二极管
(2)
符号
V
BR
典型值。
120 （最小）
0.48
0.66
0.88
马克斯。
-
-
-
0.95
-
-
0.75
-
-
500
45
单位
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
每个二极管的正向电压
(1)
V
F
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
V
0.41
0.58
0.71
14
11
A
mA
A
mA
I
R
V
R
= 120 V
注意事项：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
（ 2 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
40毫秒
40
15
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
V60120C
2.2
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
首选的P / N
V60120C-E3/4W
单位重量（g ）
1.89
封装代码
4W
基地数量
50/tube
配送方式
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
70
负载电阻或电感
30
D = 0.8
D = 0.5
25
平均正向电流（ A）
60
平均功耗（ W）
D = 0.3
20
D = 0.2
D = 0.1
D = 1.0
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
15
10
T
5
D =吨
p
/T
0
0
5
10
15
20
25
30
35
t
p
外壳温度（ ° C）
平均正向电流（ A）
图1.正向电流降额曲线
图2.正向功率损耗特性每二极管
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V60120C
威世通用半导体
350
10 000
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
峰值正向浪涌电流（ A）
300
250
200
150
100
50
0
1
结电容（pF ）
10
100
1000
100
0.1
1
10
100
数
环，在60赫兹的
反向
电压
(V)
图3.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
图6.典型结电容每二极管
100
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
结到外壳
T
A
= 150 °C
T
A
= 125 °C
10
1
T
A
= 25 °C
1
0.1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型正向特性每二极管
图每二极管7.典型的瞬态热阻抗
100
瞬时反向电流（mA ）
T
A
= 150 °C
10
T
A
= 125 °C
1
0.1
T
A
= 25 °C
0.01
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图5.典型的反向特性每二极管
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V60120C
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.415 （ 10.54 ） MAX 。
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
3
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
1
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.057 (1.45)
0.045 (1.14)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.104 (2.65)
0.096 (2.45)
针
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日前，Vishay
放弃
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产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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