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V55C2128164V(T/B)
的128Mbit低功耗SDRAM
2.5伏， TSOP II / BGA封装
8M ×16
初步
CILETIV LESO M
6
系统频率（F
CK
)
时钟周期时间（T
CK3
)
时钟存取时间（t
AC3
） CAS延时= 3
时钟存取时间（t
AC2
） CAS延时= 2
时钟存取时间（t
AC1
） CAS延时= 1
166兆赫
6纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
19纳秒
7PC
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
5.4纳秒
19纳秒
7
143兆赫
7纳秒
5.4纳秒
6纳秒
19纳秒
8PC
125兆赫
8纳秒
6纳秒
6纳秒
19纳秒
10
100MHz
10纳秒
7纳秒
8纳秒
22纳秒
特点
■
4银行X的2Mbit ×16组织
■
高速数据传输速率高达166 MHz的
■
全同步动态RAM ，所有的信号
参考时钟的上升沿
■
单脉冲RAS接口
■
数据掩码为读/写控制
■
由BA0 & BA1控制四家银行
■
可编程CAS延时： 1 ， 2 ， 3
■
可编程的缠绕顺序：顺序或
交错
■
可编程突发长度：
1 ， 2 ， 4 ， 8 ，整版的顺序类型
1，2， 4，8为交错型
■
多个突发读取与单写操作
■
自动和控制预充电命令
■
随机列地址每CLK （ 1 -N规则）
■
掉电模式和时钟挂起模式
■
深度掉电模式
■
自动刷新和自刷新
■
刷新间隔： 4096次/ 64毫秒
■
可在54球FBGA封装，具有9x6球阵列
3 depupulated行， 9x8毫米， 54引脚
TSOP II
■
VDD = 2.5V ， VDDQ = 1.8V
■
■
通过标准杆可编程功耗降低特性
在自刷新TiAl基阵列激活
■
工作温度范围
商业（
0℃至70 ℃）
扩展（ -25 ° C至+ 85°C ）
设备使用图
操作
温度
范围
0 ° C至70℃
-25°C至85°C
包装外形
T / B
访问时间（纳秒）
6
7PC
7
8PC
10
温度
标志
广告
EXTENDED
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
1
V55C2128164V(T/B)
V 55 C 2 12816
茂矽
制成的
低功耗
同步DRAM
设备
数
描述
BGA
引脚配置为x16的设备：
CILETIV LESO M
4 S X B
速度
6纳秒
7纳秒
8纳秒
10 nsComponent
包
组件级牧师
A = 0.14um
PKG 。
B
引脚数
54
C = CMOS系列
2.5V电源电压
128MB （ 4K刷新）
4银行
S = SSTL
60引脚WBGA引脚配置
顶视图
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
7
8
9
VDD
DQ1
DQ3
DQ5
VSS DQ15 VSSQ
DQ14 DQ13 VDDQ
DQ12 DQ11 VSSQ
DQ10 DQ9 VDDQ
DQ8
NC
VSS
CKE
A9
A6
A4
VDDQ DQ0
VSSQ DQ2
VDDQ DQ4
VSSQ DQ6
VDD LDQM DQ7
CAS
BA0
A0
A3
RAS
BA1
A1
A2
WE
CS
A10
VDD
UDQM CLK
NC
A8
VSS
A11
A7
A5
＆ LT ;顶视图＆gt;
V55C2128164V （T / B ） 2002 Rev.1.2月
2
V55C2128164V(T/B)
CILETIV LESOM
茂矽
制成的
低功耗
同步DRAM
设备
数
V 55 C 2 12816 4 S X T卷
速度
6纳秒
7纳秒
8纳秒
10纳秒组件
包
组件级牧师
A = 0.14um
描述
TSOP -II
PKG 。
T
引脚数
54
C = CMOS系列
2.5V电源电压
8Mx16 （ 4K刷新）
4银行
S = STTL
54引脚塑料TSOP -II
引脚配置
顶视图
V
CC
I / O
1
V
CCQ
I / O
2
I / O
3
V
SSQ
I / O
4
I / O
5
V
CCQ
I / O
6
I / O
7
V
SSQ
I / O
8
V
CC
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
引脚名称
CLK
CKE
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
数据屏蔽
电源（ + 2.5V ）
地
电源的I / O （ + 1.8V ）
地面的I / O
没有连接
V
SS
I / O
16
V
SSQ
I / O
15
I / O
14
V
CCQ
I / O
13
I / O
12
V
SSQ
I / O
11
I / O
10
V
CCQ
I / O
9
V
SS
NC
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
CS
RAS
CAS
WE
A
0
–A
11
BA0 ， BA1
I / O
1
-I / O
16
LDQM ， UDQM
V
CC
V
SS
V
CCQ
V
SSQ
NC
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
3
V55C2128164V(T/B)
该V55C2128164V （T / B ）是一个4银行同步DRAM组织成4组X的2Mbit X 16。
V55C2128164V （T / B）通过采用芯片架构实现高速数据传输速率高达166 MHz的
该预取多个位，然后输出数据同步到系统时钟
所有的控制，地址，数据输入输出电路均与一个EX-的上升沿同步
ternally提供的时钟。
操作的四个存储体中以交错的方式允许发生在随机存取操作
更高的速率比用标准的DRAM 。高达166 MHz的连续和无缝数据速率
可能因突发长度， CAS延迟和设备的速度等级。
CILETIV LESO M
描述
信号引脚说明
针
CLK
TYPE
输入
信号
脉冲
极性
积极
EDGE
功能
系统时钟输入。所有的SDRAM的输入的采样上的上升沿
时钟。
CKE
输入
水平
高电平有效激活CLK信号为高电平时，并停用CLK信号为低电平时，使
启动或者掉电模式或自刷新模式。
低电平有效CS使指令译码器时低，禁用命令解码器时，
高。当指令译码器被禁用，新的命令将被忽略，但以前
行动仍在继续。
活性低时采样时钟， CAS ， RAS的正上升沿和WE定义
命令由SDRAM中执行。
—
在一个银行激活指令周期， A0 -A11定义的行地址（ RA0 - RA11 ）
当在时钟上升沿采样。
在读或写命令周期中， A0 -一个定义的列地址（ CA0 -CAN）
当在时钟的上升沿采样edge.CAn取决于从SDRAM组织：
8M ×16 SDRAM CA0 - CA8 。
除了列地址，A10 （= AP）用于调用autoprecharge操作
在脉冲串的末端的读或写周期。如果A10的高， autoprecharge被选择并
BA0 ， BA1定义了预充电银行。如果A10为低， autoprecharge被禁用。
在一个预充电命令周期，A10 （= AP）功能结合使用BA0和BA1
到哪家银行（ S）控制预充电。如果A10很高，所有四家银行将BA0和BA1是
用哪家银行定义为预充电。
CS
输入
脉冲
RAS ， CAS
WE
A0 - A11
输入
脉冲
输入
水平
BA0,
BA1
DQX
输入
水平
—
选择哪家银行是活跃。
输入
产量
输入
水平
—
数据输入/输出引脚以相同的方式进行操作在常规的DRAM 。
LDQM
UDQM
脉冲
高电平有效的数据输入/输出的掩码会将DQ缓冲区处于高阻抗状态时SAM-
为高电平。在读模式， DQM有两个时钟周期的延迟和控制输出
缓冲器等的输出使能。在写模式， DQM具有零延迟，并作为
要写入的允许输入数据的单词的掩模，如果它是低，但块的写操作
如果DQM高。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
VCC ， VSS供应
VCCQ
VSSQ
供应
—
—
对于输出缓冲隔离电源和接地，以提供改进的噪音
免疫力。
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
4
V55C2128164V(T/B)
CILETIV LESOM
操作定义
所有的SDRAM的操作是由控制信号的状态的CS ，RAS， CAS，WE和DQM的定义
在时钟的正边缘。下面的列表显示了thruth表的操作命令。
手术
行激活
读
读W / Autoprecharge
写
与Autoprecharge写
行预充电
全部预充电
模式寄存器设置
无操作
设备取消
自动刷新
自刷新进入
自刷新退出
设备
状态
空闲
3
活跃
3
活跃
3
活跃
3
活跃
3
任何
任何
空闲
任何
任何
空闲
空闲
空闲
（自REFR ）。
空闲
活跃
4
任何
（电源
下）
活跃
活跃
空闲
深电源 -
下
CKE
n-1
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
CKE
n
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
CS
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
H
RAS
L
H
H
H
H
L
L
L
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
CAS
H
L
L
L
L
H
H
L
H
X
L
L
X
H
X
H
X
H
X
X
H
X
WE
H
H
H
L
L
L
L
L
H
X
H
H
X
X
X
X
X
L
X
X
L
X
DQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A0-9,
A11
V
V
V
V
V
X
X
V
X
X
X
X
A10
V
L
H
L
H
L
H
V
X
X
X
X
BS0
BS1
V
V
V
V
V
V
X
V
X
X
X
X
L
H
L
H
X
X
X
X
断电进入
H
L
L
H
X
X
X
X
掉电退出
L
H
L
X
X
L
X
X
X
X
X
数据写入/输出使能
数据写入/输出禁止
深Pwoer向下进入
深Pwoer下退出
H
H
H
L
X
X
L
H
L
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
注意事项：
1， V =有效，X =无关， L =低电平，H =高电平
2. CKEN信号提供命令时，输入电平， CKEN - 1信号输入电平的命令之前，一个时钟
提供。
3.这是由银行指定的BS0 ， BS1的信号状态。
4.省电模式不能在突发周期项。
5.在深度掉电模式退出存储装置的一个完整的新的初始化是强制性的
V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
5
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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